公开(公告)号：KR1019970018651A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950032896

申请日：1995-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진우 ,  한정욱

IPC: H01L29/00

Abstract: 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명은 반도체 기판에 형성된 선택 트랜지스터의 선택 게이트와 상기 선택 게이트의 표면에 형성된 절연막과 일측벽에 형성된 산화막 스페이서를 개재하여 상기 선택게이트의 측벽과 그 상단의 일부에 형성된 적층 구조의 부유 게이트와 조절 게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치를 제공한다, 본 발명은 상기 비휘발성 메모리 장치를 제조하는데 있어서, 가장 적합한 제조방법을 제공한다, 본 발명에 의한 비휘발성 메모리 장치는 프로그램시 고효율을 지니고, 저전압에서도 고속으로 프로그램이 가능하며, 콘택구조를 형성하지 않으므로 단위소자당 단위밀도가 증가하게 되어 고집적화에 유리하며 새로운 레이아웃의 제안이 가능하다.

公开(公告)号：KR1019920007236A

公开(公告)日：1992-04-28

申请号：KR1019910009887

申请日：1991-06-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한정욱

IPC: H01L29/78