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公开(公告)号：CN111613721A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010103970.X
申请日：2020-02-20
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括：第一铁磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极，第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，磁记录层具有：与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域；与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域；以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域，第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大，第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。
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公开(公告)号：CN107887506B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201710917974.X
申请日：2017-09-27
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，在作为现有的隧道势垒层的材料或比使用了MgAl2O4的TMR元件更低的RA中，产生较高的MR比。磁阻效应元件的特征在于，具有层叠体，该层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，上述基底层由TiN、NbN、TaN、ZrN或它们的混晶构成，上述隧道势垒层由具有尖晶石结构的以下述的组成式(1)表示的化合物构成。(1)：AxB2Oy，式中，A为非磁性的二价阳离子，表示选自镁及锌中的1种以上的元素的阳离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。
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公开(公告)号：CN111129285A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911030932.X
申请日：2019-10-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供可靠性高的自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器。该自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括：第1铁磁性层；和自旋轨道转矩配线，其第1面面对所述第1铁磁性层，从所述第1铁磁性层的层叠方向上俯视时所述自旋轨道转矩配线的长轴在第1方向上延伸，所述第1面沿与所述第1铁磁性层的层叠方向正交的基准面扩展，所述自旋轨道转矩配线包括：通过所述第1铁磁性层的所述第1方向上的第1端且与所述第1方向正交的第1截断面；和通过所述第1铁磁性层的所述第1方向上的第2端且与所述第1方向正交的第2截断面，所述第1截断面的面积与所述第2截断面的面积不同。
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公开(公告)号：CN107431124B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201680019089.3
申请日：2016-03-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及一种磁阻效应元件。该磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层和被上述第一铁磁性金属层和上述第二铁磁性金属层夹持的隧道势垒层，上述隧道势垒层是阳离子排列不规则的尖晶石结构，上述隧道势垒层以(M1‑xZnx)((T1)2‑y(T2)y)O4的组成式表示，M为Zn以外的非磁性的二价阳离子，T1和T2分别为非磁性的三价阳离子，x和y是以以下的(1)～(5)的组合的组成比作为顶点并以直线连结顶点而成的区域内的组成比，(1)x＝0.2，y＝0.1；(2)x＝0.8，y＝0.1；(3)x＝0.8，y＝1.7；(4)x＝0.6，y＝1.7；(5)x＝0.2，y＝0.7。
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公开(公告)号：CN110419117A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201880001280.4
申请日：2018-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 本发明的一个方式提供一种自旋元件的稳定化方法，在具备沿第一方向延伸的通电部和层叠于所述通电部的一面且包含铁磁性体的元件部的自旋元件中，在环境温度为规定温度的情况下，沿所述通电部的所述第一方向，在规定的等待时间的间隔内，施加规定次以上电流密度为1.0×107A/cm2以上且1.0×109A/cm2以下，脉宽为规定的范围内的脉冲电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110419116A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201880001275.3
申请日：2018-02-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 本发明的一个方式所涉及的自旋元件的稳定化方法，在具备沿第一方向延伸的通电部和叠层于上述通电部的一面且包含铁磁性体的元件部的自旋元件中，沿上述通电部的上述第一方向，在规定温度中以脉冲施加总时间成为规定时间以上的方式，施加规定电流值以上的电流脉冲。
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公开(公告)号：CN109643690A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052563.7
申请日：2017-12-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 本发明的一个实施方式的磁壁利用型模拟存储元件具备磁化沿第一方向取向的磁化固定层(1)、设置于磁化固定层(1)的一面的非磁性层(2)、相对于磁化固定层(1)夹着非磁性层(2)设置的磁壁驱动层(3)、向磁壁驱动层(3)供给沿第一方向取向的磁化的第一磁化供给单元(4)及供给沿与第一方向相反的第二方向取向的磁化的第二磁化供给单元(5)，第一磁化供给单元(4)及第二磁化供给单元(5)中至少一方是与磁壁驱动层(3)相接且沿相对于磁壁驱动层(3)交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线。
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公开(公告)号：CN109427966A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810997206.4
申请日：2018-08-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的所涉及的自旋流磁化反转元件(100)具备：第1铁磁性金属层(101)，其能够改变磁化的方向；自旋轨道转矩配线层(102)，其接合于第1铁磁性金属层(101)并且在相对于第1铁磁性金属层(101)的法线方向交叉的方向上延伸，自旋轨道转矩配线层(102)包含B、C、Si、P中的至少一种轻元素L、以及Ar、Kr、Xe中的至少一种稀有气体元素。
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公开(公告)号：CN109196675A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201880001991.1
申请日：2018-02-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/10 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明的铁磁性多层膜具备：第一磁化固定层、第一中间层、第二中间层、磁耦合层以及第二磁化固定层。第一磁化固定层和第二磁化固定层通过经由第一中间层、第二中间层以及磁耦合层的交换耦合而反铁磁性耦合；磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir，第一中间层的主元素与磁耦合层的主元素相同，第二中间层的主元素与磁耦合层的主元素不同，第一中间层的厚度为第一中间层的主元素的原子半径的1.5倍以上且3.2倍以下，并且第二中间层的厚度为第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。
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公开(公告)号：CN108780779A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016326.5
申请日：2017-06-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/8239 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/16 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供一种交换偏置利用型磁化反转元件。在该交换偏置利用型磁化反转元件中，具备：反铁磁性驱动层(1)，其由第一区域(1a)和第二区域(1b)及位于这些区域之间的第三区域(1c)构成；磁耦合层(2)，其在第三区域(1c)中与反铁磁性驱动层(1)磁耦合；第一电极层(5)，其与第一区域(1a)接合；以及第二电极层(6)，其与第二区域(1b)接合。
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