Abstract:
본 발명은 의사 차동출력버퍼를 개시한다. 본 발명의 출력버퍼는 하나의 출력단자와, 출력단자에 드레인이 연결되고 게이트에 제1입력신호가 인가되는 제1 입력 트랜지스터와, 제1노드에 드레인이 연결되고 게이트에 제2입력신호가 인가되는 제2입력 트랜지스터를 포함한 소스 결합 입력 트랜지스터 쌍과, 출력단자와 제1전원전압 사이에 연결된 제1출력부하와, 제1노드와 상기 제1전원전압 사이에 연결되고, 상기 제1출력부하의 임피던스 값에 대해 1/2의 임피던스 값을 가진 제2출력부하와, 소스결합 입력 트랜지스터 쌍의 공통 소스와 제2전원전압 사이에 연결된 정전류원을 포함한다. 따라서, 하나의 출력단자를 통하여 차동출력신호를 출력할 수 있다.
Abstract:
하나의 동시 양방향 패드에 접속된 서로 분리된 데이터 출력라인과 데이터 입력라인을 구비하고, 상기 데이터 출력라인을 통하여 제1메모리 뱅크로부터 독출 데이터를 독출하는 동시에 상기 데이터 입력라인을 통하여 제2메모리 뱅크로 데이터를 기입하는 장치가 개시된다. 상기 반도체 장치는 출력버퍼 및 입력버퍼를 구비하는 양방향 입출력 패드; 상기 출력버퍼에 접속되는 데이터 출력라인; 상기 입력버퍼에 접속되는 데이터 입력라인; 비트 라인 쌍; 제1포트들 및 제2포트들을 구비하고, 상기 제1포트들은 상기 비트 라인쌍에 접속되는 비트라인 감지 증폭기; 제1컬럼 선택신호에 응답하여 상기 제2포트들의 어느 하나와 상기 데이터 출력라인을 접속하는 제1스위칭 회로; 및 제2컬럼 선택신호에 응답하여 상기 제2포트들의 다른 하나와 상기 데이터 입력라인을 접속하는 제2스위칭 회로를 구비한다.
Abstract:
An apparatus for inputting and outputting at the device is provided to reduce the number of channel required to the signal transmission and reception by using the full differential method when the device is operated at the normal mode and by using the pseudo differential method when the device is operated at the test mode. An apparatus for inputting and outputting at the device includes an input unit(301) and an output unit. The input unit(301) generates the non-inverted input data and the inverted input data by receiving the non-inverted data and the inverted data from each channel pair during the normal mode, wherein the first channel receives the non-inverted data and the second channel receives the inverted data. The input unit(301) generates the non-inverted input data and the inverted input data by receiving the non-inverted data and the reference voltage from each channel pair during the test mode. The output unit transmits the non-inverted output data to the first channel and transmits the inverted output data to the second channel during the normal mode. During the test mode, the output unit transmits the non-inverted data to the first channel and does not transmit the non-inverted data to the second channel.
Abstract:
PURPOSE: A control system capable of performing an accurate analog control operation and a control method thereof are provided to control a half of the variation of an analog value corresponding to the least bit of a digital signal. CONSTITUTION: A counting unit(310) measures the number of clocks inputted while a measurement signal is enabled in response to the first control signal, and it outputs the number of measured clocks as the first counting value of n bits or the second counting value of n bits when the measurement signal is disabled. A digital control unit(320) compares the first counting value with the second counting value and performs an arithmetic operation according to the comparison result and then outputs the result of the arithmetic operation as the third counting value of n bits. And an analog control unit(340) controls an analog value in response to the third counting value, and receives the second control signal of 1 bit which controls a half of the minimum analog value varying in response to the minimum variation of the third counting value.
