公开(公告)号：TW200740475A

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：TW096105424

申请日：2007-02-14

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 里米吉斯 格斯卡 REMIGIJUS, GASKA ,  麥克 西爾 MICHAEL, SHUR ,  尤端 布藍柯 YURIY, BILENKO

IPC: A61L

CPC classification number: A61L2/10 ,  A61M16/04

Abstract: 本發明係提供一種用以消毒一裝置(例如:醫療裝置)內之一個或多個中空物件之方法。根據本發明,具有足夠劑量以及一個或多個主波長之紫外光輻射會被產生且被導引至中空物件之內側。該主波長的選擇是為了能夠損害一個或多個可能存在該內側上之目標有機體。該紫外光輻射可以藉由將一結構週期性地插入與抽出該中空物件而傳送。該結構係配置以提供額外的清潔能力,例如抽吸能力,用來移除可能存在該中空物件內的物質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种用以消毒一设备(例如:医疗设备)内之一个或多个中空对象之方法。根据本发明,具有足够剂量以及一个或多个主波长之紫外光辐射会被产生且被导引至中空对象之内侧。该主波长的选择是为了能够损害一个或多个可能存在该内侧上之目标有机体。该紫外光辐射可以借由将一结构周期性地插入与抽出该中空对象而发送。该结构系配置以提供额外的清洁能力,例如抽吸能力,用来移除可能存在该中空对象内的物质。

公开(公告)号：TWI268633B

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：TW094142836

申请日：2005-12-05

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 理米吉斯 格斯卡 REMIGIJUS, GASKA ,  以恩賓 賽恩 IANPING, ZHANG ,  麥克 西爾 MICHAEL, SHUR

IPC: H01L ,  H01S

Abstract: 本發明係提供一種改良之氮基發光異質結構，其包含一電子供應層、一電洞供應層以及一發光結構，該發光結構係配置於該電子供應層以及該電洞供應層之間。此外，該發光結構包含一組阻隔層以及一組量子井。並且，每一阻隔層包含一漸變成份，而每一量子井毗鄰至少一阻隔層。根據本發明之氮基發光異質結構之每一量子井之厚度可被選擇/納入該氮基發光異質結構。一或多個包含一漸變成份之附加層可被包含於該發光結構外側。該等漸變成份層致使電子於進入位於該發光結構之一量子井前失去能量，促進該等電子於該量子井中更有效率地與電洞再結合。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种改良之氮基发光异质结构，其包含一电子供应层、一电洞供应层以及一发光结构，该发光结构系配置于该电子供应层以及该电洞供应层之间。此外，该发光结构包含一组阻隔层以及一组量子井。并且，每一阻隔层包含一渐变成份，而每一量子井毗邻至少一阻隔层。根据本发明之氮基发光异质结构之每一量子井之厚度可被选择/纳入该氮基发光异质结构。一或多个包含一渐变成份之附加层可被包含于该发光结构外侧。该等渐变成份层致使电子于进入位于该发光结构之一量子井前失去能量，促进该等电子于该量子井中更有效率地与电洞再结合。

公开(公告)号：TWI610458B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW104144527

申请日：2012-02-13

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 ,  SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 格斯卡 雷米吉斯 ,  GASKA, REMIGIJUS ,  楊今維 ,  YANG, JINWEI ,  西爾 麥克 ,  SHUR, MICHAEL

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01S2301/173

公开(公告)号：TWI529960B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW101104589

申请日：2012-02-13

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 ,  SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 格斯卡 雷米吉斯 ,  GASKA, REMIGIJUS ,  楊今維 ,  YANG, JINWEI ,  西爾 麥克 ,  SHUR, MICHAEL

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01S2301/173

公开(公告)号：TW201613128A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104144527

申请日：2012-02-13

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 ,  SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 格斯卡 雷米吉斯 ,  GASKA, REMIGIJUS ,  楊今維 ,  YANG, JINWEI ,  西爾 麥克 ,  SHUR, MICHAEL

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01S2301/173

Abstract: 本發明提供一種用於減少一發光裝置之一主動區域中之差排之數目的解決方案。一差排彎折結構可包括於該發光裝置中介於基板與主動區域之間。該差排彎折結構可經組態以(例如)歸因於一足夠量之應變的存在而在差排到達該主動區域之前使差排彎折及/或消滅。該差排彎折結構可包括複數個層，而鄰近層由一材料構成，但該各別材料中之一元素之莫耳分數在兩層之間存在差異。該差排彎折結構可包括至少40對鄰近層，在該等鄰近層之間一元素之莫耳分數相差至少百分之五。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用于减少一发光设备之一主动区域中之差排之数目的解决方案。一差排弯折结构可包括于该发光设备中介于基板与主动区域之间。该差排弯折结构可经组态以(例如)归因于一足够量之应变的存在而在差排到达该主动区域之前使差排弯折及/或消灭。该差排弯折结构可包括复数个层，而邻近层由一材料构成，但该各别材料中之一元素之莫耳分数在两层之间存在差异。该差排弯折结构可包括至少40对邻近层，在该等邻近层之间一元素之莫耳分数相差至少百分之五。

