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    EXTENDED WAVELENGTH OPTO-ELECTRONIC DEVICES
    141.
    发明申请
    EXTENDED WAVELENGTH OPTO-ELECTRONIC DEVICES 审中-公开
    扩展的波长光电设备

    公开(公告)号：WO98043303A1

    公开(公告)日：1998-10-01

    申请号：PCT/US1998/005838

    申请日：1998-03-25

    IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01S5/183 ,  H01S5/32 ,  H01L31/0328

    CPC classification number: H01L33/105 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/3201

    Abstract: A "dislocation free" semiconductor device comprising a first layer (26) on a restricted growth surface (52) having a first central region with a transverse dimension D and having a first average lattice constant L1 within the first central region; a first, last, and at least one intermediate transition layers (28), the transition layers forming a transition region, the transition region disposed above the first layer, the transition region, disposed above the first layer, the transition region having vertical thickness T, and where at least one of the intermediate transition layers has average lattice constants between L1 and a second average lattice constant Lc where the first transition layer has a lattice constant closer to the Lc than L1; and a second layer (30) disposed on the transition region, the second layer having a second average lattice constant L2, the second layer having a second central region having the average lattice constant Lc and an average lattice constant L3 outside of the second central region, and where Lc does not equal L3; wherein: the transition region has an average fractional change in lattice constant characterized by k where k=(D/T){(Lc-L1)/L1}, where |k| 0,0014.

    Abstract translation: “无位错”半导体器件包括在受限制的生长表面（52）上的第一层（26），其具有第一中心区域，其具有横向尺寸D并且在第一中心区域内具有第一平均晶格常数L1; 第一，最后和至少一个中间过渡层（28），过渡层形成过渡区域，设置在第一层上方的过渡区域，设置在第一层上方的过渡区域，过渡区域具有垂直厚度T 并且其中中间过渡层中的至少一个具有在L1和第二平均晶格常数Lc之间的平均晶格常数，其中第一过渡层具有比L1更接近于Lc的晶格常数; 和设置在过渡区域上的第二层（30），第二层具有第二平均晶格常数L2，第二层具有平均晶格常数Lc的第二中心区域和第二中心区域外部的平均晶格常数L3 ，其中Lc不等于L3; 其中：过渡区域具有由k表示的晶格常数的平均分数变化，其中k =（D / T）{（Lc-L1）/ L1}，其中| k | <18，其中晶格失配| Lc-L1 | / L1> 0,0014。

    発光素子
    142.
    发明申请
    発光素子 审中-公开
    发光元件

    公开(公告)号：WO2016199363A1

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：PCT/JP2016/002523

    申请日：2016-05-25

    Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

    Inventor： 高山　徹

    IPC: H01S5/343 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22

    CPC classification number: H01S5/2206 ,  G03B21/2033 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

    Abstract: 本開示の発光素子は、ＧａＮ基板（１１）と、ＧａＮ基板（１１）上に形成された、ｎ型のＩｎ ｘ Ｇａ １－ｘ Ｎ（０＜ｘ≦１)よりなる第１歪補正層（１２）と、第１歪補正層（１２）の上に形成された、ｎ型のＩｎ １－ａ－ｂ Ｇａ ａ Ａｌ ｂ Ｎからなり、かつ（ａ／０．９８）＋（ｂ／０．８）≧１、）（ａ／１．０２）＋（ｂ／０．８５）≦１および（ａ／１．０３）＋（ｂ／０．６８）≧１の関係を有する第１低屈折率層（１３）と、を備えている。そして、さらに、第１低屈折率層（１３）の上に形成された、ｎ型のＡｌ ｚ Ｇａ １－ｚ Ｎ（０．０３≦ｚ≦０．０６）からなり、かつ第１低屈折率層（１３）よりも屈折率の高い第１クラッド層（１４）と、第１クラッド層（１４）の上に形成された活性層（１６）と、を備えている。

    Abstract translation: 公开了一种发光元件，其设置有：GaN衬底（11）; 形成在GaN衬底（11）上并由n型In x Ga 1-x N（0

    垂直共振面発光レーザ素子、それを備えた半導体ウエハおよび発光モジュール、ならびに垂直共振面発光レーザ素子の製造方法
    143.
    发明申请
    垂直共振面発光レーザ素子、それを備えた半導体ウエハおよび発光モジュール、ならびに垂直共振面発光レーザ素子の製造方法 审中-公开
    垂直孔表面发射激光元件，半导体波长和发光模块，具有垂直孔表面发射激光元件，以及用于制造垂直孔表面发射激光元件的方法

    公开(公告)号：WO2015033633A1

    公开(公告)日：2015-03-12

    申请号：PCT/JP2014/064928

    申请日：2014-06-05

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 岩田　圭司

    IPC: H01S5/183

    CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0283 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/176 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

