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公开(公告)号：KR1019990043107A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064093
申请日：1997-11-28
Abstract: 반도체 광증폭기(SOA; Semiconductor Optical Amplifier)에 있어서 입력 광신호의 세기가 일정 수준 이하에서는 이득률이 일정하나 그 이상일 때는 이득률이 감소하는 현상이 발생하게 된다. 이를 이득 포화 현상이라 일컫는다. 본 발명은 이러한 이득 포화 현상을 개선하기 위한 광증폭 시스템에 관한 것이다.
본 발명으로부터 제공되는 반도체 광증폭 시스템은 입력단 도파로를 통해 입력된 광신호를 N(자연수)개의 광신호로 분리하는 광분리부; 상기 광분리부로부터 입력된 N개의 광신호를 각각 증폭하는 반도체 광증폭부; 및 상기 광증폭부의 출력을 입력받아 하나의 광신호로서 출력단 도파로로 출력하는 광결합부를 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR1019990042433A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063253
申请日：1997-11-26
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 광도파로 집적 회로에 있어서 집적 부분의 구조 및 제조 방법의 개선을 통한 전기적 및 광학적 특성의 향상에 관한 것이다. 기존의 일반적인 도파로 집적회로 구조 형성을 위한 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapour Deposition)을 이용한 광학적 수평 결합을 위한 도파로의 코아층인 InGaAsP층의 성장 시에 (001)면에 비하여 (011)면에 대해서는 상대적으로 낮은 성장률이 나타나는 것으로 알려져 있다. 이렇게 (011)면에 성장된 InGaAsP는 (001)면에 성장된 InGaAsP에 비하여 격자 부정합도가 높고 성분도 다르게 되어 전기적으로는 누설 전류를 발생시키고 광학적으로는 손실 및 반사를 일으키는 원인을 제공하게 되어 도파로 집적 광증폭기 특성을 저하시키는 중요 요인중의 하나가 되고 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 제2도에서 보는 바와 같이 문제가 되는 접합면인 (011)면에 따라 성장된 InGaAsP 부분(9)을 식각을 하고 이 위에 반 절연 InP을 성장함으로써 계면의 전기적, 광학적 특성을 개선하고자 하는 것이다.
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公开(公告)号：KR1019990030547A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970050791
申请日：1997-10-01
IPC: G02B5/20
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광소자 제조 분야에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거할 수 있는 격자도움 수직결합형 반도체 광필터를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
도파로 상에 TE모드에 해당하는 격자주기와 TM모드에 해당하는 격자주기를 동시에 설치하되 공간적으로 분리하고, 각각의 격자가 존재하는 도파로에 전류 주입의 방법 또는 전기장 효과에 의해 독립적인 파장 가변이 가능케 함으로써 도파로의 TE/TM 편광의존성을 제거한다.
4. 발명의 중요한 용도
광소자에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019990016749A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970039416
申请日：1997-08-19
IPC: H01L31/0232
Abstract: 본 발명은 파장 선택 가변 반도체 광필터에서 선택영역 성장법을 적용하여 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브(sidelobe)가 제어된 광필터와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 선택영역 성장법에 있어서 성장이 이루어지지 않는 유전체 박막 마스크의 폭을 조절함으로써 성장층의 두께를 선택적으로 조절할 수 있고, 이 현상을 두 도파로 사이의 거리 조절에 활용함으로써 파장 선택 가변 반도체 광필터의 두 도파로 사이의 거리를 조절할 수 있으며, 따라서 두 도파로 사이의 광결합효율을 공간적으로 바꿀 수 있게 된다. 두 도파로 사이의 거리가 삼각함수의 한 주기에 해당되도록 임의로 조절한다면 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100164094B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950047054
申请日：1995-12-06
IPC: H01L31/107
Abstract: 본 발명은 애벌랜치 포토다이오드에 관한 것으로, 활성층영역이 주위보다 높은 전하량을 갖도록 형성하되 전기장(전계)을 보다 상세하게 조절하여 소자의 동작특성이 안정화되도록한 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 애벌랜치 포토다이오드 활성층에 해당하는 물질층을 그 사이에 n-InP 전하층(25), 도핑하지 않은 InP 층(26) 및 n-InP 전하층(27)을 차례로 적층된 구조로 형성하여 불순물층을 n-InP 전하층(25)과 n-InP 전하층(27)으로 2층으로 형성함으로써 활성층의 전하량을 높이는 동시에 조절을 용이하게 하여 소자의 동작특성이 개선된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980050915A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069763
申请日：1996-12-21
IPC: H01L21/467
Abstract: 광통신에 사용되는 반도체 레이저 및 반도체 스위치 등과 같은 소자의 입출력단의 광도파로와 광섬유 사이의 연결 부위가 많은 소자에 있어서, 결합부의 광 결합효율을 높이는 것은 매우 중요한 기술이다.
