公开(公告)号：CN117479817A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311700087.9

申请日：2017-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10B61/00

Abstract: TMR元件具备：参照层；隧道势垒层；垂直磁化感应层；以及在层叠方向上层叠于隧道势垒层和垂直磁化感应层之间的磁化自由层，垂直磁化感应层对磁化自由层赋予沿着层叠方向的方向的磁各向异性，磁化自由层具有比隧道势垒层的宽度和垂直磁化感应层的宽度的任一者都小的宽度。

公开(公告)号：CN117059145A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311091101.X

申请日：2018-02-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平

IPC: G11C11/16 ,  H10N50/10 ,  H10B61/00 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明的一个实施方式提供一种数据的写入方法，其中，在具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和功能部的自旋轨道转矩型磁阻效应元件中，将所述自旋轨道转矩配线的沿所述第一方向施加的电压设为环境温度下的临界写入电压以上且规定值以下的电压，其中，所述功能部层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面，并从所述自旋轨道转矩配线侧起具备第一铁磁性层、非磁性层和第二铁磁性层。

公开(公告)号：CN113130736B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202110338414.5

申请日：2017-10-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平

IPC: H10N50/10 ,  H10B61/00 ,  H10N59/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够容易地磁化反转的自旋轨道转矩型磁化反转元件。该自旋轨道转矩型磁化反转元件具备：铁磁性金属层，其磁化方向变化；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸并与上述铁磁性金属层接合，在从上述第一方向观察时，以穿过上述铁磁性金属层的第二方向上的中心的轴为基准，上述自旋轨道转矩配线在上述第二方向为非对称，其中上述第二方向正交于上述第一方向及上述层叠方向。

公开(公告)号：CN111226324B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201780095962.1

申请日：2017-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明提供一种TMR元件，该TMR元件(1)具备磁隧道接合元件部(2)和设置于磁隧道接合元件部的侧面且含有绝缘材料的侧壁部(17)，磁隧道接合元件部具有：参照层(3)、磁化自由层(7)、在层叠方向上层叠于参照层和磁化自由层之间的隧道势垒层(5)、以及层叠于磁化自由层的与隧道势垒层侧相反侧的盖层(9)，侧壁部含有绝缘材料，具有覆盖磁隧道接合元件部的参照层、隧道势垒层、磁化自由层、及盖层中的至少一个侧面的第一区域(R1)，第一区域含有构成磁隧道接合元件部的参照层，隧道势垒层，磁化自由层，及盖层中的至少一个层的元素(除氧以外)中的至少一种作为含有元素。

公开(公告)号：CN110895953B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN201910858790.X

申请日：2019-09-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  柴田龙雄

IPC: G11C11/16 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明的一个方式的储备池元件包括：包含非磁性的导电体的自旋传导层；相对于自旋传导层位于第1方向，且在从上述第1方向俯视时彼此隔着间隔地配置的多个铁磁性层；和与上述自旋传导层的上述铁磁性层电连接的多个连通配线。

公开(公告)号：CN109937475B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201780014410.3

申请日：2017-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  田中美知

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85

Abstract: TMR元件具备：设置于通路配线部的上表面上的基底层、设置于基底层的表面上的磁隧道接合部、以及覆盖通路配线部及基底层的侧面的层间绝缘层，基底层具有应力缓和部，磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于参照层与磁化自由层之间的隧道势垒层，层间绝缘层包含绝缘材料。

公开(公告)号：CN115568273A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211213418.1

申请日：2017-04-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生

IPC: H10N50/10 ,  H10N52/85 ,  G11C11/15 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明所涉及的磁壁利用型模拟存储元件(100)具备：磁壁驱动层(1)，具有磁壁(DW)、第1区域(1a)、第2区域(1b)、位于第1区域与第2区域之间的第3区域(1c)；磁化固定层(5)，经由非磁性层(6)被设置于第3区域；下部电极层(4)，在第3区域的设置有磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于从俯视图看与磁化固定层相重叠的位置。

公开(公告)号：CN110024149B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201780015599.8

申请日：2017-11-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 唐振尧 ,  佐佐木智生

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明提供一种TMR元件，其具备：磁隧道接合部、覆盖磁隧道接合部的侧面的侧壁部、以及设置于侧壁部内的微粒子区域，侧壁部包含绝缘材料，微粒子区域包含上述绝缘材料和分散于该绝缘材料内的多个磁性金属微粒子，微粒子区域与磁隧道接合部并联地电连接。

公开(公告)号：CN109196675B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201880001991.1

申请日：2018-02-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  田中美知

IPC: H01L43/10 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明的铁磁性多层膜具备：第一磁化固定层、第一中间层、第二中间层、磁耦合层以及第二磁化固定层。第一磁化固定层和第二磁化固定层通过经由第一中间层、第二中间层以及磁耦合层的交换耦合而反铁磁性耦合；磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir，第一中间层的主元素与磁耦合层的主元素相同，第二中间层的主元素与磁耦合层的主元素不同，第一中间层的厚度为第一中间层的主元素的原子半径的1.5倍以上且3.2倍以下，并且第二中间层的厚度为第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。

公开(公告)号：CN114628575A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111499478.X

申请日：2021-12-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平 ,  石谷优刚 ,  滨中幸祐 ,  小村英嗣

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供以较少的电流进行动作的磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法。该磁化旋转元件包括自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第1铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包括多个配线层，在与所述自旋轨道转矩配线的长度方向正交的截面中，各个配线层的截面积与电阻率之积，越是接近所述第1铁磁性层的所述配线层越大。