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公开(公告)号：CN101276736A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086790.4
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772
Abstract: 本发明的目的在于高生产率且高成品率地在大面积衬底上制造高性能的半导体元件、及集成电路。当从单晶半导体衬底(键合片)转置单晶半导体层时，通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀刻(也称为形成槽的加工)来形成分成为多个的单晶半导体层，然后将该多个单晶半导体层转置到异种衬底(支撑衬底)，该单晶半导体层的尺寸是所制造的半导体元件的尺寸。因此，可以在支撑衬底上形成多个岛状单晶半导体层(SOI层)。
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公开(公告)号：CN101180641A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680010996.8
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K19/07 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/077 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L27/144
Abstract: 本发明的目的是提供适于新用法的器件，通过使用半导体器件(如根据性能的RFID标签)而在不接触的条件下发送和接收数据，以减少使用者的负担，并提高便利性。所提供的半导体器件具有包含晶体管的运算处理电路、用作天线的导电层、具有检测物理量和化学量方法的检测单元以及存储被检测单元检测到的数据的存储单元，以及用保护层来覆盖运算处理电路、导电层、检测单元和存储单元。另外，在不接触的条件下通过为人类、动物和植物等提供这样的半导体器件，可监视和控制不同的信息。
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公开(公告)号：CN100377381C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN02141136.0
申请日：2002-07-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B41J2/17596 , B41J3/407 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L27/3283 , H01L51/0005 , H01L51/56
Abstract: 提供通过喷墨法用于有机化合物层的形成的有效、高速的工艺。在通过喷墨法形成有机化合物层的方法中，包含具有发光性能的有机化合物的合成物从墨头中发射，形成连续的有机化合物层。有机化合物层在以矩阵形状对准的像素电极上形成，并在多个像素电极上以连续的方式形成。根据这个制造方法用有机发光元件制造发光装置。
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公开(公告)号：CN101142715A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200680008486.7
申请日：2006-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/6836 , H01L21/84 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L2221/68327 , H01L2221/6835 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2223/6677 , H01L2224/03002 , H01L2224/03009 , H01L2224/06181 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29464 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32265 , H01L2224/32501 , H01L2224/33181 , H01L2224/83005 , H01L2224/83007 , H01L2224/83851 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/07811 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/142 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01Q23/00 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83
Abstract: 本发明的一个目标是提供提高机械强度的无线芯片。此外，本发明的一个目标是提供可以防治电波被阻断的无线芯片。本发明为无线芯片，其中具有薄膜晶体管的层通过各向异性导电粘合剂或导电层固定在天线上，并且薄膜晶体管连接到天线。天线具有介质层、第一导电层和第二导电层。介质层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一导电层作为发射电极并且第二导电层作为接地体。
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公开(公告)号：CN101114611A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710137128.2
申请日：2007-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1288 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的目的在于提高材料的利用效率并且提供一种通过简化了的工序可以制造的显示器件及其制造技术。形成光吸收层，在光吸收层上形成绝缘层，对光吸收层及绝缘层选择性地照射激光，去除光吸收层的照射区及绝缘层的照射区以在光吸收层及绝缘层中形成开口，并且在开口中与光吸收层接触地形成导电膜。通过将导电膜与露出了的光吸收层接触地形成在开口中，光吸收层及导电膜其中间夹着绝缘层可以彼此电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101064320A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710102484.0
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/76264 , H01L27/1214
Abstract: 提供了一种半导体器件，它包括位于绝缘表面上的半导体层以及位于该半导体层上的绝缘层。该半导体层包括至少两个元件区域以及一个元件隔离区域。该元件隔离区域被设置在这两个元件区域之间。元件隔离区域包括选自氧、氮和碳中的至少一种杂质元素。与上述两个元件区域之一中所包括的第一源极和漏极区域以及上述两个元件区域中的另一个元件区域中所包括的第二源极和漏极区域相比，元件隔离区域具有更高的阻抗。
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公开(公告)号：CN101048869A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580036324.X
申请日：2005-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/00 , G11C17/14 , G11C17/143 , G11C17/16 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有存储元件，所述存储元件具有在一对导电层之间插置有机化合物层的简单结构。凭借这一特点，提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有的存储电路是非易失的、可额外写入的，并且易于制造。根据本发明的半导体器件具有设置于绝缘层上的多个场效应晶体管和设置于所述多个场效应晶体管上的多个存储元件。所述多个场效应晶体管中的每者采用单晶半导体层作为沟道部分，所述多个存储元件中的每者是通过按顺序叠置第一导电层、有机化合物层和第二导电层形成的元件。
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公开(公告)号：CN1938853A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010159.0
申请日：2005-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G06K19/0723 , G11C13/0004 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 本发明提供包含简单结构的存储器以提供便宜半导体器件的半导体器件及其驱动方法。本方明的半导体器件包括包含具有多个存储单元的存储单元阵列的相变存储器，控制该相变存储器的控制电路，和天线。该存储单元阵列包含多个在第一方向上延伸的位线和在垂直第一方向的第二方向上延伸的字线。多个存储单元中的每一个包含提供在位线和字线之间的相变层。在具有前述结构的半导体器件中，形成位线的传导层和形成字线的传导层中的一个或者两个透光。
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公开(公告)号：CN1937870A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610139636.X
申请日：2001-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/006 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2310/0256 , G09G2320/043 , H01L27/3244 , H01L51/0087 , H01L51/5206 , H01L2251/568
Abstract: 提供了修复发光设备的方法，它使得高质量图象显示成为可能即使在EL层得形成期间形成了小孔。修复发光设备的方法特征为在给定时间间隔中将反偏压电压施加到EL元件上因此减少当反偏压电压施加到EL元件上的时候流入EL元件的电流。
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公开(公告)号：CN1928149A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610128180.7
申请日：2006-09-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/0021 , C23C14/042 , C23C14/246 , C23C14/26 , C23C14/28 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/568 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种沉积装置，该沉积装置设置有与在其上沉积薄膜的衬底相对的并能够根据衬底表面而移动的蒸发源，还设置有用于将蒸发材料供给至蒸发源的工具(蒸发材料供给工具)。由移动工具支持蒸发源，该移动工具能够扫描其上沉积薄膜的衬底表面。该蒸发材料供给工具使用下述方法：通过气流供给蒸发材料粉末的方法、将蒸发材料溶解或分散在溶剂中并雾化该材料液体而进行供给的方法、或者以棒状、线状、粉末状以及通过机械机构附着到柔性薄膜的状态供给蒸发材料的方法。
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