Connection arrangement for a semiconductor power module

    公开(公告)号:JP2012507166A

    公开(公告)日:2012-03-22

    申请号:JP2011533717

    申请日:2009-10-29

    CPC classification number: H01L25/072 H01L2924/0002 Y10T29/41 H01L2924/00

    Abstract: 半導体パワーモジュール(100)は、少なくとも2つのサブモジュール(101−106)を含んでいる。 サブモジュール(101−106)は、コレクタ(108)、エミッタ(109)およびゲート(110)を有する少なくとも1つのそれぞれのトランジスタ(107)を含んでいる。 さらに、接続配置は、少なくとも2つのサブモジュール(101−106)のコレクタを外部回路部品に集合的に接続することに適したコレクタ端子ユニット(201)、少なくとも2つのサブモジュール(101−106)の個別のエミッタ(109)を外部回路部品に個々に接続することに適した少なくとも2つのエミッタ端子ユニット(301−304)、および少なくとも2つのサブモジュール(101−106)の個別のゲート(110)を外部回路部品に個々に接続することに適した少なくとも2つのゲート端子ユニット(401−404)を具備して提供される。
    【選択図】図2

    High-voltage bushing
    160.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2009519566A

    公开(公告)日:2009-05-14

    申请号:JP2008544723

    申请日:2006-10-10

    CPC classification number: H01B17/28 Y10T29/532

    Abstract: 高電圧ブッシング(1)は、コンダクタ(2)及びこのコンダクタ(2)を取り囲むコア(3)を有している。 コア(3)は、シート状スペーサ(4)を有し、このスペーサ(4)は、電気的に絶縁性のマトリクス材料(6)で含浸されている。 スペーサ(4)は、軸(A)の周りに螺旋状に巻かれ、この軸(A)は、コンダクタ(2)の形状の中を通って規定されている。 このようにして、多数の隣接レイヤが形成される。 更に、コア(3)は、軸(A)に対して適切な径方向距離に、イコライゼイション要素(5)を有している。 このブッシングの特徴は、イコライゼイション要素(5)が導電性のレイヤ(51)を有し、これらのレイヤ(51)が開口(9)を有し、これらの開口(9)を通ってマトリクス材料(6)が浸入することが可能であること、及び、これらのイコライゼイション要素(5)が、スペーサ(4)から分離されて、コア(3)に貼り付けられているところにある。 好ましくは、導電性のレイヤ(51)は、網形状、グリッド形状、メッシュ状または孔穿き部材状である。 これらの開口(9)は、マトリクス材料(6)で充填可能であり、好ましくは、粒子で充填された樹脂(6)が使用されることが可能である(図1)。

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