公开(公告)号：WO2004032292A2

公开(公告)日：2004-04-15

申请号：PCT/US2003/030905

申请日：2003-09-29

Applicant: QUINTESSENCE PHOTONICS CORPORATION

Inventor： UNGAR, Jeffrey, E.

IPC: H01S

CPC classification number: H01S5/18 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202

Abstract: A semiconductor laser that has a reflective surface. The reflective surface redirects the light of an edge emitting laser diode to emit from the top or bottom surface of the diode. The laser may include a gain layer and a feedback layer located within a semiconductive die. The gain and feedback layers generate a laser beam that travels parallel to the surface of the die. The reflective surface reflects the laser beam 90 degrees so that the beam emits the die from the top or bottom surface. The reflective surface can be formed by etching a vicinally oriented III-V semiconductive die so that the reflective surface extends along a (111)A crystalline plane of the die.

Abstract translation:

具有反射表面的半导体激光器。 反射表面重定向边缘发射激光二极管的光以从二极管的顶部或底部表面发射。 激光器可以包括位于半导体管芯内的增益层和反馈层。 增益层和反馈层产生平行于芯片表面传播的激光束。 反射表面将激光束反射90度，使得光束从顶部或底部表面发射出模具。 反射表面可以通过蚀刻邻近取向的III-V半导体管芯来形成，使得反射表面沿着管芯的（111）A晶面延伸。

公开(公告)号：WO2003071642A1

公开(公告)日：2003-08-28

申请号：PCT/JP2003/001833

申请日：2003-02-20

Applicant: ソニー株式会社 ,  阿部 博明 ,  我妻 新一 ,  星 望 ,  鈴木 洋一

Inventor： 阿部 博明 ,  我妻 新一 ,  星 望 ,  鈴木 洋一

IPC: H01S5/22

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  G11B7/1275 ,  H01S5/026 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4056 ,  H01S5/4087

Abstract: An AlGaInP laser element (24) and an AlGaAs laser element (26) are disposed so that their respective stripes (28, 30) are parallel to each other. The AlGaInP laser element (24) is disposed on the (011) plane (22b) side of the substrate center line, and the AlGaAs laser element (26) on the (011) plane (22a) side of the substrate center line as viewed from the main emission plane (011) (22c) side of a laser beam. The substrate (22) is an off-substrate, and is tilted from the (011) plane (22a) toward the (011) plane (22b) at an angle (thetaoff) of at least 2 degrees and up to 15 degrees with respect to the (100) plane. The optical axis L1 of the AlGaInP laser element (24) is in parallel to the optical axis L2 of the AlGaAs laser element (26), or approaches the latter at an angle of about 0.5 degrees.

Abstract translation: 设置AlGaInP激光元件（24）和AlGaAs激光元件（26），使得它们各自的条纹（28,30）彼此平行。 AlGaInP激光元件（24）设置在基板中心线的（011）面（22b）侧，并且如图所示在基板中心线的（011）面（22a）侧上的AlGaAs激光元件（26） 从激光束的主发射面（011）（22c）侧。 衬底（22）是偏离衬底，并且以（011）平面（22a）朝向（011）平面（22b）以与至少2度的角度（θoff）和至多15度的角度相对地倾斜 到（100）飞机。 AlGaInP激光元件（24）的光轴L1与AlGaAs激光元件（26）的光轴L2平行，或者以约0.5度的角度接近。

公开(公告)号：WO98047170A1

公开(公告)日：1998-10-22

申请号：PCT/JP1998/001640

申请日：1998-04-09

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L33/16 ,  H01S5/02 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C23C16/042 ,  C23C16/303 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

Abstract: A method of growing a nitride semiconductor crystal having very few crystal defects and capable of being used as a substrate, comprising the step of forming a first selective growth mask equipped with a plurality of first windows for selectively exposing the surface of a support on the support having a main plane and including different kinds of substrates made of materials different from those of a nitride semiconductor, and the step of growing the nitride semiconductor, by using a gaseous Group III element source and a gaseous nitrogen source, until portions of the nitride semiconductor crystal growing in adjacent windows from the surface of the support exposed from the window join with one another on the upper surface of the selective growth mask.

Abstract translation: 一种生长具有非常少的晶体缺陷且能够用作衬底的氮化物半导体晶体的方法，包括形成配备有多个第一窗口的第一选择性生长掩模的步骤，用于选择性地将载体的表面暴露在载体上 具有主平面并且包括由与氮化物半导体的材料不同的材料制成的不同种类的基板，以及通过使用气态III族元素源和气态氮源生长氮化物半导体的步骤，直到氮化物半导体的部分 在从窗户露出的支撑体表面的相邻窗口中生长的晶体在选择性生长掩模的上表面上彼此连接。

公开(公告)号：WO2013164659A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：PCT/IB2012/052146

申请日：2012-04-30

Applicant: TUBITAK ,  KALEM, Seref

Inventor： KALEM, Seref

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/32 ,  H01S5/183 ,  H01S5/22 ,  H01L33/34 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L29/7831 ,  H01L33/002 ,  H01L33/0041 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/346 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/304 ,  H01S5/3227

Abstract: The present invention relates to production method and device applications of a new silicon (Si) semiconductor light source that emits at a single wavelength at 1320 nm with a full width at half maximum (FWHM) of less than 200 nm and a photoluminescence quantum efficiency of greater than 50% at room temperature. The semiconductor that is the base for the new light source includes a surface which is treated by an acid vapor involving heavy water or Deuterium Oxide (D2O) and a surface layer producing the light source at 1320 nm.

