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公开(公告)号：CN108738371A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201880000876.2
申请日：2018-02-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/82 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC classification number: H01F10/16 , H01F10/32 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 该磁化反转元件具有：铁磁性金属层；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，上述铁磁性金属层位于上述自旋轨道转矩配线的一个面上，从上述自旋轨道转矩配线注入上述铁磁性金属层的自旋的方向相对于上述铁磁性金属层的磁化的方向交叉，上述铁磁性金属层的阻尼常数大于0.01。
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公开(公告)号：CN108011038A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711002917.5
申请日：2017-10-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/065 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L43/04 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种磁记录性优异且磁化反转所需的电流量小的自旋轨道转矩型磁阻效应元件。该自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备：磁阻效应元件，其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，与上述第二铁磁性金属层接合，上述第二铁磁性金属层的磁化的朝向为上述磁阻效应元件的层叠方向，上述第二铁磁性金属层具有形状各向异性，沿着上述第一方向的长度比沿着与上述第一方向及上述层叠方向正交的第二方向的长度更长。
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公开(公告)号：CN108011037A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710999831.8
申请日：2017-10-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够容易地磁化反转的自旋轨道转矩型磁化反转元件。该自旋轨道转矩型磁化反转元件具备：铁磁性金属层，其磁化方向变化；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸并与上述铁磁性金属层接合，在从上述第一方向观察时，以穿过上述铁磁性金属层的第二方向上的中心的轴为基准，上述自旋轨道转矩配线在上述第二方向为非对称，其中上述第二方向正交于上述第一方向及上述层叠方向。
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公开(公告)号：CN107431124A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019089.3
申请日：2016-03-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及一种磁阻效应元件。该磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层和被上述第一铁磁性金属层和上述第二铁磁性金属层夹持的隧道势垒层，上述隧道势垒层是阳离子排列不规则的尖晶石结构，上述隧道势垒层以(M1-xZnx)((T1)2-y(T2)y)O4的组成式表示，M为Zn以外的非磁性的二价阳离子，T1和T2分别为非磁性的三价阳离子，x和y是以以下的(1)～(5)的组合的组成比作为顶点并以直线连结顶点而成的区域内的组成比，(1)x＝0.2，y＝0.1；(2)x＝0.8，y＝0.1；(3)x＝0.8，y＝1.7；(4)x＝0.6，y＝1.7；(5)x＝0.2，y＝0.7。
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公开(公告)号：CN105745761A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480063796.3
申请日：2014-11-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L29/66984 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L29/0843 , H01L29/0895 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，其具备：半导体通道层(7)，经由第1隧道层(81A)配置于半导体通道层上的磁化固定层(12A)，经由第2隧道层(81B)配置于半导体通道层上的磁化自由层(12B)，半导体通道层实质上由包含了与第1隧道层的界面的第1区域(7A)、包含了与第2隧道层的界面的第2区域(7B)、第3区域(7C)构成，第1区域和第2区域的杂质浓度为超过1×1019cm?3的浓度，第3区域的杂质浓度为1×1019cm?3以下，第1区域和第2区域隔着第3区域而分离，第1区域和第2区域的杂质浓度分别从半导体通道层与第1隧道层的界面以及半导体通道层与第2隧道层的界面单调地在半导体通道层的厚度方向上减少。
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公开(公告)号：CN102194466B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110045918.4
申请日：2011-02-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G01R33/1284 , B82Y25/00 , G01R33/093
Abstract: 本发明提供一种磁性传感器、磁性检测装置以及磁头。本发明的磁性传感器具备第一强磁性体(12A)、第二强磁性体(12B)、从第一强磁性体(12A)延伸至第二强磁性体(12B)的通道(7)、覆盖通道(7)的隔磁套(S2)、被设置于通道(7)与隔磁套(S2)之间的绝缘膜(7b)；隔磁套(S2)具有朝着通道(7)延伸的贯通孔(H)。
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公开(公告)号：CN113614920B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202080007489.9
申请日：2020-03-05
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
Abstract: 本实施方式的磁记录阵列(200)具备多个自旋元件(100)和与相邻的第一自旋元件和第二自旋元件连接的共用晶体管(STr)，所述多个自旋元件分别具有配线(20)和层叠于所述配线的包含第一铁磁性层(1)的层叠体(10)，所述共用晶体管具有第一栅极(G1)、第二栅极(G2)、第一区域(A1)、第二区域(A2)和第三区域(A3)，在从所述层叠体的层叠方向俯视时，所述第一区域被所述第一栅极和所述第二栅极夹着，所述第二区域和所述第一区域夹着所述第一栅极，所述第三区域和所述第一区域夹着所述第二栅极，所述第二区域和第三区域中的一者与所述第一自旋元件连接，另一者与所述第二自旋元件连接。
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公开(公告)号：CN118241176A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410365960.1
申请日：2021-07-05
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明以提供能够减少成膜所需要的时间的成膜系统、工厂系统和晶圆的成膜方法为目的。本实施方式所涉及的成膜系统具有成膜装置和计算机，上述成膜装置具有能够设置多个成膜材料的成膜腔室，上述计算机具有基于包含伊辛模型或QUBO的计算模型，预测在设定了成膜材料的配置的情况下成膜所需要的时间的计算区域。
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公开(公告)号：CN118120034A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202280007548.1
申请日：2022-09-30
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的自旋电感器具有第一电感器层、第一端子以及第二端子。第一电感器层具备第一配线层、和与第一配线层相接的第一铁磁性层。第一端子与第一电感器层的第一侧面相接。第二端子与第一电感器层的与第一侧面不同的第二侧面相接。将上述第一侧面的上端边和下端边相连的假想面相对于上述层叠方向倾斜。
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公开(公告)号：CN118076211A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410413558.6
申请日：2018-10-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件。本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和位于所述自旋轨道转矩配线的一个面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线的侧面和所述第一铁磁性层的侧面在任一侧面形成连续的倾斜面。本发明在制作时能够抑制杂质再附着，使写入电流容易流动。
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