公开(公告)号：TW589532B

公开(公告)日：2004-06-01

申请号：TW090132950

申请日：2001-12-28

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 葉國煒 YEH, KUO WEI ,  劉元卿 LIU, YUAN CHIN

IPC: G06F

Abstract: 一種電腦繪圖系統中顯示記憶體請求的仲裁(Arbitration)方法，係在同一時間週期中連續服務(Service)具有同樣形式的記憶體請求(Request)，使頁擊中(Page-Hit)的機率增加。其中，本發明仲裁方法可由3-D繪圖引擎的設計，依照記憶體循環週期(Cycle)的數量、或者請求的數量來定義一個時間週期(Period)的固定長度，以控制所服務的請求數量。此時間週期之長度可為服務由單一方塊(Tile)或數個方塊所構成的區塊(Block)，所需的循環週期數量來定義。或者，不定義時間週期的固定長度，而由3-D繪圖引擎對繪圖區塊中請求的末端部分標定一訊息，使記憶體控制器可由此區域末端(Block-End)訊息，來判定是否進行下一形式的請求服務。本發明之仲裁方法係根據3-D管線技術的屬性來對記憶體請求進行分組與服務，而可具有減少頁遺失(Page-Miss)與讀寫轉向次數的優點，使得資料存取更有效率。

Abstract in simplified Chinese: 一种电脑绘图系统中显示内存请求的仲裁(Arbitration)方法，系在同一时间周期中连续服务(Service)具有同样形式的内存请求(Request)，使页击中(Page-Hit)的概率增加。其中，本发明仲裁方法可由3-D绘图发动机的设计，依照内存循环周期(Cycle)的数量、或者请求的数量来定义一个时间周期(Period)的固定长度，以控制所服务的请求数量。此时间周期之长度可为服务由单一方块(Tile)或数个方块所构成的区块(Block)，所需的循环周期数量来定义。或者，不定义时间周期的固定长度，而由3-D绘图发动机对绘图区块中请求的末端部分标定一消息，使内存控制器可由此区域末端(Block-End)消息，来判定是否进行下一形式的请求服务。本发明之仲裁方法系根据3-D管线技术的属性来对内存请求进行分组与服务，而可具有减少页遗失(Page-Miss)与读写转向次数的优点，使得数据存取更有效率。

公开(公告)号：TW200409047A

公开(公告)日：2004-06-01

申请号：TW091133664

申请日：2002-11-18

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 廖明豪 LIAO, MING-HAO ,  邱永豐 ,  呂忠晏 LU, CHUNG YEN

IPC: G06T

Abstract: 一種直線繪畫裝置，其係利用複數個像素顯示一直線，包括一第一參數產生模組、一第二參數產生模組、一儲存模組、一擷取模組以及一運算模組。其中，第一參數產生模組係依據直線之斜率產生一第一參數，第二參數產生模組係依據像素與直線在軸向的距離產生一第二參數，儲存模組係儲存一對照表，其記錄有至少一混合係數以及第一參數、第二參數與混合係數的關聯性，擷取模組係接收第一參數及第二參數，並依據第一參數及第二參數自對照表中取得混合係數，最後運算模組係依據混合係數計算出像素之顏色。另外，本發明亦揭露一種上述裝置所應用的直線繪畫方法。

Abstract in simplified Chinese: 一种直线绘画设备，其系利用复数个像素显示一直线，包括一第一参数产生模块、一第二参数产生模块、一存储模块、一截取模块以及一运算模块。其中，第一参数产生模块系依据直线之斜率产生一第一参数，第二参数产生模块系依据像素与直线在轴向的距离产生一第二参数，存储模块系存储一对照表，其记录有至少一混合系数以及第一参数、第二参数与混合系数的关联性，截取模块系接收第一参数及第二参数，并依据第一参数及第二参数自对照表中取得混合系数，最后运算模块系依据混合系数计算出像素之颜色。另外，本发明亦揭露一种上述设备所应用的直线绘画方法。

