公开(公告)号：KR1019950001620B1

公开(公告)日：1995-02-27

申请号：KR1019910024258

申请日：1991-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 염병렬 ,  강상원 ,  이경수

IPC: H01L35/00

Abstract: The method includes the steps of growing a SixGe1-x thin film (1) on a silicon substrate (4), growing a Ge thin film (2) on the SixGe1-x thin film (1), and growing a GaAs thin film (3) on the Ge thin film (2), thereby forming the SixGe1-x and Ge thin films (1,2) between the Si substrate and the GaAs layer to reduce the lattice mismatch between Si and GaAs.

Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在硅衬底（4）上生长SixGe1-x薄膜（1），在SixGe1-x薄膜（1）上生长Ge薄膜（2），并生长GaAs薄膜 3），从而在Si衬底和GaAs层之间形成SixGe1-x和Ge薄膜（1,2），以减少Si和GaAs之间的晶格失配。

公开(公告)号：KR100082487B1

公开(公告)日：1995-02-17

申请号：KR1019910024259

申请日：1991-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 염병렬 ,  강상원 ,  이경수

IPC: H01L29/68

公开(公告)号：KR100079470B1

公开(公告)日：1994-11-22

申请号：KR1019910024518

申请日：1991-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 염병렬 ,  강상원 ,  이경수

IPC: H01L29/73

公开(公告)号：KR100079468B1

公开(公告)日：1994-11-22

申请号：KR1019910024509

申请日：1991-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 염병렬 ,  강상원 ,  이경수

IPC: H01L29/73

公开(公告)号：KR1019930015149A

公开(公告)日：1993-07-23

申请号：KR1019910024258

申请日：1991-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 염병렬 ,  강상원 ,  이경수

IPC: H01L35/00

Abstract: 본 발명은 규소저매늄/저매늄을 완충층으로 하여 규소기판상의 갈륨비소층을 형성하기 위한 박막성장방법에 관한 것이다.
그 제조방법은 규소기판(4)상에 규소저매늄 박막(1)을 성장하되 저매늄의 분자함량을 점증시켜 에너지띠 단격이 규소에서 재매늄값으로 변화될 때 성장하는 공정과, 상기 규소저매늄 박막(1)상에 저매늄 박막(2)을 성장하는 공정과, 상기 저매늄 박막(2)상에 갈륨비소층(3)을 형성하는 공정을 포함하여, 상기 규소기판(4)과 갈륨비소층(3) 사이에 있는 규소저매늄 박막(1)과 저매늄 박막(2)을 완충층으로 한다.

公开(公告)号：KR1019930015052A

公开(公告)日：1993-07-23

申请号：KR1019910024508

申请日：1991-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 염병렬 ,  강상원 ,  이경수

IPC: H01L29/73

Abstract: 내용 없음