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公开(公告)号：CN108292702B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201680068515.2
申请日：2016-11-25
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，在该磁阻效应元件中，具备：磁阻效应元件，其具有固定了磁化方向的第一铁磁性金属层、和磁化方向可变的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层和第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于该磁阻效应元件的层叠方向交叉的方向延伸，并与上述第二铁磁性金属层接合，在上述磁阻效应元件和上述自旋轨道转矩配线接合的部分，流通于上述磁阻效应元件的电流和流通于上述自旋轨道转矩配线的电流合流或被分配。
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公开(公告)号：CN113913774A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110761104.4
申请日：2021-07-05
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明以提供能够减少成膜所需要的时间的成膜系统、工厂系统和晶圆的成膜方法为目的。本实施方式所涉及的成膜系统具有成膜装置和计算机，上述成膜装置具有能够设置多个成膜材料的成膜腔室，上述计算机具有基于包含伊辛模型或QUBO的计算模型，预测在设定了成膜材料的配置的情况下成膜所需要的时间的计算区域。
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公开(公告)号：CN113659071A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110928639.6
申请日：2018-01-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁阻效应元件，具备：自旋流磁化旋转元件、磁化方向被固定的第二铁磁性金属层、夹持于自旋流磁化旋转元件的第一铁磁性金属层与第二铁磁性金属层之间的非磁性体层、以及基板，在基板的第二铁磁性金属层侧的面形成基底层，基底层是选自：包含从Ti、Zr、Nb、V、Hf、Ta、Mo、W、B、Al、Ce中选择的至少一种元素的氮化物的层；以组成式XYO3表示的钙钛矿型导电性氧化物的层；包含从Mg、Al、Ce选择的至少一种元素的氧化物的层；以及，包含从Al、Cr、Fe、Co、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、Mo、W中选择的至少一种元素的层；中的至少一种。
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公开(公告)号：CN108292704B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680068776.4
申请日：2016-11-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
Abstract: 该自旋流磁化反转元件包括：磁化方向可变的第一铁磁性金属层；和在与所述第一铁磁性金属层的法线方向即第一方向交叉的第二方向上延伸，并与所述第一铁磁性金属层(1)的第一面接合的自旋轨道转矩配线，自旋轨道转矩配线由与第一铁磁性金属层接合的纯自旋流产生部，和与第二方向的纯自旋流产生部(2A)的两端连接，并由电阻率比纯自旋流产生部小的材料形成的低电阻部构成，纯自旋流产生部以与第一方向正交的截面的面积随着在第一方向上远离与第一铁磁性金属层接合的接合面而连续地和/或阶梯地变大的方式而形成。
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公开(公告)号：CN108886062B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201880001531.9
申请日：2018-01-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/82 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明的自旋流磁化旋转元件具备第一铁磁性金属层和自旋轨道转矩配线，所述自旋轨道转矩配线为自旋传导层和界面自旋产生层交替层叠的结构，所述自旋传导层中的一个最接近于所述第一铁磁性金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112951984A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011319561.X
申请日：2020-11-23
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁化旋转元件。该磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线；以及第一铁磁性层，其相对于所述自旋轨道转矩配线位于第一方向，并且从所述自旋轨道转矩配线被注入自旋，所述自旋轨道转矩配线在所述第一方向具有：多个自旋产生层、和位于所述多个自旋产生层之间的插入层，所述插入层的电阻率比所述自旋产生层低。
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公开(公告)号：CN108010548B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201711057038.2
申请日：2017-10-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明目的在于，提供一种能够降低反转电流且能够提高集成度的磁存储器，具备：多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，并保持信息；多个第一控制元件，其控制信息的读入，在多个第一铁磁性金属层每一层连接有一个；多个自旋轨道转矩配线，其沿相对于磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，在第二铁磁性金属层的每一层接合一个；多个第二控制元件，其控制流经自旋轨道转矩配线的电流，在自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接一个；第三控制元件，其分别连接于多个自旋轨道转矩配线的第二连接点，控制信息的写入。
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公开(公告)号：CN112701218A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110187433.2
申请日：2017-09-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
Abstract: 本发明提供一种在高的偏压下产生比使用了现有的隧道势垒的TMR元件更高的MR比的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件，其特征在于，具备层叠体，该层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、以及第二铁磁性金属层，所述基底层由NbN、TaN或它们的混晶构成，所述隧道势垒层由具有阳离子排列不规则的尖晶石结构的、下述组成式(1)表示的化合物构成，(1)：AxB2Oy，式中，A表示2种以上的非磁性元素的二价阳离子，B表示铝离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。
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公开(公告)号：CN107887504B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201710897489.0
申请日：2017-09-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
Abstract: 本发明提供一种在高的偏压下产生比使用了现有的隧道势垒的TMR元件更高的MR比的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件，其特征在于，具备层叠体，该层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、以及第二铁磁性金属层，所述基底层由NbN、TaN或它们的混晶构成，所述隧道势垒层由具有阳离子排列不规则的尖晶石结构的、下述组成式(1)表示的化合物构成，(1)：AxB2Oy，式中，A表示2种以上的非磁性元素的二价阳离子，B表示铝离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。
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