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公开(公告)号：CN115377110A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210361554.9
申请日：2022-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/108
Abstract: 提供了半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：基底，包括单元阵列区域和接触区域；多个栅电极，沿与基底的上表面垂直的第一方向布置在基底上，所述多个栅电极在单元阵列区域和接触区域中延伸；多个沟道结构，在单元阵列区域中在第一方向上穿透所述多个栅电极；多个虚设沟道结构，在接触区域中在第一方向上穿透所述多个栅电极；多个单元栅极接触件，在接触区域中在第一方向上延伸并且各自电连接到所述多个栅电极中的相应的一个栅电极；以及多个虚设接触件，在所述多个虚设沟道结构上在第一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN115346992A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210517467.8
申请日：2022-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 一种半导体器件包括：第一结构，该第一结构包括衬底、电路器件、电连接至电路器件的下互连结构；以及第二结构，在第一结构上。第二结构包括：导电板层；栅电极，在导电板层上，并在第一方向上延伸；分离区，穿透栅电极，并在第一方向上延伸；沟道结构，穿透栅电极，并分别包括沟道层；贯通接触插塞，与栅电极间隔开，并在竖直方向上延伸，以电连接至第一结构的下互连结构；第一接触部和第二接触部，分别电连接至沟道层和贯通接触插塞；位线，将第一接触部和第二接触部中的至少各一个彼此电连接；以及虚设接触部，连接至位线，并与贯通接触插塞间隔开。
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公开(公告)号：CN114582882A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111430071.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金俊亨
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：多个栅电极，其位于衬底上，以在竖直方向上彼此间隔开；多个沟道结构，其穿过多个栅电极并且在竖直方向上延伸；串分离绝缘层，其穿过最上面的两个栅电极，并且在第一水平方向上延伸；多个位线接触件，其位于多个沟道结构上；以及多条位线，其位于多个位线接触件上。多条位线中的每一条包括：第一区段，其在第二水平方向上延伸；第二区段，其在第一水平方向上与第一区段间隔开，并且在第二水平方向上延伸；以及第一弯曲部分，其将第一区段连接至第二区段，并且相对于第二水平方向以约20度至约70度的倾角延伸。
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公开(公告)号：CN113451321A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110323278.2
申请日：2021-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 一种半导体器件包括：下部结构；第一上部结构，包括下栅极层并在下部结构上；第二上部结构，包括上栅极层并在第一上部结构上；分隔结构，在下部结构上并穿透第一上部结构和第二上部结构；存储器垂直结构，在分隔结构之间穿透下栅极层和上栅极层；第一接触插塞，穿透第一上部结构和第二上部结构并与下栅极层和上栅极层间隔开。第一接触插塞和存储器垂直结构中的每个包括具有弯曲部分的侧表面。该侧表面的弯曲部分设置在第一高度水平面和第二高度水平面之间，下栅极层中的最上面的栅极层设置在该第一高度水平面上，上栅极层中的最下面的栅极层设置在该第二高度水平面上。
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公开(公告)号：CN108464021B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201780006544.0
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及传感器网络、机器类型通信(MTC)、机器到机器(M2M)通信以及用于物联网(IoT)的技术。本发明可以应用于基于上述技术的智能服务，诸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车、联网汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安全和安全服务。本公开提供一种用于在无线通信系统中安装电子设备的装置和方法。一种用于操作第一电子设备的方法包括：获得第一电子设备的位置信息；以及将第一电子设备的位置信息发送到系统控制器，以在配对模式下操作第二电子设备与位于第一电子设备附近的第三电子设备配对。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107852569B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201680045022.7
申请日：2016-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 用户终端测量其位置。在测量终端位置的方法中，所述终端对从部署在空间中的多个电子设备接收到的信号的接收信号强度指示(RSSI)值进行测量。然后，所述终端通过将多种预定算法应用于测量到的所述RSSI值来提取关于所述多种算法中的每一种算法的所述终端的初步位置；通过将预定权重应用于每个初步位置来识别所述终端的第一估计位置；使用至少一个传感器的输出来识别所述终端的第二估计位置；以及基于所述第一估计位置和所述第二估计位置来确定所述终端的最终位置。
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公开(公告)号：CN111326523A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910851232.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种三维半导体存储器件，该三维半导体存储器件包括：堆叠结构，设置在衬底上并包括下部堆叠结构和上部堆叠结构；第一隔离沟槽和第二隔离沟槽，限定堆叠结构，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；中间隔离沟槽，穿透第一隔离沟槽和第二隔离沟槽之间的上部堆叠结构，并在第一方向上延伸；以及水平隔离图案，连接到中间隔离沟槽并在第二方向上划分上部堆叠结构。水平隔离图案包括水平隔离部，每个水平隔离部在第一方向上延伸，并且在第二方向或与第二方向相反的方向上从中间隔离沟槽的延长线偏移。
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公开(公告)号：CN110634872A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910445216.1
申请日：2019-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11539 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种包括穿过栅极堆叠结构的贯穿区域的三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件包括：基底；栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构设置在所述基底上，并且包括在与所述基底的顶表面基本垂直的方向上堆叠的栅电极；贯穿区域，所述贯穿区域穿过所述栅极堆叠结构并被所述栅极堆叠结构围绕；以及垂直沟道结构，所述垂直沟道结构穿过所述栅极堆叠结构。所述栅电极中的最下面的栅电极彼此间隔开，并且至少一个所述最下面的栅电极的一部分具有朝向所述贯穿区域弯曲的形状。
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