公开(公告)号：TW200425665A

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：TW092134002

申请日：2003-12-03

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 崔義明 TSUIE, YIH-MING ,  劉肖真 LIU, HSIAO-CHEN

IPC: H04J

CPC classification number: H04L27/2666

Abstract: 本發明提供一種正交分頻多工信號之傳輸模式偵測方法，包括以下步驟。(a)自一組符號長度中選擇一符號長度。(b)自一組臨限值中選擇一臨限值。(c)使用所選擇之符號長度產生一正交分頻多工數位信號之關聯能量信號。(d)使用所選擇之臨限值偵測該關聯能量信號之邊緣。(e)當偵測到邊緣時，依據所偵測到之邊緣決定該正交分頻多工數位信號所使用之傳輸模式及防護時區長度。(f)當未偵測到邊緣時，判斷是否該組臨限值均已被選擇完畢，若是，則自該組符號長度中選擇另一符號長度而重複步驟(b)、(c)、(d)、(e)及(f)，若否，則自該組臨限值中選擇另一臨限值而重複步驟(c)、(d)、(e)及(f)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种正交频分复用信号之传输模式侦测方法，包括以下步骤。(a)自一组符号长度中选择一符号长度。(b)自一组临限值中选择一临限值。(c)使用所选择之符号长度产生一正交频分复用数码信号之关联能量信号。(d)使用所选择之临限值侦测该关联能量信号之边缘。(e)当侦测到边缘时，依据所侦测到之边缘决定该正交频分复用数码信号所使用之传输模式及防护时区长度。(f)当未侦测到边缘时，判断是否该组临限值均已被选择完毕，若是，则自该组符号长度中选择另一符号长度而重复步骤(b)、(c)、(d)、(e)及(f)，若否，则自该组临限值中选择另一临限值而重复步骤(c)、(d)、(e)及(f)。

公开(公告)号：TW200425393A

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：TW092113171

申请日：2003-05-15

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 聶俊峰 CHUN-FENG NIEH ,  陳憲偉 HSIEN-WEI CHEN ,  鄭豐緖 FUNG-HSU CHENG ,  陳振隆 ZHEN-LONG CHEN ,  周順田 CHOU, SHUN TIEN

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露一種閘極介電層的製作方法。首先，提供表面具有一原生氧化層之一半導體基底。接著，實施一含氫氣處理。然後，沉積一氮化層於上述原生氧化層表面。接著，實施一含氧氮氣體處理。最後，實施一退火處理。本發明利用一含氧氮氣體處理以形成一ONO閘極介電層且使半導體基底與閘極介電層之間具有一薄氮化層。此外，本發明之高溫退火處理，可使ONO閘極介電層內部之殘留氮氣或一氧化氮排出，以提高ONO閘極介電層之氧化層品質。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种闸极介电层的制作方法。首先，提供表面具有一原生氧化层之一半导体基底。接着，实施一含氢气处理。然后，沉积一氮化层于上述原生氧化层表面。接着，实施一含氧氮气体处理。最后，实施一退火处理。本发明利用一含氧氮气体处理以形成一ONO闸极介电层且使半导体基底与闸极介电层之间具有一薄氮化层。此外，本发明之高温退火处理，可使ONO闸极介电层内部之残留氮气或一氧化氮排出，以提高ONO闸极介电层之氧化层品质。

公开(公告)号：TWI222040B

公开(公告)日：2004-10-11

申请号：TW090133024

申请日：2001-12-28

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 呂忠晏 LU, CHUNG YEN

IPC: G06T

CPC classification number: G06T15/80

Abstract: 一種預處理及著色裝置和方法，用以處理複數待處理物件之屬性著色程序，其包括一著色座標產生器、一共同項預處理電路及複數個屬性預處理/著色電路。著色座標產生器是用來產生待處理物件所包含之畫素點座標值。共同項預處理電路則用來產生平面方程式係數中與屬性值無關之共同項資料。每個屬性預處理/著色電路則包括第一硬體電路和第二硬體電路，並操作於絕對著色模式和相對著色模式之間。在絕對著色模式中同時使用第一硬體電路和第二硬體電路來產生對應畫素點的屬性值，在相對著色模式時則使用第二硬體電路產生畫素點屬性值並且使用第一硬體電路產生下一個待處理物件的平面方程式係數。

