-
公开(公告)号：KR101890753B1
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：KR1020110127225
申请日：2011-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B01L3/502715 , B01L2300/0654 , B01L2300/0816 , G01N21/6452 , G01N2021/0314 , G01N2021/0325 , G01N2021/058 , G01N2021/6463
Abstract: 유전자분석장치가개시된다. 개시된유전자분석장치는여기광을샘플솔루션에조사하는조명광학계; 상기샘플솔루션의바이오반응공간을형성하는것으로, 반사패턴이형성된하나이상의미세챔버를구비하는미세유체소자; 상기미세챔버내에서의바이오반응에의해발생한형광신호를검출하기위한것으로, 광검출기를구비하는검출광학계;를포함한다.
-
公开(公告)号：KR3007912930000S
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：KR3020140038865
申请日：2014-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Designer： 정원석 , 브라운 제프리 , 웨트로스 존 트래비스 , 치앙 조이스 징-링 , 올드필드 카일 , 최수신
-
-
-
公开(公告)号：KR101776776B1
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：KR1020110052400
申请日：2011-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/645 , G01N21/6445
Abstract: 여기광과형광사이의크로스토크또는인접한파장대역의형광들사이의크로스토크를효과적으로감소시킬수 있으며반사된여기광에의한노이즈를감소시킬수 있는형광검출광학계및 이를포함하는다채널형광검출장치가개시된다. 개시된형광검출광학계는여기광을방출하는광원, 특정편광성분의광만을통과시키는편광자, 특정편광성분의광을통과시키고나머지편광성분의광을반사하는편광빔스플리터, 선편광을원편광으로변환하고원편광을선편광으로변환하는 1/4 파장판등을포함할수 있다. 개시된형광검출광학계는이러한편광소자들을이용하여특정편광성분의여기광과형광만을통과시키거나차단함으로써, 광학적으로크로스토크를최소화할수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170001488A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020150091562
申请日：2015-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F9/4416 , G06F3/0622 , G06F3/0632 , G06F3/067 , G06F8/654 , G06F9/4403 , G06F9/4406 , G06F11/1417 , G06F11/2094 , G06F21/44 , G06F21/572 , G06F21/575 , G06F21/73 , G06F2221/2153
Abstract: 다양한실시예에따른외장메모리를구비하는전자장치는무선통신부; 전자장치를식별하기위하여설정된고유정보및 상기전자장치에전원이켜질때 로드되는제 1 부팅영역으로구성된내장메모리; 업데이트가능한펌웨어를저장하는펌웨어저장영역및 상기펌웨어저장영역을업데이트하기위한펌웨어업데이트정보저장영역,으로구성된외장메모리; 및상기전자자치의부팅시, 상기외장메모리에저장된전자장치의정보와상기내장메모리에저장된전자장치의정보를비교하여, 상기비교결과에따라전자장치의정보가일치하지않으면, 상기펌웨어업데이트저장영역에저장된데이터를참조하여상기펌웨어저장영역의상기펌웨어를교체하도록제어하는제어부;를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本公开的各种实施例的具有外部存储器的电子设备可以包括无线通信单元; 配置有用于识别电子设备的特定信息的内部存储器，以及当向电子设备供电时加载的第一引导区域; 配置有用于存储与电子设备相对应的固件的固件存储区域的外部存储器和用于更新固件存储区域的固件更新信息存储区域; 以及控制单元，被配置为将存储在外部存储器中的电子设备信息和存储在内部存储器中的电子设备信息进行比较，并且被配置为基于存储在固件更新信息存储区域中的数据来控制以更改固件存储区域中的固件，如果 电子设备信息在启动电子设备时不一样。
-
公开(公告)号：KR1020160069596A
公开(公告)日：2016-06-17
申请号：KR1020140175184
申请日：2014-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11565 , H01L27/11512 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 셀영역과주변영역을갖는기판, 상기기판의셀 영역상에게이트들이적층된, 그리고적어도하나의계단형측면을갖는게이트스택, 상기게이트스택을관통하며메모리막으로둘러싸인채널, 그리고상기게이트스택으로부터이격되고, 상기기판상에이격배치된적어도두 개의더미패턴들을포함한다.
Abstract translation: 半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：具有单元区域和周围区域的衬底; 具有堆叠在所述基板的单元区域上的栅极的栅极堆叠，其中所述栅极堆叠具有至少一个台阶侧; 通道，其穿过栅极堆叠并被记忆膜包围; 以及至少两个与栅极堆叠分离并且分别布置在基板上的虚拟图案。 因此，半导体器件可以提高产量。
-
公开(公告)号：KR1020150136156A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：KR1020140062887
申请日：2014-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/28008 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/7812 , H01L29/7813
Abstract: 본발명의실시형태에따른메모리장치는, 기판의상면에수직하는방향으로연장되는채널영역과, 상기채널영역에인접하도록상기기판상에적층되는복수의게이트전극층및 복수의절연층을갖는셀 영역, 및상기셀 영역의주변에배치되며, 상기기판상에배치되는복수의회로소자를갖는주변회로영역을포함하고, 상기셀 영역및 상기주변회로영역에서상기기판상에배치되는층간절연층은, 상기복수의게이트전극층중 적어도일부와상기복수의회로소자를덮는제1 층간절연층및 상기제1 층간절연층상에배치되는제2 층간절연층을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的存储器件包括：在垂直方向上延伸到衬底的上表面的沟道区，具有堆叠在衬底上以与沟道区相邻并且绝缘的栅极电极层的单元区域 以及围绕单元区域布置并具有布置在基板上的电路装置的外围电路区域。 布置在单元区域和外围电路区域中的基板上的层间电介质包括覆盖至少一部分栅电极层和电路器件的第一层间电介质和布置在第一层间电介质上的第二层间电介质。
-
公开(公告)号：KR3008114300000S
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR3020140038858
申请日：2014-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Designer： 정원석 , 베어 매튜 제임스 , 브라이슨 나데즈다 린지 , 로저 니콜라스 , 프리처드 킨달 랜스 , 최수신
-
公开(公告)号：KR3008104550000S
公开(公告)日：2015-08-18
申请号：KR3020140038859
申请日：2014-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Designer： 정원석 , 베어 매튜 제임스 , 브라이슨 나데즈다 린지 , 로저 니콜라스 , 프리처드 킨달 랜스 , 최수신
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
214
records
(took 0.032 seconds)
