-
公开(公告)号:KR1019970706221A
公开(公告)日:1997-11-03
申请号:KR1019970701779
申请日:1995-09-13
Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니
Inventor: 밀러,랄프,뉴톤 , 디쉐르,마크,리차드 , 마흘러,배리,애셔 , 무쓰,올라가판
IPC: C07C19/08 , C07C17/20 , C07C17/383
-
公开(公告)号:KR1019970706054A
公开(公告)日:1997-11-03
申请号:KR1019970701711
申请日:1995-09-11
Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니
Inventor: 엑크만,토마스,존
IPC: B01D63/02
Abstract: 본 발명은 복수의 중공 섬유 막을 포함하는 카트리지에 관한 것이다. 카트리지는 다발 내에 배열된 복수의 섬유(2O)와 튜브 시트(30) 내에 내장된 적어도 하나의 다발 단부를 포함한다. 튜브 시트(3O)는 투과물에 챔버를 제공하기 위해 단부캡(28)이 부착된다. 공급 튜브(36)는 다발을 통해 종방향으로 연장되고, 투과물 방출 튜브(40)는 공급 튜브(36) 내에서 양호하게는 동심원적으로 수용된다. 카트리지는 압력 용기(10)의 내벽에 대비한 O-링과 같은 고압 밀봉부가 불필요하다. 카트리지는 압력 용기(10)에 단일 드롭-인 설치가 적합한 단일 유니트로 형성된다. 다수의 카트리지는 압력 용기(1O)에 용이하게 설치될 수 있고, 연속적으로 또는 평행하게 조작하도록 배열될 수 있다. 중공 섬유 막 카트리지는 높은 용량 효능 및 높은 용질 거부성과 같은 공업적인 효과 달성에 적합하다.
-
公开(公告)号:KR100126538B1
公开(公告)日:1997-10-15
申请号:KR1019940700331
申请日:1992-08-03
Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니
Inventor: 헬드,알퐁스,니콜라우스
IPC: C09J7/02
-
公开(公告)号:KR100126488B1
公开(公告)日:1997-10-15
申请号:KR1019890012856
申请日:1989-09-06
Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니
Inventor: 쿠르트한스바이스
IPC: B01D39/04
-
公开(公告)号:KR1019970705531A
公开(公告)日:1997-10-09
申请号:KR1019970701157
申请日:1995-08-16
Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니
Inventor: 파텐,윌리엄,데이비드 , 우레,알랜,맥퍼슨
Abstract: 테레프탈산과 같은 방향족 디카르복실산을 그의 전구체(예 : p-크실렌)를 액상 산화시켜서 제조하는 방법에 있어서, 수성 지방족 카르복실산으로 이루어지는 오버헤드 스트림(10)은 함수량을 감소시키기 위하여 컬럼(12)내에서 공비 증류된다. 공비 증류는 비말 동반체 단독(22)의 환류물을 사용하여 비말 동반체를 거의 함유하지 않으며 예정량의 잔류수를 함유하는 기저 생성물(34)를 수득하기 위하여 비말 동반체 통과를 조절하면서 행할 수 있다. 오버헤드 스트림 중에 존재하는 임의의 방향족 디카르복실산 전구체는 컬럼으로 도입되는 공급물(10)의 도입점 근방의 위치(24)에서 제거됨으로써 지방족 디카르복실산으로부터 분리된다. 기저생성물(34)중의 물의 양은 공비 증류 컬럼의 하부 영역으로의 별도의 수 공급물(76)의 조절에 의해 제어될 수 있다. 또한, 기저 생성물 중의 함수량을 제어하고 컬럼으로의 공급물의 손실시 컬럼 조작을 유지하기 위하여 (라인(22)를 통한) 환류 속도의 조절을 이용할 수 있다.
-
公开(公告)号:KR100119326B1
公开(公告)日:1997-07-31
申请号:KR1019910005787
申请日:1991-04-11
Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니
IPC: H01B1/16
-
公开(公告)号:KR100118923B1
公开(公告)日:1997-07-25
申请号:KR1019920014482
申请日:1992-08-12
Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니
Inventor: 윌리암에이취.모리슨,쥬니어
-
公开(公告)号:KR100118316B1
公开(公告)日:1997-07-16
申请号:KR1019930703399
申请日:1992-03-12
Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니
Inventor: 브루노,살바토르에이. , 번,이안
-
公开(公告)号:KR1019970703623A
公开(公告)日:1997-07-03
申请号:KR1019960706862
申请日:1995-05-25
Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니
Inventor: 라우바쳐다니엘브루스 , 팡필립쉐크와
IPC: H01L39/24
Abstract: 본 발명은 무정형 불소중합체 테플론
T-1 AF를 패턴화하고, 고온 초전도체 막을 부동태화하는 방법 및 무정형 불소중합체 테플론
T-2 막을 갖는 개선된 전자 장치를 공개한다.-
公开(公告)号:KR100116503B1
公开(公告)日:1997-06-17
申请号:KR1019930003281
申请日:1993-03-05
Applicant: 이.아이.듀우판드네모아앤드캄파니
Inventor: 리나이혹크
IPC: H01R9/00
-
-
-
-
-
-
-
-
-