公开(公告)号：CN1841527A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610074644.0

申请日：2002-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李坰根 ,  朴仁植 ,  尹斗燮

IPC: G11B7/007 ,  G11B27/19 ,  G11B27/24 ,  G11B27/30

CPC classification number: G11B7/24082 ,  G11B7/0053 ,  G11B7/00718 ,  G11B7/00736 ,  G11B7/00745 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/261 ,  G11B20/1217 ,  G11B20/1403 ,  G11B20/1426 ,  G11B27/24 ,  G11B27/3027 ,  G11B2020/1239 ,  G11B2020/1274 ,  G11B2020/1292 ,  G11B2220/216 ,  G11B2220/235 ,  G11B2220/2562 ,  G11B2220/2575

Abstract: 本发明提供一种光记录和/或再现装置，该装置记录和/或再现来自光盘的数据，该光盘包括具有导入区、用户数据区和导出区的记录层，其中每个导入区、用户数据区和导出区包括形成在其上的凹槽和平台，所述装置包括：发射光的激光二极管；准直透镜，其对从所述激光二极管发射的光进行准直；偏振光分束器，其根据所述光的偏振方向来改变所述光的路径；物镜，其将所述光聚焦在光盘上；以及光电检测器，其接收从导入区、用户数据区和导出区均匀辐射和反射的光，该导入区、用户数据区和导出区具有形成在其上的凹槽和平台。

公开(公告)号：CN1841521A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610075600.X

申请日：2002-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李坰根 ,  朴仁植 ,  崔炳浩 ,  尹斗燮

IPC: G11B7/0045 ,  G11B7/007

CPC classification number: G11B7/24 ,  G11B7/007 ,  G11B7/24038 ,  G11B27/24 ,  G11B27/3027 ,  G11B2007/0013 ,  G11B2220/216 ,  G11B2220/235 ,  G11B2220/237 ,  G11B2220/2575

Abstract: 提供一种光盘，其中在第一和第二记录层上每一个最小记录单元的物理地址及其记录期间所记录的地址增加或减小，以及一种不用单独记录关于每一层的信息而标识记录层的方法。该光盘包括其上可以记录和/或再现数据的第一和第二记录层。第一和第二记录层具有相同的轨道螺旋方向。从第一记录层的中心到其外侧，最小记录单元的物理地址与在盘上记录时所记录的最小记录单元的地址一起增加或减小。该方法在包括其上可以记录和/或再现数据的第一和第二记录层的光盘上标识记录层，其中第一和第二记录层具有相同的轨道螺旋方向。使在第一记录层上的最小记录单元的物理地址与在第二记录层上的最小记录单元的物理地址不相同。

公开(公告)号：CN1269114C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN02156100.1

申请日：2002-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安龙津 ,  朴仁植 ,  李坰根 ,  杨苍镇 ,  大塚达宏 ,  尹斗燮 ,  金成洙 ,  高祯完

IPC: G11B7/0045 ,  G11B20/08

CPC classification number: G11B7/0062 ,  G11B7/0055 ,  G11B7/1267 ,  G11B20/1426

Abstract: 提供了一种在光记录介质上记录数据的方法和装置。在所述在光记录介质上记录数据的方法中，利用具有消除模式的记录波形来形成标记和间隔，所述消除模式包括具有高于消除功率电平的高电平和具有低于消除功率电平的低电平的预定脉冲。因此，可以防止标记的形状变形，并可以改善标记的形状，结果，可以改善记录/再现特性。

公开(公告)号：CN1742324A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200380109123.9

申请日：2003-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李坰根 ,  安龙津 ,  黄郁渊 ,  尹斗燮 ,  朴仁植 ,  金成洙

IPC: G11B7/004

Abstract: 一种光学记录介质、一种将数据记录在该光学记录介质上的方法和设备。包括带有多脉冲序列的用于高速记录的记录模式和擦除模式的记录波形被产生。使用产生的记录波形，数字数据被记录为标记或间隔。记录模式的低写入功率电平被设置为高于偏置功率电平，并且高和低擦除功率电平被作为脉冲应用。

公开(公告)号：CN1230803C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN00128645.5

申请日：2000-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高祯完 ,  朴仁植 ,  李坰根 ,  尹斗燮 ,  朱盛晨 ,  沈载晟 ,  崔炳浩 ,  马炳寅 ,  安龙津 ,  大塚达宏

IPC: G11B7/00 ,  G11B7/007 ,  G11B20/10

CPC classification number: G11B27/24 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/005 ,  G11B7/007 ,  G11B7/00718 ,  G11B7/00745 ,  G11B7/26 ,  G11B20/1217 ,  G11B27/3027 ,  G11B2020/1239 ,  G11B2020/1268 ,  G11B2020/1278 ,  G11B2020/1279 ,  G11B2020/1287 ,  G11B2220/216 ,  G11B2220/2562 ,  G11B2220/2575