公开(公告)号：TW587304B

公开(公告)日：2004-05-11

申请号：TW092104770

申请日：2003-03-06

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 陳振隆 ZHEN-LONG CHEN ,  林平偉 LIN, PING WEI ,  聶俊峰 CHUN-FENG NIEH ,  鄭豐緖 FUNG-HSU CHENG

IPC: H01L

Abstract: 本發明係關於一種在半導體基底上，具有良好填溝能力的淺溝槽隔離結構製造方法。首先，在半導體基底上形成溝槽，並在該溝槽之底部與側壁依序形成內襯氧化物層與內襯氮化矽層。接著在該溝槽中順應性的沈積部分高密度電漿氧化物層(HDP oxide)。接著，在半導體基底表面順應性的形成一多晶矽層，再將半導體基底進行熱處理以氧化該多晶矽層。接著將該半導體基底表面進行平坦化製程，以形成淺溝槽隔離結構(STI)。藉由該高密度電漿氧化物與氧化後的多晶矽層，可以在溝槽中形成填充良好無孔洞的隔離結構。伍、(一)、本案代表圖為：第1E圖。
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
100~半導體矽基底；
101~墊氧化物層；
102~氮化矽層；
104~溝槽；
106~內襯氧化物層；
110~氧化物層；
112~多晶矽層；
112’~氧化多晶矽層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种在半导体基底上，具有良好填沟能力的浅沟槽隔离结构制造方法。首先，在半导体基底上形成沟槽，并在该沟槽之底部与侧壁依序形成内衬氧化物层与内衬氮化硅层。接着在该沟槽中顺应性的沉积部分高密度等离子氧化物层(HDP oxide)。接着，在半导体基底表面顺应性的形成一多晶硅层，再将半导体基底进行热处理以氧化该多晶硅层。接着将该半导体基底表面进行平坦化制程，以形成浅沟槽隔离结构(STI)。借由该高密度等离子氧化物与氧化后的多晶硅层，可以在沟槽中形成填充良好无孔洞的隔离结构。伍、(一)、本案代表图为：第1E图。 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 100~半导体硅基底； 101~垫氧化物层； 102~氮化硅层； 104~沟槽； 106~内衬氧化物层； 110~氧化物层； 112~多晶硅层； 112’~氧化多晶硅层。

公开(公告)号：TW569154B

公开(公告)日：2004-01-01

申请号：TW090125031

申请日：2001-10-09

Applicant: 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 李潤容 RUEN-RONE LEE ,  呂麗淑 LU, LI SHU ,  林士欽 LIN, SHIN CHIN

IPC: H04N ,  G09G ,  G06T

Abstract: 一種於視窗中顯示立體動畫之設備，其係實施於一具有一顯示裝置之電腦系統中，包括一螢幕顯示緩衝器
(On-screen Buffer)以及二覆蓋緩衝器(Overlay Buffer)。螢幕顯示緩衝器儲存欲顯示於顯示裝置之螢幕畫面資料，其包括一覆蓋區域(Overlay Region)。二覆蓋緩衝器(Overlay Buffer)係採取雙緩衝架構
(Double-buffered Architecture)，其中之一儲存欲顯示於覆蓋區域之一目前頁框(current frame)之影像資料，另一則儲存一準備中之下一頁框(next frame)之影像資料。目前頁框之影像資料與下一頁框之影像資料均包含一左眼影像資料及一右眼影像資料，且於掃描到覆蓋區域時，以目前頁框之左眼影像資料與右眼影像資料交替地取代螢幕顯示緩衝器中的螢幕影像資料。

