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公开(公告)号：CN102509733A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110320098.5
申请日：2006-08-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/14645 , H01L27/3227 , H01L27/3253 , H01L27/3288 , H01L2227/326 , Y10S257/918
Abstract: 本发明涉及发光装置及其制造方法。为了防止在形成发光装置期间的点缺陷和线缺陷，从而提高成品率。设置在不同基板上面的发光元件和发光元件的驱动电路被电连接。即，发光元件和发光元件的驱动电路先形成在不同的基板上面，然后被电连接。通过在不同的基板上面设置发光元件和发光元件的驱动电路，可分开进行形成发光元件的步骤和形成发光元件驱动电路的步骤。因此，可增加每个步骤的自由度，且该处理能够被弹性地改变。此外，能够比传统技术减少用于形成发光元件表面上的台阶(凹凸不平之处)。
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公开(公告)号：CN101097391B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200710138449.4
申请日：2003-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02B26/026 , G02F1/133305 , G02F1/1368 , G02F1/1676 , G02F1/1681 , G02F2001/1678 , G02F2201/123 , G09F9/372 , G09G3/344 , H01L51/0097 , H01L51/0545
Abstract: 显示器件及其制作方法本发明的目的是提供一种宜于大量生产，重量轻和可弯曲的显示器件。显示器件包括含有TFT的象素单元，TFT的有源层包括用于在绝缘层的开口部分内形成沟道部分的有机半导体材料，安排成与栅电极相符合。象素单元还包括形成在连接到TFT的电极上方的根据施加的电场改变反射率的对比介质；或者包括根据施加的电场改变反射率的含有带电粒子的一些微胶囊。象素单元由塑料衬底夹住，包括无机绝缘材料的阻挡层提供在塑料衬底和象素单元之间。
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公开(公告)号：CN102460721A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080025840.3
申请日：2010-05-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1896 , H01L31/043 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H02S40/38 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不使制造工序复杂化而提高机械强度的光电转换装置。所述光电转换装置包括：具备光电转换功能的第一单元；具备光电转换功能的第二单元；将第一单元及第二单元牢固接合的包括纤维体的结构体。其结果，pin结与其中使纤维体浸渍有机树脂的结构体即所谓的预浸料贴合，所以可以在抑制制造成本的同时实现提高机械强度的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN101599533B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910139560.4
申请日：2005-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , G02F1/133604 , H01L27/3237 , H01L33/382 , H01L51/5036 , H01L51/5088 , H01L51/5203 , H01L51/5212 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5262 , H01L51/5278 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种当发光系统具有很大面积时在发光区域具有良好亮度均匀性的发光系统。根据本发明的一个特征，发光系统包括第一电极、第二电极、形成于第一电极和第二电极之间的包含发光物质的层、形成于基底上的呈栅格形式且含有荧光物质的绝缘层、和形成于绝缘层上的布线。绝缘层和布线被第一电极覆盖，由此第一电极和布线相互接触。
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公开(公告)号：CN1909751B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200610110927.6
申请日：2006-08-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/14645 , H01L27/3227 , H01L27/3253 , H01L27/3288 , H01L2227/326 , Y10S257/918
Abstract: 为了防止在形成发光装置期间的点缺陷和线缺陷，从而提高成品率。设置在不同基板上面的发光元件和发光元件的驱动电路被电连接。即，发光元件和发光元件的驱动电路先形成在不同的基板上面，然后被电连接。通过在不同的基板上面设置发光元件和发光元件的驱动电路，可分开进行形成发光元件的步骤和形成发光元件驱动电路的步骤。因此，可增加每个步骤的自由度，且该处理能够被弹性地改变。此外，能够比传统技术减少用于形成发光元件表面上的台阶(凹凸不平之处)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102231368A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110193390.5
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，可以高生产率且高成品率地在大面积衬底上制造高性能的半导体元件及集成电路。当从单晶半导体衬底(键合片)转置单晶半导体层时，通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀刻(也称为形成槽的加工)来形成分成为多个的单晶半导体层，然后将该多个单晶半导体层转置到异种衬底(支撑衬底)，该单晶半导体层的尺寸是所制造的半导体元件的尺寸。因此，可以在支撑衬底上形成多个岛状单晶半导体层(SOI层)。
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公开(公告)号：CN102199745A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110102107.3
申请日：2006-09-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/0021 , C23C14/042 , C23C14/246 , C23C14/26 , C23C14/28 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/568 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种沉积装置，该沉积装置设置有与在其上沉积薄膜的衬底相对的并能够根据衬底表面而移动的蒸发源，还设置有用于将蒸发材料供给至蒸发源的工具(蒸发材料供给工具)。由移动工具支持蒸发源，该移动工具能够扫描其上沉积薄膜的衬底表面。该蒸发材料供给工具使用下述方法：通过气流供给蒸发材料粉末的方法、将蒸发材料溶解或分散在溶剂中并雾化该材料液体而进行供给的方法、或者以棒状、线状、粉末状以及通过机械机构附着到柔性薄膜的状态供给蒸发材料的方法。
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公开(公告)号：CN102184891A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110062354.5
申请日：2004-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07749 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。
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公开(公告)号：CN1525393B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200410007026.5
申请日：2004-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K19/02
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07749 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法。用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。
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公开(公告)号：CN101950749A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010241495.9
申请日：2006-03-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L21/84 , H01L23/49855 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q9/0407 , H01Q9/27 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备。本发明提供一种具有高机械强度的无线芯片。而且，本发明还提供了一种能够防止电波被阻挡的无线芯片。在本发明的无线芯片中，通过各向异性导电粘合剂将具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层固定到天线，并将薄膜晶体管连接到天线。天线具有介电层、第一导电层、和第二导电层；第一导电层与第二导电层之间是介电层；第一导电层用作发射电极；第二电极用作接地体。
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