Abstract in simplified Chinese: 一种预处理及着色设备和方法，用以处理复数待处理对象之属性着色进程，其包括一着色座标产生器、一共同项预处理电路及复数个属性预处理/着色电路。着色座标产生器是用来产生待处理对象所包含之像素点座标值。共同项预处理电路则用来产生平面方进程系数中与属性值无关之共同项数据。每个属性预处理/着色电路则包括第一硬件电路和第二硬件电路，并操作于绝对着色模式和相对着色模式之间。在绝对着色模式中同时使用第一硬件电路和第二硬件电路来产生对应像素点的属性值，在相对着色模式时则使用第二硬件电路产生像素点属性值并且使用第一硬件电路产生下一个待处理对象的平面方进程系数。

公开(公告)号：TWI221743B

公开(公告)日：2004-10-01

申请号：TW092112858

申请日：2003-05-12

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 張永清 CHANG, YUNG CHING

IPC: H04N

Abstract: 一種避免資料量不足的量化矩陣調整方法，係利用放大預設之量化矩陣的方法來避免資料量不足。該量化矩陣調整方法包含下列步驟：更新已使用位元量以及平均量化比例因子；對目前圖像指定位元預算值；計算估測量化比例因子，係根據已使用位元量、平均量化比例因子、以及位元預算值計算估測量化比例因子；判斷是否進入緊急模式，當估測量化比例因子大於一量化比例因子門檻值時，則設定為緊急模式，否則保持為一般模式；調整量化矩陣，當編碼器進入緊急模式時，將預設之量化矩陣放大；以及編碼，當編碼器進入緊急模式時，根據放大後之量化矩陣進行編碼，當編碼器為一般模式時，根據預設之量化矩陣進行編碼。由於該發明在緊急模式時將預設之量化矩陣放大，因此可有效地降低量化比例因子，避免視訊緩衝核驗器資料量不足，且編碼後之影像品質可提昇。

Abstract in simplified Chinese: 一种避免数据量不足的量化矩阵调整方法，系利用放大默认之量化矩阵的方法来避免数据量不足。该量化矩阵调整方法包含下列步骤：更新已使用比特量以及平均量化比例因子；对目前图像指定比特预算值；计算估测量化比例因子，系根据已使用比特量、平均量化比例因子、以及比特预算值计算估测量化比例因子；判断是否进入紧急模式，当估测量化比例因子大于一量化比例因子门槛值时，则设置为紧急模式，否则保持为一般模式；调整量化矩阵，当编码器进入紧急模式时，将默认之量化矩阵放大；以及编码，当编码器进入紧急模式时，根据放大后之量化矩阵进行编码，当编码器为一般模式时，根据默认之量化矩阵进行编码。由于该发明在紧急模式时将默认之量化矩阵放大，因此可有效地降低量化比例因子，避免视频缓冲核验器数据量不足，且编码后之影像品质可提升。

公开(公告)号：TWI221740B

公开(公告)日：2004-10-01

申请号：TW092118773

申请日：2003-07-09

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 張永清 CHANG, YUNG CHING

IPC: H04N

Abstract: 一種具有支持編輯場景改變功能的視訊編碼方法。該視訊編碼方法包含下列步驟：擷取圖像，係以顯示順序擷取圖像資料並儲存；偵測場景改變，係偵測圖像PICn是否發生場景改變，若沒有發生場景改變，則以編碼順序編碼圖像，若有發生場景改變，則進行特殊編碼處理。特殊編碼處理包含下列步驟：確認上一張圖像PICn-1是否為參考圖像，若上一張圖像PICn-1不為參考圖像時，則進行第一與第三階段編碼，否則進行第二與第三階段編碼。第一階段編碼係將上一張圖像PICn-1重新編碼為P-圖像；第二階段編碼係編碼上一張圖像PICn-1之前的B-圖像；第三階段編碼則啟動一個新的圖像群組，並將圖像PICn+M-1編碼為I-圖像，之後將圖像PICn至PICn+M-2編碼為B-圖像，且該等B-圖像僅參考圖像PICn+M-1。由於本發明在編碼時已經考慮場景改變的狀態，而重新啟動一個新的GOP，因此影像編輯處理時可以直接切割不同的GOP，而不需重新編碼，不但使編輯速度可以提昇，且不會因編輯而造成影像失真。

