집적 회로 개시 장치
    171.
    发明公开
    집적 회로 개시 장치 审中-公开
    集成电路启动器

    公开(公告)号:KR20180020212A

    公开(公告)日:2018-02-27

    申请号:KR20187000890

    申请日:2016-06-27

    CPC classification number: F42B3/13 F42B3/198 F42C19/0811

    Abstract: 본발명의일 실시양태에따르면, 전기절연층이제공되는회로기판; 상기절연층사에증착된전기전도성브릿지회로; 접촉영역들로패터닝되는상기브릿지회로및 상기접촉영역들을연결하는브릿지구조, -상기브릿지구조는상기접촉영역들이접촉하는개시회로에의해상기브릿지구조하녹을때 플라즈마를형성하기위해배열되는-; 및상기기판으로부터밀려나가는비행편을형성하기위한상기브릿지구조상에스핀코팅된중합체층을포함하는집적회로개시장치(integrated circuit initiator device)가제공된다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施例,提供了一种电路板,包括:电绝缘层; 沉积在绝缘层上的导电桥电路; 电桥电路图案化为接触区域和连接所述接触区域的桥结构,其中所述桥式结构被布置以形成一个等离子体,当齿桥结构和由所述接触区域的启动电路熔化相接触; 并且提供了一种包括在桥结构一个旋涂的聚合物层的集成电路引发剂(引发剂集成电路装置),以形成从衬底压出一个航班。

    用以執行次表面成像之方法與系統
    175.
    发明专利
    用以執行次表面成像之方法與系統 审中-公开
    用以运行次表面成像之方法与系统

    公开(公告)号:TW201840982A

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:TW107101280

    申请日:2018-01-12

    Abstract: 本發明係有關於一種執行一基材表面下之一基材中之嵌入式結構之次表面成像之方法,該方法包含以下步驟:施加,利用一信號施加致動器,一聲波輸入信號至該基材,檢測,利用一振動感測器,來自該基材之一回答信號以及分析該回答信號以獲得該等嵌入式結構上之資訊,俾使其能夠成像其中施加該聲波輸入信號之該步驟包含施加一聲波信號成分之一非連續性信號至該基材,該聲波信號成分具有高於1千兆赫之一頻率,因此該回答信號包含由該等嵌入式結構散射之該非連續性信號之一散射部分。本發明進一步係有關於一系統。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种运行一基材表面下之一基材中之嵌入式结构之次表面成像之方法,该方法包含以下步骤:施加,利用一信号施加致动器,一声波输入信号至该基材,检测,利用一振动传感器,来自该基材之一回答信号以及分析该回答信号以获得该等嵌入式结构上之信息,俾使其能够成像其中施加该声波输入信号之该步骤包含施加一声波信号成分之一非连续性信号至该基材,该声波信号成分具有高于1千兆赫之一频率,因此该回答信号包含由该等嵌入式结构散射之该非连续性信号之一散射部分。本发明进一步系有关于一系统。

    使用包括懸臂樑及探針尖端的探針來偵測樣本之表面上或表面下之結構的方法及系統
    176.
    发明专利
    使用包括懸臂樑及探針尖端的探針來偵測樣本之表面上或表面下之結構的方法及系統 审中-公开
    使用包括悬臂梁及探针尖端的探针来侦测样本之表面上或表面下之结构的方法及系统

    公开(公告)号:TW201840975A

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:TW107101424

    申请日:2018-01-15

    Abstract: 本文獻係有關於一種包括懸臂樑及探針尖端的探針來偵測樣本之表面上或表面下之結構的方法,懸臂樑以包括一基本共振頻率的一或多個共振正規模式為特徵,該方法包括:使用一換能器施加一振動輸入信號至該樣本;在該探針尖端與該表面接觸時,感測表示該探針尖端由該振動輸入信號在該表面誘發之振動引起之運動的一輸出信號;其中,該振動輸入信號至少包含有在10至100百萬赫之範圍內之一頻率的一第一信號分量;與其中,該振動輸入信號為至少使用有低於5百萬赫之一調變頻率之一第二信號分量調變的振幅。本文獻進一步有關於一種掃描探針顯微方法。

    Abstract in simplified Chinese: 本文献系有关于一种包括悬臂梁及探针尖端的探针来侦测样本之表面上或表面下之结构的方法,悬臂梁以包括一基本共振频率的一或多个共振正规模式为特征,该方法包括:使用一换能器施加一振动输入信号至该样本;在该探针尖端与该表面接触时,传感表示该探针尖端由该振动输入信号在该表面诱发之振动引起之运动的一输出信号;其中,该振动输入信号至少包含有在10至100百万赫之范围内之一频率的一第一信号分量;与其中,该振动输入信号为至少使用有低于5百万赫之一调制频率之一第二信号分量调制的振幅。本文献进一步有关于一种扫描探针显微方法。

    原子力顯微術裝置、方法以及微影製程系統
    177.
    发明专利
    原子力顯微術裝置、方法以及微影製程系統 审中-公开
    原子力显微术设备、方法以及微影制程系统

    公开(公告)号:TW201831906A

    公开(公告)日:2018-09-01

    申请号:TW107101423

    申请日:2018-01-15

    Abstract: 一種配置來決定一樣品中的次表面結構之原子力顯微術裝置包括具有一探針的一掃描頭,該探針包含一可撓性載體以及一配置在該可撓性載體上的探針尖端。在該裝置中,一致動器施加一聲波輸入信號至該探針,而一尖端位置偵測器在掃描期間測量該探針尖端相對於該掃描頭的運動,並且提供一表示該運動的輸出信號,該輸出信號由一控制器所接收與分析。該探針尖端的至少一末端部分在一遠離該可撓性載體朝向該探針尖端之一末端的方向上呈推拔。該末端部分在一距該末端的距離Dend之處具有一最大橫截面面積Amax,該最大橫截面面積Amax的平方根是至少100 nm,而該距離Dend是落在該平方根的數值之0.2至2倍。

