-
公开(公告)号：CN102084022A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980125968.4
申请日：2009-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/246 , C23C14/20 , C23C14/562 , H01M4/0421 , H01M4/1395 , H01M6/40 , H01M10/052
Abstract: 使从蒸发源(9)飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置(33)沉积于基板(21)上使得在基板(21)上形成薄膜。在使含有薄膜的原料的块状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔化的同时，将熔化了的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为块状材料(32)，使用内包有多个孔隙的硅材料(32)。优选孔隙具有比大气压低的平均内部压力。更优选平均内部压力为0.1大气压以下。
-
公开(公告)号：CN101356669B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200780001184.1
申请日：2007-10-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/139 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/582 , H01M4/5825 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/025 , H01M2004/027 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明涉及一种非水电解质二次电池用负极的制造方法，其包括如下3个步骤：A)在集电体上沉积负极活性物质以制作负极；B)对该负极进行热处理；C)在B)步骤之后，将锂赋予给负极活性物质。
-
公开(公告)号：CN101946021A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105706.1
申请日：2009-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C16/466
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置。该薄膜形成装置(100)具有：真空槽(1)；设置在真空槽(1)内并向面对成膜源(27)的规定成膜位置(4)供给长条的衬底(8)的衬底输送机构(40)；环形带(10)，其能够与由衬底输送机构(40)进行的衬底(8)的供给相对应地运行，并以在直线输送中的衬底(8)的表面上形成薄膜的方式沿着环形带(10)自身的外周面限定成膜位置(4)处的衬底(8)的输送路径；形成在环形带(10)上的贯通孔(16)；衬底冷却单元(30)，其从运行中的环形带(10)的内周侧通过贯通孔(16)向环形带(10)和衬底(8)的背面之间导入冷却气体。
-
公开(公告)号：CN101821422A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110929.2
申请日：2008-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/246 , B22D11/10 , B22D11/143 , C23C14/30 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供能够以低成本进行成膜的成膜方法和成膜装置。本发明的成膜方法包括：(i)将薄膜的固体原料(51)熔融，形成熔融液，使该熔融液(51a)凝固，形成棒状体(51b)，将该棒状体(51b)拉出的工序；(ii)使棒状体(51b)的一部分熔融，向熔融液(蒸发源)(51d)供给的工序；和(iii)使用熔融液(蒸发源)(51d)形成薄膜的工序。并且，工序(i)、(ii)和(iii)在真空中进行。
-
公开(公告)号：CN101276906B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810008627.6
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01N23/223 , C23C14/10 , C23C14/545 , C23C14/562 , G01N2223/076 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池及其负极的检查方法、制造方法、负极的检查装置及制造装置，特别涉及将硅(Si)和硅化合物等具有高容量密度的活性物质用于负极的非水电解质二次电池的性能的稳定化。在所述非水电解质二次电池用负极的检查方法中，将X射线照射于活性物质层上，其中所述活性物质层在由包含铜、镍、钛、铁之中的至少任一种的金属构成的集电体上，且由硅、或能够以电化学的方式嵌入和脱嵌锂离子的组成已知的硅化合物构成；并且对由所述活性物质层产生的荧光X射线中的、作为集电体中含有的金属的荧光X射线的Cu Kα线、Ni Kα线、Ti Kα线、Fe Kα线之中的任一种的衰减量进行测定。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101241986B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810090052.7
申请日：2005-11-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/485 , H01M4/0419 , H01M4/0421 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/525 , H01M2004/021 , H01M2004/027
Abstract: 用于本发明锂离子二次电池的负极包括集电器和该集电器上承载的活性材料层。该活性材料层包含硅和氧。在该活性材料层的厚度方向上，活性材料的氧比在与该集电器接触的活性材料层一侧高于不与该集电器接触的活性材料层一侧。所述活性材料层不含粘着剂。通过采用上述负极，可提供大容量的锂离子二次电池，其具有优异的高速充放电特性和优异的循环特性。
-
公开(公告)号：CN101276905B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810008620.4
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/04
CPC classification number: H01M4/04 , H01M4/485 , H01M4/58 , H01M4/583 , H01M4/661 , H01M10/05 , H01M2004/027
Abstract: 本发明涉及电池及其负极的制造方法、负极的制造装置，特别涉及将硅(Si)和硅化合物等具有高容量密度的活性物质用于负极的非水电解质二次电池的性能的稳定化。在所述电池用负极的制造方法中，在集电体上形成含有金属元素M、和选自氧、氮、碳之中的至少任一种的元素A的活性物质层。向该活性物质层照射X射线，对由活性物质层产生的荧光X射线中元素A的Kα线的强度和金属元素M的Kα线的强度中的至少一个进行测定。使用了根据本发明的制造方法而制作的负极的电池作为移动通信设备、便携式电子设备等的主电源是有用的。
-
公开(公告)号：CN1523619B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410005521.2
申请日：1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种无论层叠厚度如何、可使表面特性良好、层叠体中不含异物、以满足薄膜化和高性能化的要求的层叠体，和一种超小型电容器。本发明的层叠体，包括元件层、层叠在元件层两侧上的加强层和在加强层两侧上层叠的保护层。其中，元件层是由电介质层、和层叠在电介质层的单面上、由带状的电气绝缘部分所区分的第1金属薄膜层和第2金属薄膜层构成的数层层叠单位，而邻接的层叠单位中电气绝缘部分的层叠位置不同，每隔一层的层叠单位中电气绝缘部分的层叠位置在元件层整体上不在同一位置。或者元件层是由电介质层、和层叠在电介质层的单面上除了存在于电介质层表面一端上的带状电气绝缘部分以外的部分上的金属薄膜层构成的层叠单位，而邻接的层叠单位中电气绝缘部分位于互为相反一侧层叠出数层，每隔一层的层叠单位中电气绝缘部分的宽度在元件层整体上不同。加强层是由树脂层、和层叠在树脂层的单面上、由带状的电气绝缘带所区分的第1金属层和第2金属层构成的层叠单位构成；或者是由树脂层、和层叠在树脂层的单面上除了存在于树脂层表面一端上的带状电气绝缘带之外的部分上的金属层构成的层叠单位构成。
-
公开(公告)号：CN101714631A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910260899.X
申请日：2006-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M4/66 , H01M4/48 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0423 , H01M4/0426 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M2004/021 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y10T29/49115
Abstract: 一种锂二次电池用负极，具备片状集电体和担载于所述集电体上的活性物质层，所述活性物质层含有多数的柱状粒子，所述活性物质层含有选自含硅和氧的化合物、含硅和氮的化合物、不与锂形成合金的金属元素M与硅的合金、以及它们的组合之中的至少1种，所述柱状粒子相对于所述集电体的法线方向倾斜，所述柱状粒子之间存在空隙，所述活性物质层中的包含所述空隙在内的全部空隙的比例，即空隙率P为10％≤P≤70％。
-
公开(公告)号：CN1975944B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200610143245.5
申请日：1998-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/32051 , C23C14/04 , H01L21/283 , H05K3/0079 , H05K3/048 , H05K3/1241 , H05K3/146
Abstract: 一种形成薄膜的方法，在该方法中，在真空中在支撑体上形成金属等的薄膜时，在薄膜的形成之前，从喷嘴孔作为蒸汽流在薄膜上施加形成图形用的构图材料并在支撑体上附着了该液化物之后形成薄膜，这样来施加构图材料，使得从多个喷嘴孔施加的构图材料在支撑体上进行一体化。可形成即使图形宽度变宽、在图形端部处的模糊程度也小的图形。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
150
records
(took 0.046 seconds)