    Abstract: 　ＶＣＳＥＬ素子（１００）は、主表面（１１１）を有するベース基板（１１）と、主表面（１１１）上に形成された発光部（７１）と、アノード電極パッド（４２）と、透明樹脂（６１）とを備える。発光部（７１）は、光を発生させる活性領域（１５０）と、活性領域（１５０）を主表面（１１１）に略垂直な方向に挟むように形成されたｐ型ＤＢＲ層（１７）およびｎ型ＤＢＲ層（１３）と、ｐ型ＤＢＲ層（１７）およびｎ型ＤＢＲ層（１３）のうちの一方と活性領域（１５０）との間に形成された電流狭窄層（１９）とを含む。アノード電極パッド（４１）は、発光部（７１）と電気的に接続されるように、主表面（１１１）上に形成される。透明樹脂（６１）は、発光部（７１）を被覆するとともに、アノード電極パッド（４１）の少なくとも一部分が露出するように形成される。

    Abstract translation: VCSEL元件（100）设置有：具有主表面（111）的基底（11）; 形成在所述主表面（111）上的发光部（71）。 阳极电极垫（42）; 和透明树脂（61）。 发光部分（71）包括：产生光的有源区（150）; 形成为使得所述层在与所述主表面（111）基本垂直的方向上夹持所述有源区（150）的p型DBR层（17）和n型DBR层（13）。 以及形成在有源区域（150）和p型DBR层（17）或n型DBR层（13）之间的电流限制层（19）。 阳极电极焊盘（41）形成在主表面（111）上，使得阳极电极焊盘电连接到发光部分（71）。 透明树脂（61）形成为使得发光部（71）被透明树脂覆盖，阳极电极焊盘（41）的至少一部分露出。

    LIGHT EMITTING DIODE WITH POLARIZATION CONTROL
    145.
    发明申请
    LIGHT EMITTING DIODE WITH POLARIZATION CONTROL 审中-公开
    具有极化控制的发光二极管

    公开(公告)号：WO2012116353A1

    公开(公告)日：2012-08-30

    申请号：PCT/US2012/026669

    申请日：2012-02-25

    Applicant: SENSORE ELECTONIC TECHNOLOGY, INC. ,  SHUR, Michael ,  GASKA, Remigijus

    Inventor： SHUR, Michael ,  GASKA, Remigijus

    IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06

    CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/32341

    Abstract: An improved light emitting heterostructure is provided. The heterorestructure includes an active region having a set of barrier layers and a set of quantum wells, each of which is adjoined by a barrier layer. The quantum wells have a delta doped p-type sub-layer located therein, which results in a change of the band structure of the quantum well. The change can reduce the effects of polarization in the quantum wells, which can provide improved light emission from the active region.

    Abstract translation: 提供改进的发光异质结构。 异构结构包括具有一组阻挡层的有源区和一组量子阱，每个量子阱与势垒层相邻。 量子阱具有位于其中的δ掺杂的p型子层，这导致量子阱的带结构的变化。 这种改变可以减少量子阱中的极化的影响，这可以提供来自有源区域的改进的光发射。

    窒化物半導体発光素子、及びエピタキシャル基板
    146.
    发明申请
    窒化物半導体発光素子、及びエピタキシャル基板 审中-公开
    氮化物半导体发光元件和外延衬底

    公开(公告)号：WO2010131527A1

    公开(公告)日：2010-11-18

    申请号：PCT/JP2010/055591

    申请日：2010-03-29

    Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  京野 孝史 ,  塩谷 陽平 ,  秋田 勝史 ,  上野 昌紀 ,  善積 祐介 ,  住友 隆道

    Inventor： 京野　孝史 ,  塩谷　陽平 ,  秋田　勝史 ,  上野　昌紀 ,  善積　祐介 ,  住友　隆道

    IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211

    Abstract: 格子緩和によるキャリアブロック性能の低下を低減できる窒化物半導体発光素子を提供する。支持基体１３の六方晶系ＧａＮのｃ軸ベクトルＶＣは主面１３ａの法線軸Ｎｘに対してＸ軸方向に傾斜する。半導体領域１５において、活性層１９、第１の窒化ガリウム系半導体層２１、電子ブロック層２３及び第２の窒化ガリウム系半導体層２５は支持基体１３の主面１３ａ上で法線軸Ｎｘに沿って配列されている。ｐ型クラッド層１７はＡｌＧａＮからなり、電子ブロック層２３はＡｌＧａＮからなる。電子ブロック層２３はＸ軸方向の引っ張り歪みを受ける。第１の窒化ガリウム系半導体層２１はＸ軸方向の圧縮歪みを受ける。界面２７ａにおけるミスフィット転位密度は界面２７ｂにおけるミスフィット転位密度より低い。ピエゾ分極により界面２７ａにおける電子へのバリアが高くなる。

    Abstract translation: 公开了一种氮化物半导体发光元件，其能够降低由于晶格弛豫导致的载流子块性能的劣化。 支撑基板（13）的六边形系统GaN的c轴向量（VC）相对于主面（13a）的法线轴（Nx）在X轴方向上倾斜。 半导体区域（15）包括有源层（19），第一氮化镓半导体层（21），电子阻挡层（23）和第二氮化镓半导体层（25） （Nx）在支撑基板（13）的主表面（13a）上。 p型覆层（17）由AlGaN构成，电子阻挡层（23）由AlGaN构成。 电子阻挡层（23）在X轴方向上受到拉伸应变。 第一氮化镓半导体层（21）在X轴方向上受到压缩应变。 界面（27a）中的失配位错密度低于界面（27b）中的失配位错密度。 压电极化导致界面（27a）中的电子势垒增加。