Abstract:
PURPOSE: An SBD(Simultaneous Bi-Directional) buffer having a self test circuit with an input signal generating function and a self test method of the SBD buffer are provided to improve the performance test accuracy of the SBD buffer by generating an input signal on performing a self test. CONSTITUTION: An output driver(120) receives an output data and outputs it to an input/output node. An input receiver(140) receives input data and output data which are combined from the input/output node, and compares the signal with a predetermined reference voltage to output it. A first multiplexer(130) outputs the predetermined voltage in response to a reference voltage selecting signal. An input signal generating circuit(110) generates an input signal for a test in a test mode to output it as the input data.
Abstract:
사용면적을 적게 차지하면서 복수 개의 메모리모듈들을 쉽게 확장하게 해주는 메모리모듈 확장용 소켓들 및 상기 소켓들을 이용하는 메모리시스템이 개시된다. 상기 메모리시스템은, 메모리모듈 확장용 소켓들 즉 연결소켓 및 종단소켓을 구비한다. 상기 연결소켓은, 소켓의 몸체이며 복수 개의 상기 메모리모듈을 장착할 수 있는 소켓핀고정장치와 상기 소켓핀고정장치를 관통하여 내부적으로, 연결되는 복수 개의 소켓핀들을 구비하여, 장착된 상기 메모리모듈을 전기적으로 연결시킨다. 상기 종단소켓은, 적어도 하나 이상의 상기 메모리모듈을 장착할 수 있는 소켓핀고정장치와 상기 소켓핀고정장치를 관통하여, 장착된 상기 메모리모듈의 한 면의 탭을 다른 한 면의 탭과 각각 자가(self) 연결시킨다. 상기 연결소켓들 및 상기 종단소켓을 이용하는 메모리시스템은, 상기 복수 개의 연결소켓들 및 상기 복수 개의 종단소켓들을 서로 조합하거나 상기와 같이 조합된 것을 인쇄회로기판에서 반복 사용하여 복수 개의 메모리모듈들을 쉽게 확장시킬 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A memory module is provided, which adjusts the characteristics of a memory chip and the memory module from the external. CONSTITUTION: The memory module(200) comprises a module substrate, and a number of memory chips(201,202,203) which are arranged on the module substrate and whose characteristics are controlled by selection signals(S1,S2,S3,...,SN), and a switch generating the selection signals by embedding a number of connection units(210). The connection units are dip switches or jumpers, and the dip switches or the jumpers are connected to a power supply port and a ground port of the memory module selectively.
Abstract:
The invention relates to a fungicidal mixture containing a synergistically active quantity of a 1) a phenyl-benzyl ether derivative of formula (I.a), (I.b) or (I.c) or Ic, and/or a 2) a carbamate of formula (I.d), in which X is CH and N, n is 0, 1 or 2 and R is a halogen, C 1 -C 4 alkyl and C 1 -C 4 halogen alkane, whereby the R radicals can be different if n equals 2, and one of its salts or adducts, as well as b) a dinitrophenol derivative of formula (II.a) or (II.b), in which n is 0, 1 or 2.
Abstract:
PURPOSE: A ball grid array tape having a capability to control parasitic capacitance is provided to control parasitic capacitance between respective pins of a semiconductor package in a package level without wasting lots of money. CONSTITUTION: A ball grid array tape having a capability to control parasitic capacitance comprises a plurality of pads(25), a plurality of metal patterns(24), a plurality of solder balls(22), a plurality first dummy patterns(26) and a plurality of second dummy patterns(28). The pluralities of pads are established in the center of the ball grid array tape. The pluralities of metal patterns connect the plurality of pads with the outside of the semiconductor chip. The plurality of solder balls connect the plurality of metal patterns with the plurality of pads instead of a lead, established in an upper part of the ball grid array tape. The plurality of first dummy patterns are additionally generated in a region except the plurality of metal patterns, having one side connected to the metal patterns and the other side not connected to the metal patterns. The pluralities of second dummy patterns are additionally generated in a region except the plurality of metal patterns, having one side and the other side not connected to the metal patterns.