公开(公告)号：CN111683942B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN201980011489.3

申请日：2019-03-20

Applicant: SK 株式会社

Inventor： 朴基善 ,  李宗昊 ,  金贞美 ,  金美柾

IPC: C07D409/04 ,  C07D409/10 ,  C07D251/24 ,  C07D335/04 ,  H10K85/60 ,  H10K59/12 ,  H10K50/16 ,  H10K50/17 ,  H10K50/18 ,  H10K50/15 ,  H10K50/11

Abstract: 根据本发明，提供能够适用于有机发光器件的电子传输层的化合物、使用该化合物的有机发光器件以及包括该有机发光器件的有机EL显示装置。

公开(公告)号：CN112442372B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202010908291.X

申请日：2020-09-02

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK株式会社

Inventor： 金喆禹 ,  李光国 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  辛姃河 ,  李宗昊 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物，其包括磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物和由以下式1表示的铵盐：[式1]#imgabs0#其中：L1‑L3独立地为取代或未取代的亚烃基，R1‑R4独立地为氢、取代或未取代的烃基基团，以及Xn‑为n价阴离子，其中n为1‑3的整数。

公开(公告)号：CN117025316A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310492038.4

申请日：2023-05-05

Applicant: SK株式会社

Inventor： 梁振锡 ,  赵洙硏 ,  夏政焕

IPC: C11D7/26 ,  G03F7/20 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明的基板处理组合物是用于处理涂布有含金属抗蚀剂组合物的基板的组合物，其包括有机溶剂、有机酸、和添加剂，其中，添加剂包括由槲皮素和/或其衍生物制成的螯合剂。

公开(公告)号：CN116903548A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310327504.3

申请日：2023-03-30

Applicant: SK株式会社

Inventor： 夏政焕 ,  金源晔 ,  金桓辉

IPC: C07D241/12 ,  C07D401/10 ,  C07F9/6509 ,  C07D401/14 ,  C07D403/10 ,  C07D495/04 ,  C07D405/14 ,  C07D409/14 ,  C07D405/10 ,  H10K85/60 ,  H10K85/30 ,  H10K50/17 ,  H10K50/16 ,  H10K50/18

Abstract: 根据本发明，提供能够适用于有机电致发光器件的电子传输层、空穴阻挡层和电荷生成层等的化合物、含有该化合物的用于有机电致发光器件的组合物、使用该化合物的有机电致发光器件、以及包括该有机电致发光器件的显示装置。

公开(公告)号：CN110527511B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201910422918.8

申请日：2019-05-21

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK株式会社

Inventor： 金喆禹 ,  沈由那 ,  李光国 ,  金荣汎 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  C07F7/18 ,  C07F9/6596

Abstract: 一种蚀刻剂组合物，其包括由以下化学式1表示的硅烷化合物：[化学式1]其中R1‑R6独立地为氢、卤素、取代或未取代的C1‑C20烃基、苯基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三C1‑C20烷基甲硅烷基、磷酰基或氰基，L为直接键或C1‑C3亚烃基，A为n价基团，n为1‑4的整数。

公开(公告)号：CN115066427A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202080077240.5

申请日：2020-12-09

Applicant: SK株式会社

Inventor： 金美柾 ,  金贞美 ,  秋明镐

IPC: C07F5/02 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 根据本发明，提供能够适用于有机电致发光器件的电子传输层、电子传输辅助层及发光层等的化合物、使用该化合物的有机电致发光器件及包括上述有机电致发光器件的有机EL显示装置。

公开(公告)号：CN110527512B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201910433994.9

申请日：2019-05-23

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK 株式会社

Inventor： 金喆禹 ,  李帝豪 ,  咸珍守 ,  郭宰熏 ,  李宗昊

IPC: C09K13/06 ,  C07F7/18 ,  C07F9/50 ,  C07F9/6596 ,  C07F9/53

Abstract: 一种蚀刻剂组合物，其包括磷酸和由以下化学式1表示的硅烷化合物：[化学式1]其中A为n价基团，L为C1‑C5亚烃基，R1‑R3独立地为氢、羟基、烃基或烷氧基，其中R1‑R3各自存在或通过杂元素相互连接，n为2‑5的整数。

公开(公告)号：CN115038706A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202080075342.3

申请日：2020-12-01

Applicant: SK株式会社

Inventor： 秋明镐 ,  金贞美 ,  金美柾

IPC: C07D493/14 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 根据本发明，提供能够适用于有机电致发光器件的电子传输层、电子传输辅助层及发光层等的化合物、使用该化合物的有机电致发光器件及包括上述有机电致发光器件的有机EL显示装置。

公开(公告)号：CN111100640B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201911017313.7

申请日：2019-10-24

Applicant: SK新技术株式会社 ,  SK株式会社

Inventor： 金喆禹 ,  沈由那 ,  李帝豪 ,  郭宰熏 ,  金荣汎 ,  赵珍耿

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C07F9/53 ,  C07F9/50 ,  C07F7/18

Abstract: 本发明提供了一种具有高选择比的蚀刻组合物及其制备方法，所述蚀刻组合物能够选择性地去除氮化物膜并使氧化物膜的蚀刻速率最小化。本发明还提供了一种通过使磷酸酐与下式1表示的硅烷化合物反应而制备的蚀刻组合物添加剂，所述蚀刻组合物添加剂的制备方法和包含所述蚀刻组合物添加剂的蚀刻组合物：[式1]

公开(公告)号：CN101228138A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200680013472.4

申请日：2006-04-21

Applicant: SK株式会社

Inventor： 崔溶文 ,  金春佶 ,  姜荣仙 ,  李翰柱 ,  李炫锡 ,  具本澈 ,  李恩豪 ,  任大中 ,  申惟轸

IPC: C07D257/04

CPC classification number: C07D257/04 ,  C07D249/04 ,  C07D401/12 ,  C07D401/14 ,  C07D403/12 ,  C07D405/06

Abstract: 描述了包含氨基甲酰基的吡咯化合物及其药学上可用的盐。该化合物是有效的抗惊厥剂，可用来治疗中枢神经系统疾病，特别是焦虑症、抑郁症、惊厥症、癫痫症、偏头痛、双相性精神障碍、药物滥用、抽烟病、ADHD、肥胖症、睡眠障碍、神经性疼痛、认知缺陷、神经变性、中风和肌肉痉挛。