公开(公告)号：CN1161831C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN99124812.0

申请日：1994-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治 ,  大谷久 ,  竹山顺一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体，并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤，把催化剂元素添加到非晶硅膜中；在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。

公开(公告)号：CN1154165C

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN98116322.X

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：使非晶硅膜结晶化；在其上形成栅绝缘膜和栅电极、以自对准方式注入杂质，粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层，以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火，以激活已掺入的杂质。按另一方案，可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。

公开(公告)号：CN1143369C

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN95119630.8

申请日：1995-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 香西孝真 ,  张宏勇 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 用激光处理半导体器件的方法。进行两步独立的激光结晶步骤。先在真空中用稍弱激光进行激光辐照，然后在真空中，在大气或氧气气氛下用较强激光进行另一激光辐照步骤，在真空中所进行的第一步激光辐照不能导至满意的结晶。然而，该辐照能抑制皱脊的产生。在真空，大气或氧气环境中的第二步激光辐照获得满意的结晶，而且不产生皱脊。

公开(公告)号：CN1139104C

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN99118056.9

申请日：1994-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/154

Abstract: 制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。

公开(公告)号：CN1474218A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN02140628.6

申请日：1997-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  福永健司

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/13392 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明提供了一种制造高像质液晶显示装置的技术，根据像素间距的宽度限定保持液晶层的单元间距的设定范围，尤其，设定单元间距的宽度为像素间距的十分之一，从而可获得高像质的液晶显示装置，它不会产生由于电场影响而引起的像显示失败，例如畸变。

公开(公告)号：CN1129961C

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN99118538.2

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制法，它包括，在绝缘表面上形成岛形的含硅半导体膜；在该膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成一对栅电极，使半导体膜分别确定一对沟道区、第一杂质区和一对第二杂质区域。所述一对沟道区中的每一个沟道区均介于第一杂质区与一个相邻于一对第二杂质区中的一个区之间；将能促进结晶的催化剂附着在一对第二杂质区上；加热半导体膜至其结晶。晶体生长是从一对第二杂质区通过一对第一杂质区向沟道区生长。

公开(公告)号：CN1121741C

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN92110004.3

申请日：1992-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC: H01S5/30

Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。

公开(公告)号：CN1108225C

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN95108719.3

申请日：1993-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  石原浩朗

IPC: B23K26/067

CPC classification number: G02B27/09 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5813 ,  C23C16/56 ,  G02B27/0966 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种光学系统，包括：第一装置，用以减少入射到所述第一装置上的光强度的变化，即在垂直于所述光的一方向上的所述强度的分布的变化；和第二装置，用以减少所述入射到所述第二装置上的光强度的变化，即在垂直于所说光和所说方向的另一方向上的所述强度的分布的变化。

公开(公告)号：CN1085887C

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：CN96110920.3

申请日：1994-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/06

Abstract: 将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后，经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲，在退火结晶工艺中，将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区结晶，形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后，在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照，完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化，在硅膜上形成氧化膜，然后腐蚀掉氧化膜，结果去掉硅膜中的镍。

公开(公告)号：CN1292569A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN99124885.6

申请日：1993-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 薄膜半导体器件,例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层,以改善半导体涂层的结晶度。然后,除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层,随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件,例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后,再形成主要由氧化硅组成的第2涂层,其上可制作半导器件。