公开(公告)号：CN1070052A

公开(公告)日：1993-03-17

申请号：CN92110004.3

申请日：1992-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC: G02F1/00

Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。

公开(公告)号：CN1560691B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410058974.1

申请日：1993-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28158 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。

公开(公告)号：CN100521119C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610099734.5

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN100502046C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510054408.8

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上包括硅的半导体膜，所述半导体膜包括沟道区；在所述半导体膜中的一对高电阻率区，所述沟道区介于所述一对高电阻率区之间，其中所述一对高电阻率区包括第一浓度的一种导电类型的杂质；在所述半导体膜中与所述一对高电阻率区相邻的一对杂质区，其中所述一对杂质区包括高于所述第一浓度的第二浓度的同样导电类型的杂质；在所述沟道区上的栅电极，栅绝缘膜介于其间，其中所述栅电极部分地与每个所述一对高电阻率区重叠，其中每个所述一对杂质区包括镍硅化物。

公开(公告)号：CN100442532C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510009188.7

申请日：1993-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导器件。

公开(公告)号：CN100350627C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN99120259.7

申请日：1994-05-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136

Abstract: 在除图像元素部分之外的无定形硅薄膜上，在预定的外围电路部分的区域内引入镍，以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后，用掺杂法形成源、漏和沟道，用激光照射改善结晶。之后，形成电极/引线。因此，获得有源矩阵型液晶显示器，它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT)，由结晶薄膜构成，其晶体在平行于载流子流的方向里生长，在图像元素部分里的TFT。由无定形硅薄膜构成。

公开(公告)号：CN1967791A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610101420.4

申请日：1993-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105

Abstract: 一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或羟基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常熟高和耐压得到改善。

公开(公告)号：CN1305107C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN01116633.9

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化。

公开(公告)号：CN1921069A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610101655.3

申请日：1993-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  石原浩朗

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: G02B27/09 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5813 ,  C23C16/56 ,  G02B27/0966 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种用激光束照射半导体层的激光加工装置，其特征在于，它包括：一个激光器，用于发射具有截面的激光束；扩展器件，用于只在截面的长度方向扩展激光束，其中激光束在长度方向的光强分布同时为所述扩展器件所均匀化，所述扩展器件至少有一个柱面透镜阵列和一个只在长度方向会聚激光束的凸透镜；支撑器件，用于支撑用扩展过的激光束处理的衬底；移动器件，用于在扩展过的激光束截面的宽度方向移动所述衬底。

公开(公告)号：CN1299331C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN01133094.5

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。