Abstract translation: 本发明涉及新的硅（Si）半导体光源的制造方法和器件应用，其以1320nm的单一波长发射，半导体全宽（FWHM）小于200nm，光致发光量子效率 在室温下大于50％。 作为新光源的基底的半导体包括通过涉及重水或氘氧化物（D 2 O）的酸性蒸气处理的表面和产生1320nm的光源的表面层。

公开(公告)号：WO2012064874A1

公开(公告)日：2012-05-18

申请号：PCT/US2011/060030

申请日：2011-11-09

Applicant: SORAA, INC. ,  FELKER, Andrew ,  VICKERS, Nicholas A. ,  ALDAZ, Rafael ,  PRESS, David ,  PFISTER, Nicholas J. ,  RARING, James W. ,  SCHMIDT, Mathew C. ,  THOMSON, Kenneth John

Inventor： FELKER, Andrew ,  VICKERS, Nicholas A. ,  ALDAZ, Rafael ,  PRESS, David ,  PFISTER, Nicholas J. ,  RARING, James W. ,  SCHMIDT, Mathew C. ,  THOMSON, Kenneth John

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0095 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for forming optical devices. The method includes providing a gallium nitride substrate member having a crystalline surface region and a backside region. The method also includes subjecting the backside region to a laser scribing process to form a plurality of scribe regions on the backside region and forming a metallization material overlying the backside region including the plurality of scribe regions. The method removes at least one optical device using at least one of the scribe regions.

Abstract translation: 一种形成光学器件的方法。 该方法包括提供具有结晶表面区域和背面区域的氮化镓衬底构件。 该方法还包括使背面区域进行激光划线工艺以在背面区域上形成多个划线区域，并且形成覆盖包括多个划线区域的背面区域的金属化材料。 该方法使用至少一个划线区域去除至少一个光学装置。

公开(公告)号：WO2010137511A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/JP2010/058513

申请日：2010-05-20

Applicant: 三洋電機株式会社 ,  口野 啓史

Inventor： 口野　啓史

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201

Abstract: 【課題】生産性を向上させながら、素子特性が低下するのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ素子１０の製造方法は、基板１上の、Ａ方向に略４００μｍのピッチＰ１で配置される欠陥集中領域２０同士の間に、３つの光導波路２ａを形成する工程と、隣接する欠陥集中領域２０同士の間に形成される３つの光導波路２ａのうち、中央の光導波路２ａを、欠陥集中領域２０同士の中心線Ｌ１１と光導波路２ａの中心線Ｌ２２とのＡ方向の距離が５μｍ以上３０μｍ以下になるように形成する工程とを備える。

Abstract translation: 本发明提供一种能够在提高生产率的同时防止元件特性劣化的氮化物系半导体激光元件的制造方法。 制造半导体激光元件（10）的方法包括以下步骤：在衬底上的A方向上以约400μm的间距（P1）排列的缺陷集中区域（20）之间形成三个光波导（2a） 1）; 以及在形成在相邻的缺陷集中区域（20）之间的三个光波导（2a）之间形成中心光波导（2a），使得在缺陷集中区域（20）之间的中心线（L11）之间的A方向上的距离 光波导（2a）的中心线（L22）为5μm以上且30μm以下。

公开(公告)号：WO2008099643A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：PCT/JP2008/050849

申请日：2008-01-23

Applicant: ローム株式会社 ,  岡本 國美 ,  太田 裕朗

Inventor： 岡本 國美 ,  太田 裕朗

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0283 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2304/04

Abstract: 　この半導体レーザダイオードは、ｍ面を結晶成長の主面とするIII族窒化物半導体からなり、ｍ軸方向に、ｎ型クラッド層、発光層、およびｐ型クラッド層を積層したIII族窒化物半導体積層構造を備えている。前記III族窒化物半導体は、ｍ面を結晶成長のための成長面とするＧａＮ単結晶基板上に結晶成長させたものであることが好ましい。また、前記ＧａＮ単結晶基板の主面のオフ角は±１°以内であることが好ましい。前記III族窒化物半導体積層構造は、前記ＧａＮ基板の成長面より生じた積層欠陥または貫通転位を含まないものであることが好ましい。