Abstract in simplified Chinese: 一种具有支持编辑场景改变功能的视频编码方法。该视频编码方法包含下列步骤：截取图像，系以显示顺序截取图像数据并存储；侦测场景改变，系侦测图像PICn是否发生场景改变，若没有发生场景改变，则以编码顺序编码图像，若有发生场景改变，则进行特殊编码处理。特殊编码处理包含下列步骤：确认上一张图像PICn-1是否为参考图像，若上一张图像PICn-1不为参考图像时，则进行第一与第三阶段编码，否则进行第二与第三阶段编码。第一阶段编码系将上一张图像PICn-1重新编码为P-图像；第二阶段编码系编码上一张图像PICn-1之前的B-图像；第三阶段编码则启动一个新的图像群组，并将图像PICn+M-1编码为I-图像，之后将图像PICn至PICn+M-2编码为B-图像，且该等B-图像仅参考图像PICn+M-1。由于本发明在编码时已经考虑场景改变的状态，而重新启动一个新的GOP，因此影像编辑处理时可以直接切割不同的GOP，而不需重新编码，不但使编辑速度可以提升，且不会因编辑而造成影像失真。

公开(公告)号：TW200418267A

公开(公告)日：2004-09-16

申请号：TW092105129

申请日：2003-03-10

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 吳璟琳 WU, CHING LIN ,  劉先鳳 LIU, HSIEN FEN ,  劉鴻志 LIU, HUNG CHIH

IPC: H03K

Abstract: 本發明是一種作用於高速及高頻的抑制線路，包含一個抑制輸入單元，一個低振幅前置放大器及一個取樣與判定線路。此抑制輸入單元預先處理一輸入訊號的正相與反相訊號，以產生四個預先處理過的訊號兩兩一對遞送至此低振幅前置放大器，然後此低振幅前置放大器的輸出經由此取樣與判定線路做擴大取樣，再由多相位時脈用來控制在此取樣與判定線路中的擴大取樣。然後一個邏輯線路根據多個樣本而決定此輸入訊號的狀態。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是一种作用于高速及高频的抑制线路，包含一个抑制输入单元，一个低振幅前置放大器及一个采样与判定线路。此抑制输入单元预先处理一输入信号的正相与反相信号，以产生四个预先处理过的信号两两一对递送至此低振幅前置放大器，然后此低振幅前置放大器的输出经由此采样与判定线路做扩大采样，再由多相位时脉用来控制在此采样与判定线路中的扩大采样。然后一个逻辑线路根据多个样本而决定此输入信号的状态。

公开(公告)号：TW200414420A

公开(公告)日：2004-08-01

申请号：TW092101097

申请日：2003-01-20

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 林建元 CHIEN-YUAN LIN ,  楊偉文 WIE-WEN YANG ,  顧子琨 TZU-KUN KU

IPC: H01L

Abstract: 本發明係關於形成鑲嵌結構之阻障層的方法，包含下列步驟：在一半導基底上依序形成導電層、保護層與介電層；將該介電層圖案化並蝕刻形成一開口，露出其下的保護層；接著在半導體基底上順應性沈積一第一金屬阻障層後，移除開口底部的第一金屬阻障層露出保護層；接著移除開口底部的保護層以露出其下的導電層；最後，於該半導體基底上形成第二金屬阻障層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于形成镶嵌结构之阻障层的方法，包含下列步骤：在一半导基底上依序形成导电层、保护层与介电层；将该介电层图案化并蚀刻形成一开口，露出其下的保护层；接着在半导体基底上顺应性沉积一第一金属阻障层后，移除开口底部的第一金属阻障层露出保护层；接着移除开口底部的保护层以露出其下的导电层；最后，于该半导体基底上形成第二金属阻障层。

