公开(公告)号：KR1019970013646A

公开(公告)日：1997-03-29

申请号：KR1019950026271

申请日：1995-08-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종욱 ,  정태성

IPC: H03F3/00

Abstract: 본 발명은 와이드 입력범위를 가진 차동증폭회로에 관한 것으로서, 특히 기준전압신호(Vrefn)가 게이트에 인가되는 제1 엔모스 트랜지스터; 입력전압신호(Vinn)가 게이트에 인가되는 제2 엔모스 트랜지스터; 제1 노드와 제1 엔모스 트랜지스터의 드레인사이에 드레인/소오스가 연결되고 제2 엔모스 트랜지스터의 드레인에 게이트가 연결된 제1 피모스 트랜지스터; 제1 노드와 상기 제2엔모드 트랜지스터의 드레인사이에 드레인/소오스가 연결되고 제1 엔모스 트랜지스터의 드레인에 게이트가 연결된 제2 피모스 트랜지스터; 제1노드와 전원전압사이에 드레인/소오스가 연결되고 인에이블신호가 게이트에 인가되는 제3 피모스 트랜지스터; 및 부전압신호를 발생하여 제1 및 제2 엔모스 트랜지스터들의 공통 소오스에 인가하는 부전압발생부를 구비한 것을 특징으로 한다. 따라서, 차동증폭 회로의 입력범위를 전원전압으로부터 접지전압까지로 확장하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR1019960032496A

公开(公告)日：1996-09-17

申请号：KR1019950002007

申请日：1995-02-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종욱 ,  임영호

IPC: G11C16/06

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
열 리던던씨를 가지는 불휘발성 반도체 메모리의 소거검증회로.
2. 발명이 헤결하려고 하는 기술적 과제
오프된 노말 비트라인의 발생에 관계없이 신뢰성 있게 동작할 수 있는 불휘발성 반도체 메모리의 제공.
3. 발명의 해결방법의 요지
소거검증동작중 오프된 노말 비트라인과 접속된 데이터래치에 저장된 페일 데이터를 패스 데이터로 변경시키는 수단을 제공함.
4. 발명의 중요한 용도
개인용 컴퓨터등의 영구메모리.
※선택도：제1도