Abstract in simplified Chinese: 一种于窗口中显示三維动画之设备，其系实施于一具有一显示设备之电脑系统中，包括一屏幕显示缓冲器 (On-screen Buffer)以及二覆盖缓冲器(Overlay Buffer)。屏幕显示缓冲器存储欲显示于显示设备之屏幕画面数据，其包括一覆盖区域(Overlay Region)。二覆盖缓冲器(Overlay Buffer)系采取双缓冲架构 (Double-buffered Architecture)，其中之一存储欲显示于覆盖区域之一目前页框(current frame)之影像数据，另一则存储一准备中之下一页框(next frame)之影像数据。目前页框之影像数据与下一页框之影像数据均包含一左眼影像数据及一右眼影像数据，且于扫描到覆盖区域时，以目前页框之左眼影像数据与右眼影像数据交替地取代屏幕显示缓冲器中的屏幕影像数据。

公开(公告)号：TW201823936A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW105141759

申请日：2016-12-16

Applicant: 矽統科技股份有限公司 ,  SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 陳耿男 ,  CHEN, KENG-NAN ,  朱家頤 ,  CHU, CHIA-YI ,  陳翰寧 ,  CHEN, HAN-NING ,  林文琦 ,  LIN, WEN-CHI ,  陳惠忠 ,  CHEN, HUI-CHUNG

IPC: G06F3/0354

Abstract: 一種主動式觸控筆包含觸壓元件與壓力感測模組。觸壓元件的一端設置於該主動式觸控筆的筆尖部，且用以接受外部壓力。壓力感測模組連接觸壓元件。壓力感測模組用以產生震盪信號。當觸壓元件接收外部壓力且外部壓力小於第一門檻值時，震盪信號以第一頻率震盪。當觸壓元件接收外部壓力且外部壓力達到第一門檻值時，震盪信號的震盪頻率被調整為第二頻率。第一頻率與第二頻率之間的差值大於第二門檻值。

Abstract in simplified Chinese: 一种主动式触摸笔包含触压组件与压力传感模块。触压组件的一端设置于该主动式触摸笔的笔尖部，且用以接受外部压力。压力传感模块连接触压组件。压力传感模块用以产生震荡信号。当触压组件接收外部压力且外部压力小于第一门槛值时，震荡信号以第一频率震荡。当触压组件接收外部压力且外部压力达到第一门槛值时，震荡信号的震荡频率被调整为第二频率。第一频率与第二频率之间的差值大于第二门槛值。

公开(公告)号：TW201816578A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW105135183

申请日：2016-10-28

Applicant: 矽統科技股份有限公司 ,  SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 游薪軒 ,  YU, HSIN-HSUAN ,  郭錦華 ,  KUO, CHIN-HUA

IPC: G06F3/044

Abstract: 一種觸控偵測方法，適於具有多個感測單元的觸控面板，所述方法包括下列步驟：偵測該些感測單元對應的多個感測值。選擇該些感測值中局部最大的一第一感測值。判斷該些感測單元中，該第一感測值所對應的一第一感測單元。從該些感測單元中，選擇位於該第一感測單元的一第一側的一第二感測單元。從該些感測值中，擷取該第二感測單元對應的一第二感測值。依據該第一感測值、該第二感測值、一觸控感測值分佈模型與該第一感測單元的座標值，產生一觸控座標值。

Abstract in simplified Chinese: 一种触摸侦测方法，适于具有多个传感单元的触摸皮肤，所述方法包括下列步骤：侦测该些传感单元对应的多个传感值。选择该些传感值中局部最大的一第一传感值。判断该些传感单元中，该第一传感值所对应的一第一传感单元。从该些传感单元中，选择位于该第一传感单元的一第一侧的一第二传感单元。从该些传感值中，截取该第二传感单元对应的一第二传感值。依据该第一传感值、该第二传感值、一触摸传感值分布模型与该第一传感单元的座标值，产生一触摸座标值。

公开(公告)号：TWI608400B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW105135183

申请日：2016-10-28

Applicant: 矽統科技股份有限公司 ,  SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 游薪軒 ,  YU, HSIN-HSUAN ,  郭錦華 ,  KUO, CHIN-HUA

IPC: G06F3/044

CPC classification number: G06F3/0418 ,  G06F3/044

公开(公告)号：TWI575409B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW104124575