Abstract translation: 半导体激光二极管包括其m面是晶体生长的主表面的III族氮化物半导体，并且具有III族氮化物半导体多层结构，其中n型覆盖层，发光层和p型覆层 层形成在m轴方向。 优选在氮化镓单晶衬底上通过晶体生长形成III族氮化物半导体，其中m面用作生长面。 另外，优选的是，GaN单晶基板的主表面的偏离角在±1°以内。 进一步优选的是，III族氮化物半导体多层结构不包括从GaN衬底的生长面产生的任何堆垛层错或穿透位错。

公开(公告)号：WO2008018482A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：PCT/JP2007/065483

申请日：2007-08-08

Applicant: 三洋電機株式会社 ,  畑 雅幸 ,  野村 康彦

Inventor： 畑 雅幸 ,  野村 康彦

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/483 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 　半導体素子部が面内方向において異なる熱膨張係数を有する複数の方向を含む場合にも、素子特性が低下するのを抑制することが可能な半導体素子が得られる。この半導体レーザ素子（半導体素子）は、主面の面内方向において熱膨張係数の異なる［１－１００］方向および［０００１］方向を含む半導体素子部と、主面の面内方向において熱膨張係数の異なる矢印Ｅ方向および矢印Ｆ方向を含むサブマウントとを備えている。そして、半導体素子部の［１－１００］方向が、サブマウントの矢印Ｆ方向よりも矢印Ｅ方向側に近くなるように、サブマウントに対して半導体素子部が接着されている。

Abstract translation: 提供了即使当半导体元件部分包括在面内方向上具有不同热膨胀系数的多个方向时，也可以抑制元件特性的劣化的半导体元件。 半导体激光元件（半导体元件）具有半导体元件部，其包括在主表面的面内方向上具有不同热膨胀系数的[1-100]的方向和[0001]的方向， 以及在主表面的面内方向上具有不同热膨胀系数的箭头（E）方向和箭头（F）方向的副底座。 半导体元件部分接合在子安装座上，使得半导体元件部分的方向[1-100]接近于副安装座的箭头（E）方向的侧面。

公开(公告)号：WO2008016019A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/JP2007/064921

申请日：2007-07-31

Applicant: 三洋電機株式会社 ,  井上 大二朗 ,  別所 靖之 ,  畑 雅幸 ,  野村 康彦 ,  徳永 誠一

Inventor： 井上 大二朗 ,  別所 靖之 ,  畑 雅幸 ,  野村 康彦 ,  徳永 誠一

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01S5/0425 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 　光導波路が損傷するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子が得られる。このＧａＮ系半導体レーザチップ（半導体レーザ素子）は、窒化物系半導体からなるｎ型ＧａＮ基板と、ｎ型ＧａＮ基板上に形成され、Ｆ方向に延びる光導波路を構成するリッジ部が形成された窒化物系半導体からなる半導体層とを備えている。また、リッジ部（光導波路）は、半導体層の中央部から一方側に寄った領域に形成されている。また、リッジ部（光導波路）の一方側とは反対側の領域には、リッジ部（光導波路）の延びるＦ方向と交差する方向に延びるように、半導体層側から劈開導入用段差が形成されている。

Abstract translation: 一种能够抑制对光波导的损伤的半导体激光器件。 GaN半导体激光器芯片（半导体激光器件）包括由氮化物半导体制成的n型GaN衬底和形成在n型GaN衬底上的半导体层，该半导体层设置有构成在F方向上延伸的光波导的脊部 并由氮化物半导体制成。 脊部（光波导）形成在从半导体层的中心部朝向一侧偏置的区域中。 切割诱导步骤从半导体层侧形成为垂直于脊部（光波导）在与脊部（光波导）的一侧相反的区域中延伸的F方向延伸。

公开(公告)号：WO2006112228A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：PCT/JP2006/305097

申请日：2006-03-15

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  蔵本 恭介

Inventor： 蔵本 恭介

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 　貫通転位部での電流リークを低減することで、長期信頼性が高く、サージ耐性や静電気耐性が大きな半導体レーザを得る。転位密度が１×１０ ５ ｃｍ －２ 以上の高転位領域を持つ基板と、基板上に設けられ、活性層を有する半導体結晶と、半導体結晶上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、活性層へ電流を注入するために半導体結晶と導通された表面電極と、基板下に設けられた裏面電極とを含み、表面電極の面積が、レーザ共振器長をＬとしたときに、１２０×Ｌμｍ ２ 以下である。

Abstract translation: 半导体激光器在穿透位错部分具有长期可靠性和大的浪涌电阻和具有电流泄漏的静电电阻。 半导体激光器包括具有高位错密度的位错区域的衬底，其位错密度为至少1×10 -5 cm -2，设置在衬底上以具有 有源层，设置在半导体晶体上的绝缘膜，允许与用于向有源层注入电流的半导体晶体导电的前电极和设置在基板下方的后电极，其中前电极的面积达到 当激光谐振器的长度为L时，为120×Lμm 2。