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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES QUARZGLASTIEGELS
    131.
    发明授权
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES QUARZGLASTIEGELS 有权
    用于生产石英玻璃坩埚

    公开(公告)号：EP1159227B1

    公开(公告)日：2005-08-17

    申请号：EP00990741.1

    申请日：2000-12-14

    Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG

    Inventor： WERDECKER, Waltraud ,  LEIST, Johann

    IPC: C03B19/09 ,  C30B15/10 ,  C30B35/00 ,  C03C3/06

    CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/09 ,  C03B19/095 ,  C03B2201/04 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/80 ,  C30B15/10 ,  C30B35/002 ,  Y10S65/04 ,  Y10T428/131

    Abstract: The invention relates to a crucible characterized in that said crucible is of high purity and high opacity or exhibits low transmission characteristics in the IR range and is derived from a quartz glass crucible known in prior art. Said crucible known in prior art has a crucible body which is symmetrical about a rotational axis and said body is made of opaque quartz glass, whereby the crucible has an outer zone (3) made of opaque quartz glass which projects radially inwards to an inner zone (2) made of transparent quartz glass having a density of at least 2.15 g/cm . The crucible body (1) is made of a synthetic SiO2 granulate with a specific surface (according to BET) in the range of 0.5 m /g to 40 m /g and having a stamp density of at least 0.8 g/cm and is produced from an at least partially porous agglomerate of SiO2 primary particles. A method for producing said quartz glass crucible is characterized according to the invention in that during the production of said crucible, an at least partially porous agglomorate of synthetically produced SiO2 granulate made of SiO2 primary particles is produced having a specific surface (according to BET) in the range of 0.5 m /g to 40 m /g and a stamp density of at least 0.8 g/cm . Heating is performed in such a manner that a vitrification front progresses from the inside to the outside of an inner zone (4) made of transparent quartz glass.

    Single-wafer heat-treatment apparatus and method of manufacturing reactor vessel used for same
    137.
    发明公开
    Single-wafer heat-treatment apparatus and method of manufacturing reactor vessel used for same 失效
    用于单窗格和使反应器容器为方法中的热处理的装置

    公开(公告)号：EP0715342A2

    公开(公告)日：1996-06-05

    申请号：EP95118865.5

    申请日：1995-11-30

    Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH ,  SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.

    Inventor： Aoyama, Masaaki ,  Miyazawa, Hiroyuki

    IPC: H01L21/00 ,  C23C16/46 ,  F27B17/00

    CPC classification number: H01L21/67098 ,  C03B19/095 ,  C03C3/06 ,  C03C11/007 ,  C03C2201/80 ,  C23C16/46 ,  C23C16/54 ,  C30B25/08 ,  Y02P40/57

    Abstract: A wafer heat-treatment apparatus is known, comprising a reactor vessel having a ceiling portion and a side portion, and heater or heaters installed outside or inside the reactor vessel, whereby a single wafer is disposed at a predetermined position in the vessel for heat-treatment by means of heat from the heater or heaters. To provide a single-wafer heat-treatment apparatus with securement of enough strength in heat-treatment of a semiconductor wafer of an enlarged diameter of as large as 8 inches to 12 inches and improved working efficiency in exchange of wafers and facilitation of operation in a single-wafer heat-treatment, it is suggested that at least a heated region of the reactor vessel is manufactured as substantially a single quartz glass body with no welded portion, and at least a part of the heated region is translucent or opaque by bubbles distributed almost throughout the bulk of the region.

    Abstract translation: 一种晶片热处理装置是已知的，其包括具有外部或反应器容器，由此单个晶片被在预定的位置设置在所述容器用于热内部安装的天花板部和侧部，并且加热器或多个加热器的反应器容器 治疗通过加热从加热器或加热器。 以提供具有在热处理的一样大8英寸到12英寸扩大的直径的半导体晶片的足够的强度固定一单晶片热处理装置和改进的在一个晶片的交换和便利操作的工作效率 单晶片热处理，建议并至少在反应器容器的被加热的区域是基本上制造的单石英玻璃体与无焊接部，并且至少所述加热区域的至少一部分是由分布式气泡半透明的或不透明 几乎在整个本体区域。

    UV-Sensor
    138.
    发明公开
    UV-Sensor 失效
    紫外线传感器。

    公开(公告)号：EP0653613A1

    公开(公告)日：1995-05-17

    申请号：EP94116151.5

    申请日：1994-10-13

    Applicant: Heraeus Xenotest GmbH

    Inventor： Krönert, Dr. Uwe ,  Kellner, Frank ,  Rudolph, Bernd

    IPC: G01J1/42

    CPC classification number: G01J1/429 ,  B22C9/12 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/23 ,  C03C3/06 ,  C03C11/00 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/80 ,  C03C2203/52 ,  C30B35/002