申请日：2015-07-29

Applicant: 矽統科技股份有限公司 ,  SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 朱家頤 ,  CHU, CHIA YI ,  林松生 ,  LIN, SONG SHENG

IPC: G06F3/033 ,  G06F3/041

CPC classification number: G06F3/0416 ,  G06F3/03545 ,  G06F3/0383 ,  G06F3/04883 ,  G06F2203/0384 ,  G06F2203/04104 ,  G06F2203/04106

公开(公告)号：TW201621563A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：TW103142053

申请日：2014-12-03

Applicant: 矽統科技股份有限公司 ,  SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 邱敏彥 ,  CIOU, MIN YAN ,  葉映志 ,  YEH, YING JYH ,  郭錦華 ,  KUO, CHIN HUA

IPC: G06F3/0354

CPC classification number: G06F3/0383 ,  G06F3/03545 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/044

Abstract: 本發明主動式觸控筆具有觸控模組、切換模組、訊號比較模組、控制模組及壓力感測模組。主動式觸控筆與觸控面板的訊號傳輸方法包含以下步驟。以觸控筆偵測觸控面板產生的第一訊號。觸控筆經由第一傳輸路徑，比較第一訊號的強度與參考值。當第一訊號的強度大於參考值時，觸控筆輸出第二訊號給觸控面板。當觸控筆輸出第二訊號給觸控面板後，觸控筆從第一傳輸路徑切換耦接至第二傳輸路徑。觸控筆輸出標頭訊號給觸控面板。當觸控筆偵測到第一時序分佈時，輸出壓力訊號，並依據第二時序分佈輸出壓力訊號中至少一位元給觸控面板。

Abstract in simplified Chinese: 本发明主动式触摸笔具有触摸模块、切换模块、信号比较模块、控制模块及压力传感模块。主动式触摸笔与触摸皮肤的信号传输方法包含以下步骤。以触摸笔侦测触摸皮肤产生的第一信号。触摸笔经由第一传输路径，比较第一信号的强度与参考值。当第一信号的强度大于参考值时，触摸笔输出第二信号给触摸皮肤。当触摸笔输出第二信号给触摸皮肤后，触摸笔从第一传输路径切换耦接至第二传输路径。触摸笔输出标头信号给触摸皮肤。当触摸笔侦测到第一时序分布时，输出压力信号，并依据第二时序分布输出压力信号中至少一比特给触摸皮肤。

公开(公告)号：TW201617768A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW103138438

申请日：2014-11-05

Applicant: 矽統科技股份有限公司 ,  SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP.

Inventor： 游木燦 ,  YU, MU TSAN ,  邱敏彥 ,  CIOU, MIN YAN ,  葉映志 ,  YEH, YING JYH

IPC: G06F1/26 ,  G06F1/32

CPC classification number: G06F1/3203 ,  G06F1/3206 ,  G06F1/3243 ,  Y02D10/152

Abstract: 本發明提供一種電力管理裝置與方法，所述方法包括下列步驟。於第一時段導通第一電流路徑。當第一電流路徑導通且微處理器為關閉時，提供第一電壓至操作端，第一電壓用以選擇性地於第一時段內導通第二電流路徑。當第二電流路徑導通時，提供第二電壓至微處理器，第二電壓用以啟動微處理器。當微處理器為啟動時，微處理器提供第三電壓至操作端，第三電壓用以持續導通第二電流路徑。藉此，增加電力操控的功能。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电力管理设备与方法，所述方法包括下列步骤。于第一时段导通第一电流路径。当第一电流路径导通且微处理器为关闭时，提供第一电压至操作端，第一电压用以选择性地于第一时段内导通第二电流路径。当第二电流路径导通时，提供第二电压至微处理器，第二电压用以启动微处理器。当微处理器为启动时，微处理器提供第三电压至操作端，第三电压用以持续导通第二电流路径。借此，增加电力操控的功能。