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公开(公告)号：CN101855713B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880111041.0
申请日：2008-08-07
Applicant: M技术株式会社
Inventor： 榎村真一
IPC: H01L21/368 , B01J19/00 , B82B3/00 , C01B33/023 , C01G9/08
CPC classification number: H01L33/0083 , B01F7/00 , B01F7/00758 , B01F7/00791 , B82Y30/00 , B82Y35/00 , C01G9/08 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01L21/02521 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L33/005 , H01L33/26 , H01L33/285 , H01L51/0094 , Y10S516/927 , Y10S516/928 , Y10S977/896
Abstract: 本发明的课题为提供，可根据目的制造单分散的化合物半导体微粒、并且通过自我排出性也没有产物的堵塞、不需要很大的压力、而且生产率高的制造方法；使半导体原料在流体中析出·沉淀来制造化合物半导体微粒时，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成薄膜流体；在该薄膜流体中，使半导体原料析出·沉淀。另外，使含有半导体元素的化合物在流体中与还原剂发生反应来制造含有前述半导体元素的半导体微粒时，将上述流体在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成薄膜流体；在该薄膜流体中，使含有上述半导体元素的化合物和还原剂发生反应。
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公开(公告)号：CN102905783A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201080066979.2
申请日：2010-05-25
Applicant: M技术株式会社
Inventor： 榎村真一
CPC classification number: C01G9/02 , B01D9/00 , B01D11/04 , B01J19/1887 , C01F5/22 , C01G9/003 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/80 , C09C1/02
Abstract: 本发明实现使用在可接近·分离地相对进行旋转的处理用部中的处理用面之间进行流体的处理的装置，制造控制了掺杂元素量的析出物质、特别是金属化合物的方法的提供。使用在可接近·分离地相对进行旋转的处理用部中的处理用面(1、2)之间进行流体的处理的装置，混合掺杂元素或含掺杂元素物质而使被析出物质析出，其中所述掺杂元素或含掺杂元素物质在将被析出物质在溶剂中溶解了的原料溶液和析出用溶剂、上述原料溶液的溶剂、上述析出用溶剂、或者上述原料溶液及上述析出用溶剂以外的溶剂的至少任一的溶剂中溶解。此时，通过控制掺杂元素或含掺杂元素物质对于析出用溶剂的溶解度，得到掺杂元素量受到控制了的析出物质。
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公开(公告)号：CN102822286A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016024.0
申请日：2011-03-04
Applicant: M技术株式会社
CPC classification number: C09B67/0026 , C09B67/0019 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明的课题为提供含有至少一种具有高分光特性、且为与α型不同的结晶型的铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁微粒的制造方法。提供含有至少一种为与α型不同的结晶型、且在380～780nm中的吸收光谱为α型吸收光谱的形状的铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁颜料的制造方法。另外，提供含有至少一种与α型及ε型的2种型不同的结晶型、且在380～780nm中的透射光谱中透射率达到最大的波长(λmax)低于478nm的铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁微粒的制造方法。
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公开(公告)号：CN102574095A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201180004248.X
申请日：2011-02-21
Applicant: M技术株式会社
Inventor： 榎村真一
CPC classification number: B01F7/00775 , B01F3/0807 , B01F7/00791 , B01J19/1887 , Y10T137/598 , Y10T137/8593 , Y10T137/87652
Abstract: 本发明提供在可以接近·分离的相对进行旋转的处理用面(1、2)之间进行被处理物处理的流体处理装置，其将第1流体导入处理用面(1、2)间，从与该流体独立的其它流路(d2)将第2流体导入处理用面(1、2)间，在处理用面(1、2)间混合·搅拌来进行处理。该装置的处理用部(20)通过装配分开的多个的处理用部构成部件(20a、20b)来构成。在多个的处理用部构成部件(20a、20b)的空间内形成开口部(d20)及流路(d2)。由此，不需要将作为处理用部(20)的环状圆盘的全部制成一块，另外不需要对与连通开口部(d20)的流路(d2)实质上进行加工，可以容易地进行拆卸·清洗。
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公开(公告)号：CN101790430B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880104163.7
申请日：2008-07-04
Applicant: M技术株式会社
Inventor： 榎村真一
IPC: B22F9/24
CPC classification number: B22F9/24 , B01J13/0043
