公开(公告)号：KR1019950021811A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930027342

申请日：1993-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박종대 ,  박기성 ,  오광룡 ,  오대곤 ,  김홍만

IPC: H01L31/10 ,  H01L33/00

Abstract: 본 발명은 내부 전반사형 광스위치에 관한 것으로, 특히 SiNx를 자기정합 마스크를 이용하여 선택식각하여 트랜치틀 형성한후 재성장방법에 의해 제조되는 내부 전반사형 광스위치에 관한 것이다.
또한 본 발명에서 제안된 광스위치는 에피의 성장, SiNx 마스크를 이용하여 식각을 통한 Trenchfmf 형성한후 SiNx마스크를 이용하여 신택적 재성장 방법을 이용하여 전반사면을 위한 전류주입층을 형성한뒤, 도파로층을 식각하고 오믹층의 형성, 전극중착등에 의해 제작되어진다.
그리고 자기정렬 방법에 의해 반사면을 이루는 부분을 식각에 이온 재성장업을 사용함으로써 종래의 Zn확산법에 의해 형성되는 전반사 영역보다 도핑분포를 조절함이 용이하여 전류 주입층과 도파로층간의 도핑이 계단형분포를 이룸으로 전류 주입에 의한 스위칭 효율을 증가시킬 수 있으며, 전류주입층 이외의 영역은 이미 SiNx로 덮여있으므로 오믹금속층을 증착하는 공정을 용이하게 하며 또한 상층 클래딩 영역에 반절연 InP를 삽입하여 광도파로의 전파손실을 주지않으면서 전류 주입시 전류의 확산을 막는 구조이다.

公开(公告)号：KR1019940016967A

公开(公告)日：1994-07-25

申请号：KR1019920023354

申请日：1992-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  김흥만 ,  오대곤

IPC: H01L31/08

Abstract: 본 발명은 굴절율 변화 영역을 두개를 맞붙여 놓은 형태로 구성하여 전반사가 두번 일어나도록 하여 광도파로 사이의 교차각을 크게 하여 칩의 크기를 줄일 수 있는 내부 전반사형 광스위치로서, n형 InP기판(1), n형 InGaAsP광도파로층(2), ridge 형태의 n형 InP클래드층(3), ridge형태의 n형 InGaAsP캡층(4), Zn확산 또는 Be이온주입에 의해 형성된 p형 클래드 및 캡 영역(7), InP기판(1) 밑변에 증착된 n형 전극(5), p형 캡영역 위에 증착된 p형 전극(12,13)으로 구성되어 있으며, p형 클래드 및 캡 영역(7)과 p형 전극(12,13) 평면 모양은 입사빛에 대하여 θ 및 2θ의 각도를 갖는 두개의 영역이 맞붙어 있는 형태로 구성된다.