    Abstract in simplified Chinese: 一种配置来决定一样品中的次表面结构之原子力显微术设备包括具有一探针的一扫描头,该探针包含一可挠性载体以及一配置在该可挠性载体上的探针尖端。在该设备中,一致动器施加一声波输入信号至该探针,而一尖端位置侦测器在扫描期间测量该探针尖端相对于该扫描头的运动,并且提供一表示该运动的输出信号,该输出信号由一控制器所接收与分析。该探针尖端的至少一末端部分在一远离该可挠性载体朝向该探针尖端之一末端的方向上呈推拔。该末端部分在一距该末端的距离Dend之处具有一最大横截面面积Amax,该最大横截面面积Amax的平方根是至少100 nm,而该距离Dend是落在该平方根的数值之0.2至2倍。

    判定重疊誤差之方法、用以製造多層半導體裝置之方法、原子力顯微鏡裝置、微影系統及半導體裝置
    178.
    发明专利
    判定重疊誤差之方法、用以製造多層半導體裝置之方法、原子力顯微鏡裝置、微影系統及半導體裝置 审中-公开
    判定重叠误差之方法、用以制造多层半导体设备之方法、原子力显微镜设备、微影系统及半导体设备

    公开(公告)号:TW201809656A

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:TW106120199

    申请日:2017-06-16

    Abstract: 使用一原子力顯微術系統對介於一多層半導體裝置之諸裝置層之間的一重疊誤差進行判定之方法,其中該半導體裝置包括含有一第一圖型化層及一第二圖型化層之一裝置層堆疊,以及其中該原子力顯微術系統包含一掃描頭,該掃描頭包括一探針,該探針包含一懸臂及布置在該懸臂上之一探測尖端,其中該方法包含:使該探測尖端與該半導體裝置在平行於表面之一或多個方向彼此相對移動,以供利用該探測尖端對該表面進行掃描;以及在該掃描期間以一尖端位置偵檢器監測該探測尖端相對於該掃描頭之動作,用於取得一輸出信號; 其中該方法更包含:在該掃描期間,對該探針或該半導體裝置其中至少一者以一第一頻率施加包含一信號分量之一第一聲學輸入信號;分析該輸出信號,用於至少映射該半導體裝置之該表面下面之次表面奈米結構;以及基於該分析,對介於該第一圖型化層與該第二圖型化層之間的該重疊誤差進行判定。

    Abstract in simplified Chinese: 使用一原子力显微术系统对介于一多层半导体设备之诸设备层之间的一重叠误差进行判定之方法,其中该半导体设备包括含有一第一图型化层及一第二图型化层之一设备层堆栈,以及其中该原子力显微术系统包含一扫描头,该扫描头包括一探针,该探针包含一悬臂及布置在该悬臂上之一探测尖端,其中该方法包含:使该探测尖端与该半导体设备在平行于表面之一或多个方向彼此相对移动,以供利用该探测尖端对该表面进行扫描;以及在该扫描期间以一尖端位置侦检器监测该探测尖端相对于该扫描头之动作,用于取得一输出信号; 其中该方法更包含:在该扫描期间,对该探针或该半导体设备其中至少一者以一第一频率施加包含一信号分量之一第一声学输入信号;分析该输出信号,用于至少映射该半导体设备之该表面下面之次表面奈米结构;以及基于该分析,对介于该第一图型化层与该第二图型化层之间的该重叠误差进行判定。

    適型矩陣顯示器裝置
    179.
    发明专利
    適型矩陣顯示器裝置 审中-公开
    适型矩阵显示器设备

    公开(公告)号:TW201743305A

    公开(公告)日:2017-12-16

    申请号:TW106117465

    申请日:2017-05-25

    Abstract: 一種適型矩陣型顯示器裝置被提供具有在該適型載體上的列導體,每一個用於該像素電路矩陣的一各別列。每一個列導體在該各別列中該等像素電路之間的空間中具有蛇形軌道。電源電壓及選擇脈衝信號通過相同的列導體被傳送。每一個列導體被連接到在該各別列中該等像素電路之供應電壓及選擇輸入。每一個像素電路具有一脈衝傳輸電路,該脈衝傳輸電路被耦合在一解多工電路之該選擇輸入與該控制輸入之間,該解多工電路用於解多工在行導體上的資料信號。以這種方式,該電源電壓及該選擇信號可被提供成共享使用在該等像素電路之間的該空間。因此,在該矩陣顯示器裝置中的該導體數量會被減少,這使得在該等導體之間及/或在該等導體中彎曲之間的距離更大,其使得該電路更可拉伸及/或更可彎曲。

    Abstract in simplified Chinese: 一种适型矩阵型显示器设备被提供具有在该适型载体上的列导体,每一个用于该像素电路矩阵的一各别列。每一个列导体在该各别列中该等像素电路之间的空间中具有蛇形轨道。电源电压及选择脉冲信号通过相同的列导体被发送。每一个列导体被连接到在该各别列中该等像素电路之供应电压及选择输入。每一个像素电路具有一脉冲传输电路,该脉冲传输电路被耦合在一解多任务电路之该选择输入与该控制输入之间,该解多任务电路用于解多任务在行导体上的数据信号。以这种方式,该电源电压及该选择信号可被提供成共享使用在该等像素电路之间的该空间。因此,在该矩阵显示器设备中的该导体数量会被减少,这使得在该等导体之间及/或在该等导体中弯曲之间的距离更大,其使得该电路更可拉伸及/或更可弯曲。

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