公开(公告)号：CN112993148B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202011422090.5

申请日：2020-12-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 犬伏和海 ,  中田胜之 ,  市川心人

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85

Abstract: 本发明提供能够降低磁致伸缩的磁阻效应元件。该磁阻效应元件包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一者包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层。

公开(公告)号：CN118380246A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410066436.4

申请日：2024-01-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 堀川俊之 ,  黄基浩

IPC: H01F27/28 ,  H01F27/30 ,  H01F27/24

Abstract: 本发明提供能够容易地进行第一线圈与第二线圈之间的耦合度的调节的小型的线圈装置。线圈装置(1)具有：第一线圈(10)和第二线圈(20)；设置有第一线圈(10)和第二线圈(20)且彼此组合的多个绕线架(30)和(40)；和安装在多个绕线架(30)和(40)的芯(50a)。芯(50a)具有：一对外脚部(52)；位于一对外脚部(52)之间的中脚部(53)；和位于外脚部(52)中的一个外脚部与中脚部(53)之间的突起(54)。第二线圈(20)以包围中脚部(53)和突起(54)的方式配置在与第一线圈(10)不同的范围。

公开(公告)号：CN118339500A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280079991.X

申请日：2022-03-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 麻谷崇史

IPC: G02B27/02 ,  G02B27/01

Abstract: 本投影模块(10000)是能够在视网膜投影显示装置中使用且能够通过移动机构移动的投影模块，包括：激光模块(1000)，其具有多个激光芯片；准直透镜(2000)，其使来自激光模块(1000)的光成为平行光线；和光扫描器件(3000)，其改变来自准直透镜(2000)的光的方向来进行扫描，激光模块(1000)、准直透镜(2000)和光扫描器件(3000)之间的相对位置被固定。

公开(公告)号：CN118295126A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311835047.5

申请日：2023-12-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福泽英明 ,  水野友人 ,  小卷壮 ,  A·赫什马提 ,  林杰曙

IPC: G02B26/08 ,  G02B26/10 ,  G02B27/01 ,  G03B21/20 ,  G03B21/28 ,  H01S5/183 ,  H04N9/31

Abstract: 本发明提供在将激光发光元件和镜分别搭载于基板之后能够进行光轴调整的光学模块、图像投影用光学引擎、眼镜显示器、被检体检查装置、光学模块的制造方法。光学模块具有：激光光源部，其在第一基板的一个主面形成有激光发光元件；镜部，其在第二基板的一个主面形成有光扫描镜元件，所述第一基板和所述第二基板经由金属接合层接合，使从所述激光发光元件出射的激光在所述光扫描镜元件反射。

公开(公告)号：CN118263013A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311805426.X

申请日：2023-12-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 黑田朋史

IPC: H01F27/30 ,  H01F27/24 ,  H01F27/28

Abstract: 本公开涉及一种复合电感器及使用其的DC‑DC转换器。在电感器中，当经由各端子部施加电压时，电流流过第1线圈导体和第2线圈导体的各个，此时，有时在第1线圈导体和第2线圈导体之间产生耦合。但是，在电感器中，由于设置有第1磁性体，因此抑制第1线圈导体和第2线圈导体之间的耦合，此外，由于追加设置有一对第2磁性体，因此能够实现高的电感。

公开(公告)号：CN118262986A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311790683.0

申请日：2023-12-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 古田敦

IPC: H01F1/053

Abstract: 本发明涉及一种R‑T‑B系永久磁铁，其含有稀土元素、过渡金属元素、硼及M。作为稀土元素至少含有Nd及Pr。M为选自Al、Cu、Ga及Zr中的1种以上。将稀土元素的含量设为TRE，将Pr的含量除以TRE得到的值设为Pr/TRE，TRE为29.00质量％以上31.00质量％以下，重稀土元素的含量为0质量％以上0.20质量％以下，Pr/TRE为0.30以上0.50以下，硼的含量为0.90质量％以上1.00质量％以下，碳的含量为0质量％以上0.10质量％以下，氧的含量为0质量％以上0.15质量％以下，氮的含量为0质量％以上0.15质量％以下，M的含量为0.30质量％以上1.50质量％以下。

公开(公告)号：CN118241176A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410365960.1

申请日：2021-07-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  C23C14/34 ,  C23C16/54 ,  G06F30/27 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明以提供能够减少成膜所需要的时间的成膜系统、工厂系统和晶圆的成膜方法为目的。本实施方式所涉及的成膜系统具有成膜装置和计算机，上述成膜装置具有能够设置多个成膜材料的成膜腔室，上述计算机具有基于包含伊辛模型或QUBO的计算模型，预测在设定了成膜材料的配置的情况下成膜所需要的时间的计算区域。

公开(公告)号：CN118202429A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073481.1

申请日：2022-11-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 河村弘树 ,  工藤光 ,  三轮将史

IPC: H01F1/057 ,  B22F3/00 ,  C22C38/00

Abstract: 一种R‑T‑B系永久磁铁，其含有Al、Ga及Zr。R的含量为30.00质量％以上33.00质量％以下，B的含量为0.70质量％以上0.88质量％以下，Al的含量大于0质量％且为0.07质量％以下，Ga的含量为0.40质量％以上1.00质量％以下，Zr的含量大于0.10质量％且为1.60质量％以下。

公开(公告)号：CN113447866B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202110324244.5

申请日：2021-03-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  小林尚史

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明提供一种磁传感器及其制造方法。该磁传感器包括MR元件和支承部件。支承部件的上表面包含倾斜部。MR元件包含MR元件主体、下部电极和上部电极。下部电极具有离倾斜部的下端部最近的第一端部和离倾斜部的上端部最近的第二端部。MR元件主体配置在与第一端部相比离第二端部更近的位置。

公开(公告)号：CN118136363A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311621242.8

申请日：2023-11-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川口裕一 ,  吉川和弘 ,  西川朋永 ,  藤井直明 ,  陈利益

IPC: H01F5/00 ,  H01F5/06 ,  H01F41/04

Abstract: 本发明涉及一种提高端子电极与磁性素体的绝缘性，并且降低导体柱与端子电极的连接电阻的线圈部件。线圈部件(1)具备埋入磁性素体(M)的线圈部(3)和导体柱(P1)、覆盖安装面(4)的覆盖绝缘膜(21)、以及经由开口(21a)与导体柱(P1)连接的端子电极(E1)。端子电极(E1)包括：导体层(31)，其经由开口(21a)与导体柱(P1)接触；和导体层(32)，其由电阻值比导体层(31)低的导电材料构成，覆盖导体层(31)的表面，并且经由开口(31a)与导体柱(P1)接触。由此，能够提高端子电极(E1)与磁性素体(M)的绝缘性，并且能够降低导体柱(P1)与端子电极(E1)的连接电阻。