公开(公告)号：KR101159418B1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020090120738

申请日：2009-12-07

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 박창근

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/189

Abstract: 본 발명은 고주파 증폭기의 전력 검출에 관한 것으로서 보다 자세하게는 차동 구조로 된 증폭기에서 가상 접지 노드에서 필연적으로 발생하는 2차 고조파 성분을 이용하여 전력을 검출 하는 기법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 전력 검출을 위하여 증폭기의 입력 신호 혹은 출력 신호 성분에는 영향을 주지 않게 되므로, 증폭기의 이득의 감소가 없고, 출력 전력 크기의 저하가 없고, 전력 검출을 위한 추가적인 결합기(coupler)가 필요하지 않기 때문에 회로가 간단해 지고 이에 따라 생산 단가를 절감 할 수 있는 이점이 있다.
전력 검출기, 가상 접지, 결합기

公开(公告)号：KR1020120044835A

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：KR1020100106350

申请日：2010-10-28

Applicant: 숭실대학교산학협력단

Inventor： 박준영 ,  박종훈 ,  박창근

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/861

Abstract: PURPOSE: A diode for preventing static electricity is provided to prevent static electricity from being inputted to an inner circuit by forming an additional diode between a ground conductive wire and a power voltage conductive wire. CONSTITUTION: An N-type semiconductor comprising a first diode is connected to a pad(102) for a power voltage. A P-type semiconductor comprising the first diode is connected to a signal wire(110). An N-type semiconductor comprising a second diode is connected to the signal wire. A P-type semiconductor comprising the second diode is connected to a ground pad. A third diode is formed by bonding the N-type semiconductor of the first diode with the P-type semiconductor of the second diode.

Abstract translation: 目的：提供用于防止静电的二极管，以通过在接地导线和电源电压导线之间形成附加的二极管来防止静电输入到内部电路。 构成：包括第一二极管的N型半导体连接到用于电源电压的焊盘（102）。 包括第一二极管的P型半导体连接到信号线（110）。 包括第二二极管的N型半导体连接到信号线。 包括第二二极管的P型半导体连接到接地焊盘。 通过将第一二极管的N型半导体与第二二极管的P型半导体结合来形成第三二极管。