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公开(公告)号：CN101645481A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910140670.2
申请日：2005-02-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/223 , H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L33/007 , H01S5/0202 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。
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公开(公告)号：CN101569069A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001217.7
申请日：2008-05-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/227 , B82Y20/00 , H01L33/145 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/2223 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3072 , H01S5/3077 , H01S5/3211 , H01S5/3432
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。
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公开(公告)号：CN101505036A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910001675.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/185
Abstract: 稳定实现CW光输出200mW以上的集成型双波长半导体激光器。双波长半导体激光器装置具备：第1半导体激光器元件，具备第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第2引导层、和第2导电型的第2包覆层；和第2半导体激光器元件，具备第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的第4引导层、和第2导电型的第4包覆层。至少构成第1量子阱活性层的势垒层、第1引导层及第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下。
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公开(公告)号：CN100477421C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610101777.2
申请日：2006-07-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3216
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。
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公开(公告)号：CN100388576C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410039739.X
申请日：2004-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻
CPC classification number: H01S5/2231 , G11B7/123 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0421 , H01S5/1014 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221
Abstract: 本发明提供了远场图(FFP)的光轴稳定化的、在高输出下也可以进行基横模振荡的半导体激光器装置。另外，提供了FFP光轴稳定化的、在高输出下也可以通过基横模振荡进行工作的光学拾取装置。半导体激光器装置在由化合物半导体构成的倾斜衬底上形成，包含有源层和夹着该有源层的两个包覆层，所述包覆层中的一个形成台面状的脊，所述脊包含所述脊的底部的宽度基本固定的第一区域、及所述脊的底部的宽度连续变化的第二区域，所述第二区域位于所述第一区域和光路上的端面之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101156285A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680011679.8
申请日：2006-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藏本恭介
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3406 , H01S5/34333 , H01S2301/185 , H01S2304/04
Abstract: 本发明所涉及的半导体发光元件具有：由氮化镓系化合物半导体构成的活性层；与活性层相比设置在p层一侧，由受到拉伸变形的Inx1Aly1Ga1－x1－y1N(0≤x1≤1、0≤y1≤1)构成的第1半导体层；由能带间隙比第1半导体层小的Inx2Aly2Ga1－x2－y2N(0≤x2≤1、0≤y2≤1)构成的第2半导体层；位于第1半导体层和第2半导体层之间，由能带间隙比第1半导体层的能带间隙小、比第2半导体层的能带间隙大的Inx3Aly3Ga1－x3－y3N(0≤x3≤1、0≤y3≤1)构成的第3半导体层。
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公开(公告)号：CN101123343A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710141399.5
申请日：2007-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 衬底上具有多个发光部的半导体激光器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置，在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A)，是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B)，是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，Al∶Ga的组成比依次分别为：X1∶1－X1、X2∶1－X2、X3∶1－X3、X4∶1－X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。
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公开(公告)号：CN100364192C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200480002108.9
申请日：2004-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/2216 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III-V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III-V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III-V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III-V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III-V族化合物半导体成长的工序(D)。
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公开(公告)号：CN101005193A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710001309.2
申请日：2007-01-09
Applicant: 优迪那半导体有限公司
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/34326 , H01S2301/185
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成化合物半导体层，该化合物半导体层具有以下结构，第一导电类型包层、有源层、第二导电类型包层依次层叠在基板上，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及在所述复合半导体中的波导内，在要成为端面的区域中形成低折射率区域，来自所述波导的输出光从该端面出射，所述低折射率区域具有比所述波导中的其他区域更低的等效折射率。形成所述低折射率区域的所述步骤包括以下步骤：确定所述低折射率区域在所述波导的纵向方向上的宽度从而将所述半导体发光器件的输出光的发射角控制为期望值；以及形成具有该宽度的所述低折射率区域。
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公开(公告)号：CN1945365A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610142293.2
申请日：2006-06-16
Applicant: 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , G02B6/131 , H01S5/1231 , H01S5/1237 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34366 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本器件是一种包括生长面、生长掩膜、光波导核心台面结构和包层的光电子器件或透明波导器件。生长掩膜位于半导体面上，并且限定了具有周期性光栅轮廓的细长生长窗口。光波导核心台面结构位于生长窗口中，并且具有梯形的截面形状。包层覆盖了光波导核心台面结构，并且在生长掩膜的至少一部分上延伸。通过下述来制造这样的器件：提供包括生长面的晶片，通过微选择区域生长在第一生长温度在生长面上生长光波导核心台面结构，以及在比第一生长温度低的第二生长温度利用包层材料来覆盖光波导核心台面结构。
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