压控振荡器
    112.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1812252A

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN200610004546.X

    申请日:2006-01-27

    Inventor: 松浦润一

    CPC classification number: H03B5/366 H03B2201/0208

    Abstract: 使用振荡电路的包括负荷电容器的可变电容器和在MOS晶体管4和5的漏极端子和栅极端子之间产生的静态电容在晶体振荡器3的一端和另一端之间形成DC截断电容器9、10和可变电容器(MOS晶体管)4和5的串联,所述振荡电路具有反馈电阻器1、反相器2和晶体振荡器3,在MOS晶体管4和5中,源极和后栅极端子彼此短路。例如,MOS晶体管4和5的门限电压控制信号通过高频消除电阻器11、12而被输入到漏极端子,并且通过高频消除电阻器7、8而被输入到源极-后栅极端子。另外,通过叠加MOS晶体管4和5的温度特性补偿信号和门限电压控制信号而获得的信号被输入到栅极端子。因此,有可能无区别地确定温度补偿控制电路或外部电压频率控制电路的输出偏压。

    电压控制振荡器
    116.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1196250C

    公开(公告)日:2005-04-06

    申请号:CN02142823.9

    申请日:2002-09-18

    CPC classification number: H03B5/1847 H03B2201/0208 H03B2201/0258

    Abstract: 本发明提供的电压控制振荡器,用于提高振荡频率相对于变容二极管上所施加的控制电压的变化灵敏度,其具有振荡晶体管(1)和变容二极管(3),同时包括与振荡晶体管(1)连接的谐振电路(2)、和切换谐振电路(2)的谐振频率的开关二极管,谐振电路(2)由第一片状导体(14)和第二片状导体(15)构成,第一片状导体使变容二极管(3)的阳极直流接地,第二片状导体使变容二极管(3)的阴极与振荡晶体管结合,开关二极管(7)与第一片状导体(4)高频并联连接,同时阴极接地,通过扼流圈电感器(11)把改变变容二极管(3)的电容值的控制电压施加到变容二极管(3)的阴极与第二片状导体(5)的连接点。

    具有可调谐谐振电路的振荡器

    公开(公告)号:CN1164022C

    公开(公告)日:2004-08-25

    申请号:CN00128495.9

    申请日:2000-11-24

    CPC classification number: H03J5/244 H03B5/08 H03B2201/0208 H03B2201/0258

    Abstract: 一种含有可调谐谐振电路的振荡器,具有用于扩展调谐范围的开关(SD),该开关与两个共同确定谐振电路振荡频率的线圈(L1a,L1b)串联连接。在开关(SD)域中耦合到谐振电路的另一线圈(L2b)用于为开关提供开关电压(US)。在该配置中,第三线圈(L2b)的另一端由射频时用作短路的电容器(C6)耦合到参考电位(G),以从参考电位(G)将开关电压(US)去耦。耦合到开关二极管另一端的是另一部件(L2a),最好是与第三线圈(L2b)同样电感的第四线圈,以耗散开关中压。

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