    Abstract: Um einen bekannten UV-Sensor, mit einem eine Eintrittsöffnung für die UV-Strahlung aufweisenden Gehäuse, in dem ein Fotodetektor für die Messung der durch die Eintrittsöffnung einfallenden UV-Strahlung angeordnet ist und mit einem, in Richtung der einfallenden UV-Strahlung vor dem Fotodetektor angeordnetem, SiO₂-haltigen Streuelement, so zu verbessern, daß er über längere Zeit stabile und reproduzierbare Meßergebnisse liefert und daß er einfach und wirtschaftlich herstellbar ist, wird vorgeschlagen, daß das Streuelement Quarzglas enthält, mit inneren Grenzflächen, deren Orientierung im Raum statistisch homogen verteilt ist.

    Abstract translation: 一种已知的UV传感器，其具有壳体，其具有用于UV辐射的入口，其中壳体布置有用于测量通过入口开口入射的UV辐射的光电检测器，并且具有布置在 光电检测器在入射紫外线方向上含有SiO2。 为了改进已知的UV传感器，使得其提供可重复的测量结果，其在较长时间内是稳定的并且可以简单和经济地制造，所以提出散射元件包含具有内部边界的石英玻璃（熔融石英） 在空间方向统计均匀分布的表面。

    Formkörper mit hohem Gehalt an Siliziumdioxid und Verfahren zur Herstellung solcher Formkörper
    139.
    发明公开
    Formkörper mit hohem Gehalt an Siliziumdioxid und Verfahren zur Herstellung solcher Formkörper 失效
    具有二氧化硅和方法的用于制造这种模塑制品的高含量的模塑制品。

    公开(公告)号：EP0653381A1

    公开(公告)日：1995-05-17

    申请号：EP94113614.5

    申请日：1994-08-31

    Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH

    Inventor： Moritz, Stephan ,  Englisch, Wolfgang, Dr.

    IPC: C03B19/06

    CPC classification number: C03C17/02 ,  B22C9/12 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/23 ,  C03C3/06 ,  C03C11/00 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/80 ,  C03C2203/52 ,  C30B35/002 ,  G01J1/429 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/1317

    Abstract: Es ist ein Formkörper aus amorphem Siliziumdioxid, der eine chemische Reinheit von mindestens 99,9 % und einen Cristobalitgehalt von höchstens 1 % besitzt und der gasundurchlässig ist, bekannt. Um Formkörper aus amorphem Siliziumdioxid bereitzustellen, die eine hohe Präzision aufweisen, die sowohl von kleinem als auch großem Format und von einfacher bis komplizierter Formgebung sein können, die eine chemische Reinheit von mindestens 99,9 % besitzen, ab Wandstärken von 1 mm gasundurchlässig sind, die eine hohe Kaltbiegefestigkeit, geringe Wärmeleitfähigkeit und geringe Wärmeabstrahlung besitzen, die temperaturwechselbeständig und wiederholt oder auch langzeitig Temperaturen im Bereich von 1000 bis 1300 °C aussetzbar sind und die scharfkantig, ohne verlaufende Verbindungsstellen verschweißbar sind und die eine geringe spektrale Transmission vom ultravioletten bis in den mittleren infraroten Spektralbereich aufweisen, ist der Formkörper opak, enthält Poren, bei einer Wandstärke von 1 mm ist seine direkte spektrale Transmission im Wellenlängenbereich von λ = 190 nm bis λ = 2650 nm praktisch konstant und liegt unterhalb von 10 % und er weist eine Dichte auf, die wenigstens 2,15 g/cm³ beträgt. Es ist ein Verfahren zur Herstellung solcher Formkörper angegeben.

    Abstract translation: 它是无定形二氧化硅的成型体，具有至少99.9％的化学纯度和1％的方石英含量和气体不可渗透的是已知的。 为了提供具有高精确度，其可以既小以及大尺寸的无定形二氧化硅的成型体，并且更容易更复杂的形状，其具有至少99.9％的化学纯度，是不可渗透气体从1mm的壁厚， 高耐寒性，具有低的热导率和低散热性，在1000〜1300℃的范围内的温度可以暴露于热冲击性和反复或长期和不延伸的接头是尖锐可焊接，并具有从紫外线到一个低的光谱透射率 包括中红外光谱范围内，模制体2650纳米是不透明的，包含孔，其特征在于，为1毫米的壁厚的波长范围λ= 190纳米的其直接光谱透射到λ=几乎恒定，并且在10％以下，并将其具有的密度 那 是至少2.15克/立方厘米。 提供了一种用于制造这种模塑制品的方法。

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