公开(公告)号：TW201304185A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：TW101104589

申请日：2012-02-13

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 ,  SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 格斯卡 雷米吉斯 ,  GASKA, REMIGIJUS ,  楊今維 ,  YANG, JINWEI ,  西爾 麥克 ,  SHUR, MICHAEL

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01S2301/173

Abstract: 本發明提供一種用於減少一發光裝置之一主動區域中之差排之數目的解決方案。一差排彎折結構可包括於該發光裝置中介於基板與主動區域之間。該差排彎折結構可經組態以(例如)歸因於一足夠量之應變的存在而在差排到達該主動區域之前使差排彎折及/或消滅。該差排彎折結構可包括複數個層，而鄰近層由一材料構成，但該各別材料中之一元素之莫耳分數在兩層之間存在差異。該差排彎折結構可包括至少40對鄰近層，在該等鄰近層之間一元素之莫耳分數相差至少百分之五。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用于减少一发光设备之一主动区域中之差排之数目的解决方案。一差排弯折结构可包括于该发光设备中介于基板与主动区域之间。该差排弯折结构可经组态以(例如)归因于一足够量之应变的存在而在差排到达该主动区域之前使差排弯折及/或消灭。该差排弯折结构可包括复数个层，而邻近层由一材料构成，但该各别材料中之一元素之莫耳分数在两层之间存在差异。该差排弯折结构可包括至少40对邻近层，在该等邻近层之间一元素之莫耳分数相差至少百分之五。

公开(公告)号：US20250015228A1

公开(公告)日：2025-01-09

申请号：US18895936

申请日：2024-09-25

Applicant: Sensor Electronic Technology, Inc.

Inventor： Maxim S. Shatalov ,  Alexander Dobrinsky

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/10 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62

Abstract: A semiconductor heterostructure for an optoelectronic device with improved light emission is disclosed. The heterostructure can include a first semiconductor layer having a first index of refraction n1. A second semiconductor layer can be located over the first semiconductor layer. The second semiconductor layer can include a laminate of semiconductor sublayers having an effective index of refraction n2. A third semiconductor layer having a third index of refraction n3 can be located over the second semiconductor layer. The first index of refraction n1 is greater than the second index of refraction n2, which is greater than the third index of refraction n3.

公开(公告)号：US12125940B2

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：US17372992

申请日：2021-07-12

Applicant: Sensor Electronic Technology, Inc.

Inventor： Maxim S. Shatalov ,  Alexander Dobrinsky

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/10 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/04 ,  H01L33/10

Abstract: A semiconductor heterostructure for an optoelectronic device with improved light emission is disclosed. The heterostructure can include a first semiconductor layer having a first index of refraction n1. A second semiconductor layer can be located over the first semiconductor layer. The second semiconductor layer can include a laminate of semiconductor sublayers having an effective index of refraction n2. A third semiconductor layer having a third index of refraction n3 can be located over the second semiconductor layer. The first index of refraction n1 is greater than the second index of refraction n2, which is greater than the third index of refraction n3.

公开(公告)号：US12100779B2

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：US17703140

申请日：2022-03-24

Applicant: Sensor Electronic Technology, Inc.

Inventor： Joseph Dion ,  Devendra Diwan ,  Brandon A Robinson ,  Rakesh B Jain

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: A heterostructure with reduced optical losses is disclosed. The heterostructure includes a set of n-type layers; an active region that generates radiation at a peak emitted wavelength; and a set of p-type layers located adjacent to the active region. A reflective structure can be located adjacent to the set of p-type layers. A thickness of the set of p-type layers can be configured to promote constructive interference of the reflected radiation with radiation emitted by the active region in a direction toward the set of n-type layers.

公开(公告)号：US12011514B2

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：US17688218

申请日：2022-03-07

Applicant: Sensor Electronic Technology, Inc.

Inventor： Arthur Peter Barber, III

IPC: A61L2/08 ,  A61L2/00 ,  A61L2/10 ,  A61L2/24 ,  A61N5/06 ,  G01N21/64

CPC classification number: A61L2/24 ,  A61L2/0047 ,  A61L2/0052 ,  A61L2/084 ,  A61L2/088 ,  A61L2/10 ,  A61N5/0624 ,  G01N21/6447 ,  G01N21/6456 ,  A61L2202/11 ,  A61L2202/122 ,  A61L2202/14 ,  A61L2202/24 ,  A61N2005/0626 ,  A61N2005/0661 ,  A61N2005/0662

Abstract: An illuminator comprising more than one set of ultraviolet radiation sources. A first set of ultraviolet radiation sources operate in a wavelength range of approximately 270 nanometers to approximately 290 nanometers. A second set of ultraviolet radiation sources operate in a wavelength range of approximately 380 nanometers to approximately 420 nanometers. The illuminator can also include a set of sensors for acquiring data regarding at least one object to be irradiated by the first and the second set of ultraviolet radiation sources. A control system configured to control and adjust a set of radiation settings for the first and the second set of ultraviolet radiation sources based on the data acquired by the set of sensors.