    発光素子並びに受光素子及びその製造方法
    148.
    发明申请
    発光素子並びに受光素子及びその製造方法 审中-公开
    发光元件，光接收元件和制造接收元件的方法

    公开(公告)号：WO2010055750A1

    公开(公告)日：2010-05-20

    申请号：PCT/JP2009/068106

    申请日：2009-10-21

    Applicant: 株式会社日立製作所 ,  斎藤 慎一 ,  青木 雅博 ,  杉井 信之 ,  小田 克矢 ,  菅原 俊樹

    Inventor： 斎藤　慎一 ,  青木　雅博 ,  杉井　信之 ,  小田　克矢 ,  菅原　俊樹

    IPC: H01S5/32 ,  H01L21/316 ,  H01L31/10 ,  H01S5/125

    CPC classification number: H01S5/3201 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1808 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/021 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/125 ,  H01S5/3223 ,  Y02E10/50

    Abstract: 　本発明の目的は、シリコンなどの基板上に通常のシリコン・プロセスを用いて容易に形成可能で、かつ、高効率に発光するゲルマニウム・レーザ・ダイオードを提供することである。本発明によるゲルマニウム発光素子は、発光層となる単結晶ゲルマニウムに引張り歪みが印加されることで直接遷移型になっており、該ゲルマニウム発光層の両端に隣接して、シリコンまたはゲルマニウムまたはシリコン・ゲルマニウムからなる薄い半導体層が接続されており、なおかつ、該薄い半導体層は量子閉じ込め効果が起こらない程度の厚さを有し、該薄い半導体層のもう一方の端部は高濃度に不純物がドーピングされた厚い電極に接続されており、該電極はp型とｎ型にそれぞれドーピングされており、なおかつ、該電極と直接接することなく導波路が形成されており、該導波路の端部にはミラーが形成される事を特徴とするゲルマニウム・レーザ・ダイオードである。

    Abstract translation: 公开了一种锗激光二极管，其可以通过常规硅工艺容易地在诸如硅的基板上形成，并且可以以高效率发光。 锗激光二极管的特征在于，由于向作为发光层的单晶锗施加拉伸应变，锗发光元件是直接转变型的，硅，锗或硅 - 锗的薄半导体层是 连接在锗发光层的两端附近，薄型半导体层具有不产生量子限制效应的厚度，薄型半导体层的另一端与高掺杂杂质的厚电极连接，电极掺杂 到p型和n型，提供波导而不与电极直接接触，并且在波导的端部设置反射镜。

    面発光型半導体レーザおよびその製造方法
    149.
    发明申请
    面発光型半導体レーザおよびその製造方法 审中-公开
    平面光发射半导体激光器及其制造方法

    公开(公告)号：WO2007142184A1

    公开(公告)日：2007-12-13

    申请号：PCT/JP2007/061281

    申请日：2007-06-04

    Applicant: ソニー株式会社 ,  前田 修 ,  汐先 政貴 ,  山口 典彦 ,  山内 義則

    Inventor： 前田 修 ,  汐先 政貴 ,  山口 典彦 ,  山内 義則

    IPC: H01S5/183

    CPC classification number: H01S5/18355 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/1833 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/423

    Abstract: 　簡易かつ安価に製造可能であり、レーザ光の偏光方向を一方向に安定化すると共に高出力化することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。基板１０上に、下部第１ＤＢＲミラー層１２、下部第２ＤＢＲミラー層１３、下部スペーサ層１４、発光領域１５Ａを有する活性層１５、上部スペーサ層１６、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９がこの順に積層された発光部２０を備える。下部第１ＤＢＲミラー層１２は、発光領域１５Ａと対応する領域の周辺に、発光領域１５Ａを中心にして回転する方向に不均一に分布する酸化部３０を有する。酸化部３０は一対の多層膜３１，３２からなり、低屈折率層１２Ａを酸化することにより形成される。これにより、多層膜３１，３２の不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１５に発生する。

    Abstract translation: 提供一种能够以低成本容易地制造并且可以将激光的偏振方向稳定到一个方向并增加输出的平面发光半导体激光器。 半导体激光器包括具有下第一DBR镜层（12），下第二DBR镜层（13），下间隔层（14），具有发光的有源层（15）的发光单元（20） 区域（15A），上间隔层（16），电流变窄层（17），上DBR镜层（18）和接触层（19）。 下部第一DBR镜层（12）包括围绕与发光区域（15A）对应的区域布置的氧化部分（30），并且围绕发光区域（15A）沿旋转方向不均匀地分布。 氧化部（30）由通过氧化低反射率层（12A）而获得的一对多层膜（31,32）形成。 这产生对应于有源层（15）中的多层膜（31,32）的不均匀分布的各向异性的应力。

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