樹脂組成物、電路基板用積層板、金屬基底電路基板及電力模組
    141.
    发明专利
    樹脂組成物、電路基板用積層板、金屬基底電路基板及電力模組 审中-公开
    树脂组成物、电路基板用积层板、金属基底电路基板及电力模块

    公开(公告)号:TW201835225A

    公开(公告)日:2018-10-01

    申请号:TW107106562

    申请日:2018-02-27

    Abstract: 本發明提供一種樹脂組成物,含有雙酚型氰酸酯樹脂、酚醛清漆型氰酸酯樹脂及硬化促進劑。上述樹脂組成物含有苯并化合物、及具有酚性羥基且源自於苯并化合物之化合物來作為上述硬化促進劑,且具有交聯結構I以及交聯結構II,交聯結構I是由上述雙酚型氰酸酯樹脂與上述酚醛清漆型氰酸酯樹脂交聯而成,交聯結構II是由上述雙酚型氰酸酯樹脂及上述酚醛清漆型氰酸酯樹脂之至少一者與上述具有酚性羥基且源自於苯并化合物之化合物交聯而成。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种树脂组成物,含有双酚型氰酸酯树脂、酚醛清漆型氰酸酯树脂及硬化促进剂。上述树脂组成物含有苯并化合物、及具有酚性羟基且源自于苯并化合物之化合物来作为上述硬化促进剂,且具有交联结构I以及交联结构II,交联结构I是由上述双酚型氰酸酯树脂与上述酚醛清漆型氰酸酯树脂交联而成,交联结构II是由上述双酚型氰酸酯树脂及上述酚醛清漆型氰酸酯树脂之至少一者与上述具有酚性羟基且源自于苯并化合物之化合物交联而成。

    加熱單元
    143.
    发明专利
    加熱單元 审中-公开
    加热单元

    公开(公告)号:TW201715614A

    公开(公告)日:2017-05-01

    申请号:TW105133771

    申请日:2016-10-19

    CPC classification number: H01L21/02 H01L21/3065 H01L21/683 H05B3/18 H05B3/74

    Abstract: 提供一種加熱單元,其具有高程度之溫度之面內均勻性。加熱單元包含第一加熱部、第二加熱部、基材及蓋部。第二加熱部以獨立於第一加熱部之方式而受到控制。基材對應於第一加熱部與第二加熱部之間之區域設置有溝槽。蓋部配置於溝槽之開口端且與溝槽共同形成有密閉空間。而且,加熱單元亦可更包含絕緣層及靜電吸盤。絕緣層覆蓋第一加熱部及第二加熱部。靜電吸盤經由絕緣層而裝設於基材。由蓋部及溝槽所形成之密閉空間亦可為真空。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种加热单元,其具有高程度之温度之面内均匀性。加热单元包含第一加热部、第二加热部、基材及盖部。第二加热部以独立于第一加热部之方式而受到控制。基材对应于第一加热部与第二加热部之间之区域设置有沟槽。盖部配置于沟槽之开口端且与沟槽共同形成有密闭空间。而且,加热单元亦可更包含绝缘层及静电吸盘。绝缘层覆盖第一加热部及第二加热部。静电吸盘经由绝缘层而装设于基材。由盖部及沟槽所形成之密闭空间亦可为真空。

    加熱單元
    144.
    发明专利
    加熱單元 审中-公开
    加热单元

    公开(公告)号:TW201707505A

    公开(公告)日:2017-02-16

    申请号:TW105123189

    申请日:2016-07-22

    CPC classification number: H01L21/683 H05B3/20 H05B3/28

    Abstract: 提供一種半導體製造裝置,其具有高程度之溫度之面內均勻性。加熱單元包含具有冷卻流道之基材、配置於基材上方且具有發熱體之加熱部及配置於基材與加熱部之間之絕熱層。其中,絕熱層之熱傳導率亦可低於基材之熱傳導率。再者,絕熱層亦可為含有氣孔之SUS。此外,加熱單元亦可更包含覆蓋發熱體之絕緣體,絕熱層之熱傳導率亦可低於絕緣體之熱傳導率。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体制造设备,其具有高程度之温度之面内均匀性。加热单元包含具有冷却流道之基材、配置于基材上方且具有发热体之加热部及配置于基材与加热部之间之绝热层。其中,绝热层之热传导率亦可低于基材之热传导率。再者,绝热层亦可为含有气孔之SUS。此外,加热单元亦可更包含覆盖发热体之绝缘体,绝热层之热传导率亦可低于绝缘体之热传导率。

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