Abstract: 本发明使用在可接近和分离地相互相向配置的且至少一方相对于另一方旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中均匀搅拌和混合的反应装置，通过使含有高分子分散剂及金属化合物的水溶液在上述薄膜中与还原剂水溶液合流，在薄膜流体中一边均匀地混合一边进行还原反应，从而获得金属微粒子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101868316B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200880109307.8
申请日：2008-09-11
Applicant: M技术株式会社
Inventor： 榎村真一
CPC classification number: H01F1/447 , B01D9/0054 , B01F7/00775 , B01F7/00791 , B01F7/00875 , B01J19/1887 , B01J2219/00139 , B22F1/0022 , B22F2001/0092 , B82Y30/00 , C22C2202/02 , H01F1/405 , Y10S977/896
Abstract: 本发明的课题为提供可制造单分散的磁性体微粒、且由于自排出性也没有生成物的堵塞、不需要大的压力、而且生产率也高的磁性体微粒的制造方法；至少使用2种的流体，其中至少1种的流体含有至少1种的磁性体原料，上述以外的流体中的至少1种流体含有至少1种磁性体微粒析出剂，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面间所形成的薄膜流体中，使上述的各流体合流，在前述的薄膜流体中使磁性体微粒析出而得到磁性体微粒。
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公开(公告)号：CN102343442A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110295448.7
申请日：2008-07-04
Applicant: M技术株式会社
Inventor： 榎村真一
IPC: B22F9/24
CPC classification number: B22F9/24 , B01J13/0043
Abstract: 本发明提供金属微粒子的制造方法，使用在可接近和分离地相互相向配置的且至少一方相对于另一方旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中均匀搅拌和混合的反应装置，通过使含有高分子分散剂及金属化合物的水溶液在上述薄膜中与还原剂水溶液合流，在薄膜流体中一边均匀地混合一边进行还原反应，从而获得金属微粒子。
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公开(公告)号：CN101801520A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107912.1
申请日：2008-09-11
Applicant: M技术株式会社
Inventor： 榎村真一
IPC: B01J19/00 , B01D9/02 , B82B3/00 , A61K9/10 , A61K9/14 , A61K31/522 , A61K47/44 , A61P31/12 , A61P31/22
CPC classification number: B01D9/0013 , A61K9/146 , A61K9/5089 , B01D9/0031 , B01D9/0081 , B01J19/10 , B01J19/123 , B01J19/1887 , B01J2219/00094 , B01J2219/00137 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明的课题提供可制造单分散的微粒、且通过自我排出性没有产物的堵塞、不需要大的压力、另外生产率也高的微粒的制造方法；将溶解有至少1种的微粒原料的流体导入可接近·分离地相互对向地配置的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面间而形成薄膜流体，通过冷却或加热(加温)该薄膜流体而使饱和溶解度变化，使微粒析出。
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公开(公告)号：CN101790430A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200880104163.7
申请日：2008-07-04
Applicant: M技术株式会社
Inventor： 榎村真一
IPC: B22F9/24
CPC classification number: B22F9/24 , B01J13/0043
Abstract: 本发明使用在可接近和分离地相互相向配置的且至少一方相对于另一方旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中均匀搅拌和混合的反应装置，通过使含有高分子分散剂及金属化合物的水溶液在上述薄膜中与还原剂水溶液合流，在薄膜中一边均匀地混合一边进行还原反应，从而获得金属微粒子。
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公开(公告)号：CN101784346A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104248.5
申请日：2008-07-04
Applicant: M技术株式会社
Inventor： 榎村真一
IPC: B02C7/14 , B01F7/26 , B01J19/00 , B41J2/01 , B41M5/00 , C09B67/02 , C09B67/10 , C09B67/20 , C09D11/00
CPC classification number: B01J19/0093 , B01F7/00758 , B01F7/00791 , B01J19/10 , B01J19/123 , B01J19/1887 , B01J2219/00094 , B01J2219/00137 , C09B67/0022 , C09B67/0091 , Y10T137/0396 , Y10T137/6416 , Y10T137/8593 , Y10T137/85978
Abstract: 在可接近和分离的至少一方相对于另一方相对旋转的处理用面间进行流体的处理。使用旋转处理用面的中央部的处理用面上所实施的凹槽部(13)所发生的微泵效果，将含有被处理物的第1流体导入处理用面(1、2)之间。从与该被导入了的流体的流路独立的、具有通向处理方面间的开口部(d20)的另外的流路(d2)，导入含有被处理物的第2流体，在处理用面(1、2)间混合搅拌，并进行处理。第2流体从朝向处理用面的上述开口部(d20)的导入方向，在沿着上述处理用面的平面中具有方向性。该第2流体的导入方向，相对于处理用面的半径方向的成分为从中心远离的外方向，而且，对于旋转的处理用面间的流体的旋转方向的成分为顺时针方向。
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