본 발명은 반응성 이온 식각 방법을 이용하여 점차 가늘어지는 도파로를 만드는 방법에 관한 것이다. 특히, 반응성 이온 식각시에 식각 마스크의 면적이 변화됨에 따라 식각율이 달라지는 것을 이용함으로써, 넓은 면적에 균일하게 적용할 수 있을 뿐만 아니라 재현성 및 경제성 측면에서의 문제도 해결할 수 있는 방법이다.-
公开(公告)号：KR1019980050449A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069272
申请日：1996-12-20
IPC: G02B6/42
Abstract: 광스위치 장치를 광섬유와 수동적으로 결합시키는 실리콘 기판을 이용한 광결합 장치에 관한 것이다. 일반적으로 광결합장치는 광소자 간의 미크론 정도의 매우 정교한 기계적인 정렬 작업과 레이저 용접과 같은 순간적이고 견고한 접착 방식을 필요로 하는 것이 특징이다. 이러한 종래의 광결합 장치는 각각의 광소자들이 매우 복잡한 기계적인 구조물로 먼저 패키징 되고 다시 이들을 별도의 케이스에 상호 정렬하여 부착시키는 방식으로 패키징되기 때문에 부품 수가 많고 정렬 작업이 복잡하여 그 제조코스트가 매우 고가로 되는 단점을 갖고 있다. 한편으로 반도체장치제조에 사용되는 반도체공정기술을 실리콘 기판의 기계적인 가공에 이용하면 기계적인 가공으로는 얻을 수 없는 미크론 이하의 매우 정밀한 기계적 구조물의 제작이 가능하고 이를 각종 광소자 및 부품의 조립을 위한 기판으로 사용하고자 하는 것이 실리콘 광학 벤치(silicon optical bench) 기술이다. 본 발명은 반도체제조공정으로 가공된 실리콘 기판을 이용하여 광스위치 장치와 광섬유를 수동적으로 광결합 시킬 수 있는 광결합장치에 관한 것으로서, 상기 목적을 달성하기 위하여 실리콘 기판에 광스위치 장치의 플립칩 본딩을 위한 솔더 범프와 광섬유의 정렬 및 고정을 위한 브이홈을 형성시키고, 상기 솔더 범프 위에 광스위치 장치를 플립칩 본딩시킴으로써 광스위치 장치를 기판에 고정시키며, 동시에 광스위치 장치가 상기 브이홈과 자동 정렬되게 하며, 또한 광스위치 장치에 전기적이 연결이 가능한 전기적인 접촉을 형성시키며, 상기 브이홈 내에 광섬유를 정렬하여 고정시킴으로써 광스위치 장치와 광섬유 간에 광결합이 자동적으로 이루어지도록 함으로써 부품 수의 감소와 조립 공정의 단순화를 달성하여 광결합 장치의 크기를 소형화� ��고 제조코스트를 저렴하게 하고자 한 것이다.
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公开(公告)号：KR100135038B1
公开(公告)日：1998-04-20
申请号：KR1019940019494
申请日：1994-08-08
IPC: H01L31/14
Abstract: 본 발명은 광스위치의 광도파로와 반도체 광증폭기를 최적화시키는 반도체 광증폭기의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 n형의 화합물 반도체 기판(15)상에 형성되는 도핑되지 않은 화합물 반도체 도파로층(14)과, 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)이 홈모양으로 선택식각되는 도파로(3)영역과, 상기 홈모양의 도파로(3)영역상에 형성된 홈모양의 광증폭기(1)영역의 도핑되지 않은 반도체 화합물 활성층(11) 및 반도체 화합물 클래드층(10), 화합물 반도체 캡층(9)과, 상기 홈모양의 측면에 형성된 전류차단층을 포함하는 구조를 이루고 있다.
또한 본 발명의 제조방법은 도파로층 도핑되지 않은 InGaAsP(14)과 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)을 1차 결정 성장시키는 단계와, 선택식각액으로 증폭기(1)영역의 도파로층 InGaAsP(14)과 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)을 홈모양으로 선택식각하는 단계와, 증폭기의 도핑되지 않은 활성층 InGaAsP(11), 클래드층 p-InP(12) 및 p+-InGaAs(9)을 제 2 차 결정시키는 단계와, 도파로를 식각하고 전극을 증착하는 단계로 이루어진다.
상기한 바와같이 본 발명은 2회의 결정 성장만으로도 제작이 가능하며 전류를 차단시킬 수 있으며, 옴저항을 최소화 할 수 있으며 일정 부분에 반송자의 집속시켜 입력광에 대한 효과적인 이득을 얻어 일정한 광이득을 얻기 위한 동작전류를 최소화 할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970011524B1
公开(公告)日：1997-07-11
申请号：KR1019930027625
申请日：1993-12-14
IPC: G02B6/26
Abstract: A manufacturing method for the photo switch of the inner total reflection using the trench, comprising the steps of; generating the trench according to the growing and etching process of the ephi, generating the ohmic layer according to the re-growing process, and depositing the electrode.
Abstract translation: 一种使用沟槽进行内部全反射的光开关的制造方法，包括以下步骤： 根据ephi的生长和蚀刻工艺生成沟槽，根据再生长过程产生欧姆层，并沉积电极。
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