公开(公告)号：TW594911B

公开(公告)日：2004-06-21

申请号：TW090108475

申请日：2001-04-09

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 林平偉 LIN, PING WEI ,  高明寬 KAO, MING KUAN ,  謝丞忠 HSIEH, CHENG CHUNG

IPC: H01L

Abstract: 一種半導體元件之阻障層孔洞消除方法，其係於高密度電漿化學氣相沉積(HDPCVD)製程中，先通入氫氣並施加偏壓使氬氣形成高密度電漿來對阻障層(Barrier Layer)進行濺擊(Sputter)，以將一阻障層中的孔洞(Void)打開，然後以高密度電漿化學氣相沉積法形成一介電層(Dielectric)，據此，當一半導體元件上形成一阻障層時，則可於介電層形成時，利用電漿將阻障層中的孔洞打開，進而消除阻障層中之孔洞。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件之阻障层孔洞消除方法，其系于高密度等离子化学气相沉积(HDPCVD)制程中，先通入氢气并施加偏压使氩气形成高密度等离子来对阻障层(Barrier Layer)进行溅击(Sputter)，以将一阻障层中的孔洞(Void)打开，然后以高密度等离子化学气相沉积法形成一介电层(Dielectric)，据此，当一半导体组件上形成一阻障层时，则可于介电层形成时，利用等离子将阻障层中的孔洞打开，进而消除阻障层中之孔洞。

公开(公告)号：TW200410392A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：TW091136086

申请日：2002-12-13

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 柯明道 ,  李健銘 ,  羅文裕

IPC: H01L

Abstract: 本發明係一種關於避免高頻射頻積體電路受到靜電放電傷害的裝置。此裝置包含至少一個堆疊的變抗器–電感電容電路槽，以避免功率增益因靜電放電電路之寄生電容而耗損。此變抗器–電感電容槽可被設計共振在射頻運轉頻率，以避免功率增益因靜電放電電路之寄生電容而耗損。多個電感電容槽能被堆疊以減少更多的功率增益耗損。反向偏壓二極體是被用來作為變抗器，以達到阻抗匹配和有效的靜電放電電流路徑之雙重目的。因為電感器是由金屬製成，故當發生靜電放電情況時，電感器和變抗器都可排放靜電放電電流。本發明能提供射頻積體電路足夠高的靜電放電防護能力，以避免靜電放電之損傷。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种关于避免高频射频集成电路受到静电放电伤害的设备。此设备包含至少一个堆栈的变抗器–电感电容电路槽，以避免功率增益因静电放电电路之寄生电容而耗损。此变抗器–电感电容槽可被设计共振在射频运转频率，以避免功率增益因静电放电电路之寄生电容而耗损。多个电感电容槽能被堆栈以减少更多的功率增益耗损。反向偏压二极管是被用来作为变抗器，以达到阻抗匹配和有效的静电放电电流路径之双重目的。因为电感器是由金属制成，故当发生静电放电情况时，电感器和变抗器都可排放静电放电电流。本发明能提供射频集成电路足够高的静电放电防护能力，以避免静电放电之损伤。

公开(公告)号：TW200410126A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：TW091135532

申请日：2002-12-09

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 劉銓 ,  鄒志賢 ,  金榆植

IPC: G06F

Abstract: 本發明提供一種數位式音訊的方法，其包含安裝一軟體程式於一電腦內，用以藉由內置的加權最小均方根演算法來計算一取樣速率轉換(SRC)濾波器的脈衝響應。該加權最小均方根演算法也可利用一數位信號處理器或一特定積體電路來執行。如此，本發明可效地極小化軟體配置時所需的計算次方。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种数码式音频的方法，其包含安装一软件进程于一电脑内，用以借由内置的加权最小均方根算法来计算一采样速率转换(SRC)滤波器的脉冲响应。该加权最小均方根算法也可利用一数码信号处理器或一特定集成电路来运行。如此，本发明可效地极小化软件配置时所需的计算次方。