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公开(公告)号：CN107887505B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710901088.8
申请日：2017-09-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种能够实现较高的MR比的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具有层叠体，该层叠体中按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，所述基底层由氮化物构成，所述隧道势垒层由选自MgAl2O4、ZnAl2O4、MgO及γ‑Al2O3中的任一种构成，所述隧道势垒层的晶格常数和所述基底层可采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5％以内。
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公开(公告)号：CN111276600A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010098485.8
申请日：2016-03-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L27/22 , H01L27/105 , H01F10/193 , G11C11/16 , G11B5/39 , H01F1/40
Abstract: 本发明所提供的磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于上述第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层的隧道势垒层，上述隧道势垒层由化学式AB2Ox表示，是阳离子排列不规则的尖晶石结构，并且A为二价阳离子，为Mg或Zn的任一者，B为三价阳离子，包含选自Al、Ga及In中的多种元素。
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公开(公告)号：CN107408626B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201680019561.3
申请日：2016-03-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L43/10 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 本发明所提供的磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于上述第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层的隧道势垒层，上述隧道势垒层由化学式AB2Ox表示，是阳离子排列不规则的尖晶石结构，并且A为二价阳离子，为Mg或Zn的任一者，B为三价阳离子，包含选自Al、Ga及In中的多种元素。
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公开(公告)号：CN110392931A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201880003798.1
申请日：2018-10-10
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L29/82 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线从所述第一铁磁性层侧起具有第一配线和第二配线，所述第一配线及所述第二配线均为金属，所述第一配线与所述第二配线相比，至少在-40℃～100℃的温度区域中的电阻率的温度依存性大。
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公开(公告)号：CN109786544A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811283848.4
申请日：2018-10-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件。本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件包括沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和位于所述自旋轨道转矩配线的一个面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线的侧面和所述第一铁磁性层的侧面在任一侧面形成连续的倾斜面。本发明在制作时能够抑制杂质再附着，使写入电流容易流动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545954A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201810035098.2
申请日：2018-01-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供能够减少磁化反转所需要的反转电流密度的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器。该自旋流磁化反转元件具有：沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线；和在与上述自旋轨道转矩配线交叉的第二方向层叠的第一铁磁性层，上述第一铁磁性层具有多个铁磁性结构层和夹在相邻的铁磁性结构层间的至少1层插入层，夹着上述多个铁磁性结构层中的至少1个铁磁性结构层的层的自旋霍尔角的极性不同。
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公开(公告)号：CN105745760B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201480063657.0
申请日：2014-11-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 在使用了半导体的自旋传导元件中，与现有的GMR元件或TMR元件相比，存在元件电阻变大，并且难以获得大的磁阻比问题。本发明涉及一种磁阻效应元件，其特征在于：具备半导体通道层3、被设置于半导体通道层3上的第1强磁性层12A和与第1强磁性层12A分开设置的第2强磁性层12B、与第1强磁性层12A以及第2强磁性层12B分开设置的非磁性的第1参考电极20，电流经由半导体通道层3从第2强磁性层12B被输入到第1强磁性层12A，并输出第2强磁性层12B与第1参考电极20之间的电压。
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公开(公告)号：CN109427965A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810995234.2
申请日：2018-08-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种防止引起集成度的降低且能够容易地实现磁化旋转的自旋流磁化旋转元件。该自旋流磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线，其沿着第一方向延伸；第一铁磁性层，其沿着与上述自旋轨道转矩配线的上述第一方向交叉的第二方向配置；第一磁场施加层，其沿着上述第一铁磁性层的上述第一方向分开配置，且将辅助上述第一铁磁性层的磁化旋转的辅助磁场施加于上述第一铁磁性层。
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公开(公告)号：CN109427964A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810993796.3
申请日：2018-08-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种有效地使纯自旋流发生并且使反转电流密度降低为可能的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器以及高频磁元件。本发明所涉及的自旋流磁化反转元件具备在第一方向上延伸的自旋轨道转矩配线、在与第一方向相交叉的第二方向上层叠的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含Ar、Kr、Xe当中至少1种稀有气体元素。
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公开(公告)号：CN109417100A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201880002574.9
申请日：2018-03-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/82 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及自旋流磁化反转元件。该自旋流磁化反转元件具备：第1铁磁性金属层，其磁化方向变化；自旋轨道转矩配线，其沿着相对于第1铁磁性金属层的法线方向即第1方向交叉的第2方向延伸，且与第1铁磁性金属层接合；自旋轨道转矩配线具有与第1铁磁性金属层接合的自旋传导层，与自旋传导层接合且与第1铁磁性金属层的相反侧的面接合的自旋生成层层叠的结构。
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