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公开(公告)号:CN105093665A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510609220.9
申请日:2015-09-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor: 李颖祎
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/137
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/133528 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/1336 , G02F1/13363 , G02F1/13439 , G02F1/137 , G02F2001/133342 , G02F2001/133531 , G02F2001/133618 , G02F2001/133638 , G02F2001/13793 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2413/02 , G02F2413/05 , G02F2413/08 , G02F1/134309
Abstract: 本发明公开了一种半透半反显示面板和半透半反显示装置。所述半透半反显示面板上形成有反射区和透射区,所述半透半反显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板之间设置蓝相液晶;所述第一基板包括第一衬底基板和位于所述第一衬底基板内侧的像素电极和公共电极,所述像素电极作为位于反射区的反射电极或者所述像素电极和所述公共电极作为位于反射区的反射电极;所述第二基板包括第二衬底基板。本发明的结构无需设置配向膜,从而降低了结构和制造工艺的复杂度。
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公开(公告)号:CN105093619A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510482219.4
申请日:2015-08-03
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 徐向阳
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/13338 , G02F1/133514 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F2001/134345 , G02F2001/134372 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/124 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G02F1/1343 , G02F1/134309 , G02F2001/136295
Abstract: 本发明提供一种IPS型In Cell触控显示面板,包括:阵列基板、CF基板、以及配置于阵列基板与CF基板之间的液晶层;所述阵列基板内包括多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(21),触控扫描电极与所述栅极扫描线(21)共用;所述CF基板靠近液晶层的内侧设有多条与所述栅极扫描线(21)在空间上垂直交叉的触控接收电极(40)。本发明的IPS型In Cell触控显示面板相较于现有的IPS型液晶显示面板不需要增加额外工艺,也不降低面板的开口率,还能降低面板的驱动成本。
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公开(公告)号:CN105068299A
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201510448290.0
申请日:2015-07-27
Applicant: 武汉华星光电技术有限公司
Inventor: 谢畅
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/13363 , G02F1/133514 , G02F1/133533 , G02F1/133555 , G02F1/1368 , G02F2001/133565 , G02F2001/133631 , G02F2001/133638 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F1/1337
Abstract: 本发明公开了一种显示面板及液晶显示器,该显示面板包括:彩膜基板、TFT基板以及彩膜基板和TFT基板之间的液晶层;显示面板分为阵列分布的多个像素区域,每个像素区域包括沿TFT基板垂直方向划分的透射区和反射区,透射区和反射区中的液晶层的厚度相同;在透射区中,液晶层与TFT基板之间或液晶层与彩膜基板之间还设置相位延迟板。通过上述方式,本发明能够减少磨刷工序中液晶配向的不良和暗态漏光,同时可以简化结构,降低工艺难度。
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公开(公告)号:CN105047671A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510184664.2
申请日:2015-04-17
Applicant: 乐金显示有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L21/84 , G02F1/133345 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/13458 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/283 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32133 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3192 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L27/127 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L2021/775 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开提供了一种用于显示装置的阵列基板及其制造方法,并且在源极/漏极金属图案与位于源极/漏极金属图案上方的钝化层之间形成有透明电极图案(ITO),上述源极/漏极金属图案和钝化层形成在用于显示面板的阵列基板的非有源区的钝化孔区中。因此,可以防止由于在钝化孔区中金属层和钝化层之间粘合强度不足而产生的层离现象或钝化层的材料的剥离所引起的显示故障。
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公开(公告)号:CN104992950A
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201510307054.7
申请日:2015-06-05
