高密度II-VI族化合物半導体成型体及びその製造方法
    131.
    发明申请
    高密度II-VI族化合物半導体成型体及びその製造方法 审中-公开
    高密度II-VI化合物半导体紧凑型及其制造方法

    公开(公告)号:WO2009028642A1

    公开(公告)日:2009-03-05

    申请号:PCT/JP2008/065493

    申请日:2008-08-29

    CPC classification number: C23C14/34 B22F3/08 B22F3/087

    Abstract:  本発明は、結晶子サイズが250Å以下で、相対密度が0.85以上のII-VI族化合物半導体成型体、並びに、(A)凸状の突起を有する台座と、(B)凸状の突起に嵌着されて試料装填部を形成する台座補助具と、(C)衝撃受部材とを含み、(A)台座、(B)台座補助具および(C)衝撃受部材は着脱自在に構成された衝撃ターゲットカプセルに試料を装填し、衝撃波を用いて成型することを特徴とするII-VI族化合物半導体成型体の製造方法を提供する。本発明はまた、試料装填部を有する衝撃ターゲットカプセルを用意し、II-VI族化合物半導体を該試料装填部に装填し、該衝撃ターゲットカプセルに15GPa以上の衝撃波を与えることを特徴とするII-VI族化合物半導体成型体の製造方法をも提供する。

    Abstract translation: 提供II-VI化合物半导体压块和II-VI化合物半导体紧凑制造方法。 II-VI化合物半导体压块的微晶尺寸为250以下,相对密度为0.85以上。 II-VI化合物半导体紧凑型制造方法的特征在于,将材料装载在包括(A)具有突起的基座的冲击目标胶囊中,(B)安装在突起上并构成材料装载部的基座辅助工具, 和(C)冲击接收构件,其结构为(A)基座,(B)基座辅助工具和(C)冲击接收构件是可拆卸的,并且通过使用冲击波形成半导体压块 提供。 还提供了另一种II-VI化合物半导体紧凑制造方法。 该方法的特征在于制备具有材料装载部分的冲击靶胶囊,将II-VI化合物半导体装载在材料装载部分中,并将冲击波胶片15GPa或更大的压力施加到冲击靶胶囊 。

    衝撃ターゲットカプセル及び衝撃圧縮装置
    132.
    发明申请
    衝撃ターゲットカプセル及び衝撃圧縮装置 审中-公开
    影响目标胶囊和冲击压缩机

    公开(公告)号:WO2008029726A1

    公开(公告)日:2008-03-13

    申请号:PCT/JP2007/066992

    申请日:2007-08-31

    CPC classification number: G01N3/04 B30B1/001 G01N3/313 G01N2203/0447

    Abstract:  衝撃圧力を加えて物質の変性を行うにあたり、試料を容易に装填可能で、かつ衝撃圧力を加えた後でも試料を容易に取り出すことができ、しかも繰り返し使用が可能なターゲットカプセルを提供すること。  (A)凸状の突起を有する台座と、(B)凸状の突起に嵌着されて試料装填部を形成する台座補助具と、(C)衝撃受部材とを含んでなる衝撃ターゲットカプセルであって、(A)、(B)および(C)が着脱自在に構成されていることを特徴とする衝撃ターゲットカプセルにより上記課題を解決する。本発明の衝撃ターゲットカプセルによれば、試料を容易に装填可能で、かつ衝撃圧力を加えた後でも試料を容易に取り出すことができ、しかも繰り返し使用が可能であるので、一段式火薬銃または一段式ガス銃と組み合わせて衝撃圧縮装置として好ましく使用される。                                                                                 

    Abstract translation: 提供了可重复使用的目标胶囊,其中样品可以容易地被加载到其中,并且当冲击压力施加到材料变性材料时,即使在接收到冲击压力之后也可以从该容器中取出样品。 冲击目标胶囊包括:(A)具有凸起的基体; (B)基部辅助部件,其附接到所述凸起突起以形成样品加载部分; 和(C)冲击接收构件。 部件(A),(B)和(C)被构造成可自由地安装和拆卸。 由于样品可以容易地装载并且即使在接收到压力之后也可以容易地取出并且可以重复使用,所以它与单级粉末喷枪或单级气枪组合,并且优选用作冲击压缩机 。

    一种爆轰合成用双管连接结构、爆轰式合成装置及其应用

    公开(公告)号:WO2021147805A1

    公开(公告)日:2021-07-29

    申请号:PCT/CN2021/072433

    申请日:2021-01-18

    Abstract: 爆轰合成用双管连接结构、爆轰式合成装置及其应用,爆轰合成用双管连接结构包括驱动管(4)、样品管(2)、固定组件和设置在样品管(2)端口的端塞(7),驱动管(4)套设在样品管(2)外并且驱动管(4)与样品管(2)及端塞(7)之间均存在空腔(3),固定组件在驱动管(4)和样品管(2)的两端;起爆后,爆轰波由上至下传递,在爆轰波作用下,驱动管(4)向样品管(2)做聚心滑移运动并包覆在样品管(2)的顶部端塞(7)、样品管(2)及样品管(2)的底部端塞(7)外。爆轰式合成装置包括上述爆轰合成用双管连接结构;该装置能够使得石墨样品有效转换成高纯度多晶金刚石,转化率可达90%以上;使转化得到的高纯度多晶金刚石完整回收,回收率达100%,利于实现产业化生产。

    ナノダイヤモンド合成用爆薬体
    138.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2018225433A1

    公开(公告)日:2018-12-13

    申请号:PCT/JP2018/017593

    申请日:2018-05-07

    Abstract: 本発明のナノダイヤモンド合成用爆薬体である爆薬体Xは、少なくとも爆薬本体(10)を備え、この爆薬本体(10)は、錐台部(11)と柱状部(12)を有する。錐台部(11)は、起爆部組付け用の穴(H)の開口端を有する上底面(11a)と、上底面(11a)側に仮想頂角θをなす傾斜側面(11b)とを有する。柱状部(12)は、錐台部(11)における上底面(11a)とは反対の側に連なり、且つ、上底面(11a)から離れる方向に延びる。このようなナノダイヤモンド合成用爆薬体は、爆轟法によるナノダイヤモンド合成において収率の向上を図るのに適する。

    爆轟法による炭素粒子の製造方法
    140.
    发明申请
    爆轟法による炭素粒子の製造方法 审中-公开
    爆炸介质碳粒生产方法

    公开(公告)号:WO2015098982A1

    公开(公告)日:2015-07-02

    申请号:PCT/JP2014/084182

    申请日:2014-12-24

    Abstract:  本発明の製造方法においては、爆轟法により炭素粒子を製造するにあたり、2個以下のニトロ基を有する芳香族化合物を含む原料物質の周囲に爆速6300m/s以上の爆発性物質を配置し、前記爆発性物質を爆轟させる。本発明の製造方法によれば、非火薬系原料を用いた爆轟法により、ナノスケールのグラファイト質の炭素とダイヤモンドとを含む炭素粒子を製造できる。また、得られた炭素粒子は、グラファイト質の炭素の質量をG、ダイヤモンドの質量をDとするとき、その質量比G/Dが2.5以上である。

    Abstract translation: 在该制造方法中,为了通过爆炸法制造碳粒子,将具有6300m / s以上的爆震速度的爆炸性物质配置在含有两个硝基以下的芳香族化合物的原料物质的周围,该炸药 物质被引爆。 该制造方法允许通过使用非火药原料的爆炸法制备含有纳米级石墨碳和金刚石的碳颗粒。 另外,得到的碳粒子的G / D质量比为2.5以上,G为石墨碳质量,D为金刚石质量。

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