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公开(公告)号：CN108886062A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201880001531.9
申请日：2018-01-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/82 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC classification number: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明的自旋流磁化旋转元件具备第一铁磁性金属层和自旋轨道转矩配线，所述自旋轨道转矩配线为自旋传导层和界面自旋产生层交替层叠的结构，所述自旋传导层中的一个最接近于所述第一铁磁性金属层。
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公开(公告)号：CN108604573A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009225.5
申请日：2017-04-14
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L21/8239 , G06N3/06 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 本发明所涉及的磁壁利用型模拟存储元件(100)具备：磁壁驱动层(1)，具有磁壁(DW)、第1区域(1a)、第2区域(1b)、位于第1区域与第2区域之间的第3区域(1c)；磁化固定层(5)，经由非磁性层(6)被设置于第3区域；下部电极层(4)，在第3区域的设置有磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于从俯视图看与磁化固定层相重叠的位置。
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公开(公告)号：CN108391452A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201780004344.1
申请日：2017-09-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC classification number: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明的磁化反转元件依次具有：单晶基板、磁化稳定化层、第一铁磁性金属层和接合层，至少上述单晶基板、上述磁化稳定化层及上述第一铁磁性金属层单晶化。
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公开(公告)号：CN108292704A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068776.4
申请日：2016-11-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
CPC classification number: G11B5/39 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H03B15/00
Abstract: 该自旋流磁化反转元件包括：磁化方向可变的第一铁磁性金属层；和在与所述第一铁磁性金属层的法线方向即第一方向交叉的第二方向上延伸，并与所述第一铁磁性金属层(1)的第一面接合的自旋轨道转矩配线，自旋轨道转矩配线由与第一铁磁性金属层接合的纯自旋流产生部，和与第二方向的纯自旋流产生部(2A)的两端连接，并由电阻率比纯自旋流产生部小的材料形成的低电阻部构成，纯自旋流产生部以与第一方向正交的截面的面积随着在第一方向上远离与第一铁磁性金属层接合的接合面而连续地和/或阶梯地变大的方式而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108010548A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711057038.2
申请日：2017-10-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: H01L43/04 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/14
Abstract: 本发明目的在于，提供一种能够降低反转电流且能够提高集成度的磁存储器，具备：多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，并保持信息；多个第一控制元件，其控制信息的读入，在多个第一铁磁性金属层每一层连接有一个；多个自旋轨道转矩配线，其沿相对于磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，在第二铁磁性金属层的每一层接合一个；多个第二控制元件，其控制流经自旋轨道转矩配线的电流，在自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接一个；第三控制元件，其分别连接于多个自旋轨道转矩配线的第二连接点，控制信息的写入。
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公开(公告)号：CN107887504A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710897489.0
申请日：2017-09-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
Abstract: 本发明提供一种在高的偏压下产生比使用了现有的隧道势垒的TMR元件更高的MR比的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件，其特征在于，具备层叠体，该层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、以及第二铁磁性金属层，所述基底层由NbN、TaN或它们的混晶构成，所述隧道势垒层由具有阳离子排列不规则的尖晶石结构的、下述组成式(1)表示的化合物构成，(1)：AxB2Oy，式中，A表示2种以上的非磁性元素的二价阳离子，B表示铝离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。
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公开(公告)号：CN107408625A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680019511.5
申请日：2016-03-29
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/26 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 该磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、和被所述第一及第二铁磁性金属层夹持的隧道势垒层，具有被所述第一及第二铁磁性金属层夹持的隧道势垒层，所述隧道势垒层由组成式AB2Ox(0＜x≦4)表示，并且是阳离子排列不规则的尖晶石结构，所述隧道势垒层具有与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层两者晶格匹配的晶格匹配部、和与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少一者晶格不匹配的晶格不匹配部，A位点为多个非磁性元素的二价阳离子，B位点为铝离子，所述组成式中，二价阳离子的元素数低于铝离子的元素数的一半。
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公开(公告)号：CN105745760A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480063657.0
申请日：2014-11-14
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01L29/1033 , H01L29/66984 , H01L29/82 , H01L43/02
Abstract: 在使用了半导体的自旋传导元件中，与现有的GMR元件或TMR元件相比，存在元件电阻变大，并且难以获得大的磁阻比问题。本发明涉及一种磁阻效应元件，其特征在于：具备半导体通道层3、被设置于半导体通道层3上的第1强磁性层12A和与第1强磁性层12A分开设置的第2强磁性层12B、与第1强磁性层12A以及第2强磁性层12B分开设置的非磁性的第1参考电极20，电流经由半导体通道层3从第2强磁性层12B被输入到第1强磁性层12A，并输出第2强磁性层12B与第1参考电极20之间的电压。
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公开(公告)号：CN102194466A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110045918.4
申请日：2011-02-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G01R33/1284 , B82Y25/00 , G01R33/093
Abstract: 本发明提供一种磁性传感器、磁性检测装置以及磁头。本发明的磁性传感器具备第一强磁性体(12A)、第二强磁性体(12B)、从第一强磁性体(12A)延伸至第二强磁性体(12B)的通道(7)、覆盖通道(7)的隔磁套(S2)、被设置于通道(7)与隔磁套(S2)之间的绝缘膜(7b)；隔磁套(S2)具有朝着通道(7)延伸的贯通孔(H)。
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