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , G02F2201/123 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,该方法包括:在衬底上形成像素电极层、栅金属层和源漏金属层,所述像素电极层包括第一连接部图案,所述栅金属层包括第二连接部图案,并且所述源漏金属层包括第三连接部图案;其中,所述第一连接部图案与所述第二连接部图案叠置,所述第一连接部图案超出所述第二连接部图案的部分通过第一过孔与所述第三连接部图案电连接。通过将源漏金属层上的第三连接部图案与像素电极层上的第一连接部图案电连接,取代了将源漏金属层上的第三连接部图案与栅金属层上的第二连接部图案电连接,有效避免了由于第二连接部图案采用低电阻特性的材料时,因其表面氧化影响导电性能的问题。
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公开(公告)号:CN101640221B
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN200910161721.X
申请日:2009-07-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L27/02 , H01L21/34 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78618 , G02F1/133345 , G02F1/133528 , G02F1/134336 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F2201/123 , G09G3/3674 , G09G2310/0286 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 一种半导体装置,其中使用含有In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层,并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间包括设置有缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的缓冲层,来形成欧姆接触。
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公开(公告)号:CN104950531A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201410112360.0
申请日:2014-03-25
Applicant: 深圳莱宝高科技股份有限公司
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F2201/121 , G02F2201/123
Abstract: 本发明涉及平板显示技术领域,尤其涉及一种具有良好广视角效果的显示面板,其至少包括一具有一第一表面的第一基板,所述第一表面上至少设有一像素区域,所述像素区域上形成有像素电极,所述像素电极至少包括电性相连的第一区域和第二区域,所述第一区域上至少具有一第一缝隙,所述第二区域上无任何缝隙。
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公开(公告)号:CN104934421A
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201510350218.4
申请日:2010-09-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/088 , H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/1339 , G02F1/134309 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/3677 , G09G2310/0251 , G09G2310/08 , G09G2330/021 , G11C19/28 , H01L27/088 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明名称为半导体装置和显示装置。本发明的目的就是提供一种具有不容易退化的电路的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置,包括:第一晶体管;第二晶体管;第一开关;第二开关;以及第三开关,其中所述第一晶体管的第一端子连接于第一布线,其第二端子连接于第二布线,所述第二晶体管的栅极及第一端子连接于所述第一布线,其第二端子连接于所述第一晶体管的栅极,所述第一开关连接于所述第二布线和第三布线之间,所述第二开关连接于所述第二布线和所述第三布线之间,并且所述第三开关连接于第一晶体管的栅极和所述第三布线之间。
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公开(公告)号:CN104915081A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201510317116.2
申请日:2015-06-10
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
CPC classification number: G06F3/0412 , G02F1/13338 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G06F3/044 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明实施提供一种阵列基板及其制备方法、触控显示面板,涉及,触控显示技术领域,可提高触控电极的驱动频率。该阵列基板包括:设置在衬底基板上的透明电极以及触控电极连线;所述透明电极包括多个子电极,所述子电极与所述触控电极连线相连;所述触控电极连线包括位于不同层的第一触控电极连线和第二触控电极连线,且第一触控电极连线和第二触控电极连线在所述基板上的投影重叠。用于内嵌自感电容式触控显示器。
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公开(公告)号:CN104914638A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201510355450.7
申请日:2015-06-24
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司 , 武汉华星光电技术有限公司
Inventor: 郝思坤
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/13394 , G02F1/136227 , G02F2001/134372 , G02F2001/136222 , G02F2201/40 , G02F1/134309 , G02F2201/123
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示面板及其阵列基板。该阵列基板包括:第一玻璃基板;第一金属层,设置在第一玻璃基板上,用于形成扫描线以及薄膜场效应管的栅极区;第一绝缘层,设置在第一金属层上;半导体层,设置在第一绝缘层上,用于形成薄膜场效应管的沟道;第二金属层,设置在半导体层上,用于形成薄膜场效应管的源极区、漏极区以及数据线;色阻层,设置在第二金属层和第一绝缘层上,用于形成彩色滤光片;像素电极层,设置在色阻层上,通过色阻层上的通孔与薄膜场效应管的漏极区连接,用于形成像素电极;钝化层,设置在像素电极层上;以及黑色矩阵层,设置在钝化层上,用于形成黑色矩阵。通过以上方式,本发明能够减少制程工序,降低成本。
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