Abstract: 一种在含有光检测设备的光记录和再现系统中，从光记录和再现介质检测摆动地址的电路和方法。凹槽轨道分类成奇和偶凹槽轨道，表示物理标识信息的摆动地址信息是利用在相邻偶和奇轨道之间存在预定相位关系的摆动信号得到相位调制的，并被记录在凹槽轨道或槽脊轨道两者之一，并利用在偶和奇凹槽轨道之间存在90°相位差的摆动载波信号将摆动地址数据记录在偶和奇凹槽轨道中，将数据记录在光记录和再现介质上。

公开(公告)号：CN1682286A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03821287.0

申请日：2003-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李坰根 ,  朴仁植 ,  郑钟三 ,  尹斗燮 ,  朴彰民

IPC: G11B7/007

CPC classification number: G11B7/24079 ,  G11B7/00736 ,  G11B7/0906

Abstract: 一种光学信息存储介质包括：引入区域；引出区域；和用户数据区域，位于引入区域和引出区域之间并且其中记录用户数据。凹坑被形成在引入区域、用户数据区域、和引出区域中，并且在引入区域的全部或一部分中的轨道间距与在该光学信息存储介质的剩余区域中的轨道间距不同。

公开(公告)号：CN1672194A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03817367.0

申请日：2003-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李坰根 ,  朴仁植 ,  尹斗燮

IPC: G11B7/0045

CPC classification number: G11B7/00736 ,  G11B27/322 ,  G11B27/36 ,  G11B2220/20

Abstract: 提供了一种光学信息存储介质和将数据记录在该光学信息存储介质上的方法。在该光学信息存储介质中，仅再现区域和可记录区域被包括在除用户数据区域以外的区域中。每次用户数据被完全地记录时，新的关于盘状态的数据被记录在可记录区域中。由于该光学信息存储介质的结构，每次用户数据被完全地记录时，新近的关于盘状态的数据被记录。因此，当新数据被记录时，拾取器能够快速地访问准确的其中将记录新数据的区域。

公开(公告)号：CN1577521A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410057552.2

申请日：2002-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李容勋 ,  朴仁植 ,  郑钟三 ,  尹斗燮 ,  李坰根 ,  康熙琮 ,  崔汉国

IPC: G11B7/007 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/007 ,  G11B23/0035

Abstract: 本发明披露了一种设定为在保持高记录/重现特性的同时在相同的驱动器中保证兼容性的具有数据区的高密度盘。该高密度盘具有中心孔、夹紧区、记录有用户数据的数据区、位于数据区内侧的导入区和位于数据区外侧的导出区。在高密度盘中，其中，中心孔的直径大于等于10mm，夹紧区的外径在20－26mm的范围内。并且，数据区的内径在35－40mm的范围内。由此，在仍使用传统盘驱动器的同时，可以减小高密度盘的尺寸，增加记录容量。

公开(公告)号：CN1174395C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN99111676.3

申请日：1999-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐赈教 ,  朱盛晨 ,  尹斗燮 ,  卢明道 ,  安龙津 ,  金成洙 ,  李垌根 ,  赵明昊 ,  杨苍镇 ,  金宗圭 ,  高成鲁 ,  大塚达宏

IPC: G11B7/125

CPC classification number: G11B7/0062 ,  G11B7/0045 ,  G11B7/00718 ,  G11B7/126 ,  G11B7/1263 ,  G11B20/10009 ,  G11B20/1403

Abstract: 一种用于高密度光记录装置的自适应写方法及其电路。该电路包括：用于判定输入数据当前标记的量值和前导和/或结尾间隔的量值的鉴别器；用于控制写脉冲的波形以产生自适应写脉冲的发生器；用于通过按照各个通道的驱动功率电平将自适应写脉冲转换成电流信号来驱动光源的驱动器。写脉冲波形的第一和/或最末脉冲的脉宽随输入NRZI数据的当前标记量值及前导和/或结尾间隔量值而变化，从而使抖动最小化，并增强了系统可靠性和性能。

公开(公告)号：CN1529312A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN200410030072.7

申请日：2002-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安龙津 ,  朴仁植 ,  李坰根 ,  杨苍镇 ,  大塚达宏 ,  尹斗燮 ,  金成洙

IPC: G11B7/0045 ,  G11B7/125

CPC classification number: G11B7/126 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/00456 ,  G11B7/0062

Abstract: 一种用于在光记录介质上记录数据的方法和装置。该方法包括通过利用具有一包含多脉冲的擦除模式的记录波形来形成标记或间隙。通过这样操作，该方法能防止标记形状的畸变并改进标记形状，从而改进了记录/再现特性。一种在光记录装置中用于响应于具有第一电平和第二电平的输入数据分别在光记录介质上交替顺序形成记录模式和擦除模式的装置，包括：记录波形发生单元，其产生的波形包含：具有多个第一脉冲的第一多脉冲，以响应于输入数据中的第一电平形成记录模式；和具有多个第二脉冲的第二多脉冲，以响应于输入数据中的第二电平形成擦除模式。