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公开(公告)号：CN102393245A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110334244.X
申请日：2011-10-29
Applicant: 中北大学
IPC: G01H3/00
Abstract: 本发明为一种双层封装式硅微抗噪仿生矢量水听器，解决了现有水听器因其透声帽存在缺陷而限制了水听器的探测距离和定位精度等问题。本发明包括通过内部支撑体固定支撑在管壳内的四梁仿生微结构，四梁仿生微结构上粘结有敏感柱体，微结构整体的外部套装有一端敞口、另一端半球形封闭的透声帽，透声帽的敞口端密封固定在管壳上，透声帽内充满介质油，在透声帽的外部还套设有一端为敞口、另一端为半球形封闭的导流罩，导流罩的敞口端密封固定在管壳上，导流罩半球形封闭的顶端开设有一个导流口，透声帽和导流罩之间留有夹层空隙。本发明灵敏度高、矢量指向性好，能减少流噪声对水听器的影响，提高了水听器的信噪比，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101575083B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910074776.7
申请日：2009-06-15
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及红外探测器领域，具体是一种微机械热电堆红外探测器。简化了制作工艺，提高了性能、成品率，制作步骤：①用LPCVD法在硅衬底双面淀积氮化硅薄膜；②光刻、刻蚀掉硅衬底正面的外围氮化硅薄膜；③用LPCVD法、光刻工艺制作若干两端分别位于氮化硅薄膜和硅衬底上的多晶硅条；④用溅射、光刻工艺制作若干同多晶硅条构成热电偶的铝条；⑤用PECVD法在硅衬底正面上淀积氧化硅薄膜；⑥用光刻工艺制作覆盖热电堆热结区的红外吸收层-碳化的光刻胶层；⑦用剥离工艺制作覆盖热电堆冷结区的金属反射层-金层；⑧将硅衬底背面腐蚀形成正四棱台状凹槽。本发明结构设计合理，制作工艺简单，探测器性能高，成品率高，易于实现，发展前景良好。
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公开(公告)号：CN101858745B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010210155.X
申请日：2010-06-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及基于环形谐振腔的全固态微光机电陀螺，包括垂直腔面发射激光器、共振腔增强型探测器、输入光栅、输出光栅、环形谐振腔、输入和输出光波导、分光隔离器；所述垂直腔面发射激光器集成在SOI材料顶层硅层，利用硅基与III-V族化合物半导体基芯片间的键合技术形成；所述共振腔增强型探测器集成在SOI材料上硅层，应用键合技术键合到InGaAs等探测物质的有源区上；其特点是所述环形谐振腔为圆环形形状，所述输入光栅，通过分光隔离器，输入和输出光波导与环形谐振腔，输出光栅集成一体。本发明基于环形谐振腔的全固态微光机电陀螺主要应用在外部角速度的测量，可应用于小卫星甚至微型卫星中。
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公开(公告)号：CN101806585B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010142646.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 中北大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明涉及MEMS器件的形貌测试，具体是一种基于红外光干涉技术的MEMS器件形貌测量方法。解决了以现有红外光干涉技术测量MEMS器件结构形貌存在的操作不易、测量误差较大等问题，基于红外光干涉技术的MEMS器件形貌测量方法，以下列步骤实现：1)对待测MEMS器件进行测量前准备；2)应用干涉仪对待测MEMS器件进行测量，在参考光路的光学透镜前设置与待测MEMS器件同材质的半导体晶片。所述方法合理，操作方便，能高精度体现MEMS器件微结构的形貌状况，利于MEMS器件的质量评定，为改进MEMS器件加工工艺、过程提供依据，促进MEMS器件质量和使用性能的提高。适用于基于半导体材料的MEMS器件内部形貌重构、键合样品键合界面粗糙度评估、MEMS工艺实时在线检测等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101941525A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010298351.7
申请日：2010-09-30
Applicant: 中北大学
IPC: B64D17/54
Abstract: 本发明涉及航空航天领域的记录器回收，具体是一种记录器回收用伞降装备。解决了目前航空航天领域记录器回收不易的问题，包括容纳箱、伞箱；伞箱箱盖一侧盖侧板外壁上固定卡块，相对一侧盖侧板外壁上固定下部翘起的弹簧片；伞箱箱体一侧箱侧板内壁上固定主卡块，相对一侧箱侧板上开设卡槽；主卡块下设蓄能器、启动控制装置，蓄能器活塞柱自由端与弹簧片下部正对；启动控制装置含高度传感器、步进电机、控制单片机，步进电机动力输出轴上固定拨动蓄能器开关的拨片；箱底板上安装压缩弹簧，压缩弹簧与箱盖间放置降落伞，降落伞伞绳与箱底板固定，伞顶上固定GPS定位装置。结构简单、合理，能在回收过程中有效保护记录器，在着陆后能提供定位信息。
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公开(公告)号：CN101857190A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010210817.3
申请日：2010-06-23
Applicant: 中北大学
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明涉及MEMS传感器，具体是一种MEMS传感器在应用环境下使用可靠度的确定方法。确定了MEMS传感器在应用环境下的可靠性指标，步骤如下：1)、测定MEMS传感器能正常工作的温度、振动、冲击三参数的极限应力；2)、统计推断与MEMS传感器温度、振动、冲击三参数极限应力对应的分布函数；3)、统计推断与具体应用环境温度、振动、冲击三参数应力变化对应的分布函数；4)、确定具体应用环境中温度、振动、冲击三参数应力变化分别能引起MEMS传感器失效的概率；5)、确定具体应用环境中MEMS传感器的使用可靠度。以MEMS传感器在具体应用环境中正常工作的总概率P(X)作为MEMS传感器的可靠性指标，将MEMS传感器的可靠性进行量化标定，表明了MEMS传感器在应用环境下的使用可靠度。
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公开(公告)号：CN101806585A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010142646.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 中北大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明涉及MEMS器件的形貌测试，具体是一种基于红外光干涉技术的MEMS器件形貌测量方法。解决了以现有红外光干涉技术测量MEMS器件结构形貌存在的操作不易、测量误差较大等问题，基于红外光干涉技术的MEMS器件形貌测量方法，以下列步骤实现：1)对待测MEMS器件进行测量前准备；2)应用干涉仪对待测MEMS器件进行测量，在参考光路的光学透镜前设置与待测MEMS器件同材质的半导体晶片。所述方法合理，操作方便，能高精度体现MEMS器件微结构的形貌状况，利于MEMS器件的质量评定，为改进MEMS器件加工工艺、过程提供依据，促进MEMS器件质量和使用性能的提高。适用于基于半导体材料的MEMS器件内部形貌重构、键合样品键合界面粗糙度评估、MEMS工艺实时在线检测等领域。
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公开(公告)号：CN101782594A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010106213.4
申请日：2010-01-30
Applicant: 中北大学
IPC: G01P15/093 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及光学和微机电技术，具体是一种基于光子晶体微腔的悬臂梁式加速度计。进一步扩展了光学微腔在悬臂梁式加速度计上的应用，基于光子晶体微腔的悬臂梁式加速度计，包括采用微机电器件加工工艺在半导体衬底上加工出的基座、单端与基座固定的悬臂梁、与悬臂梁自由端固定的质量块，基座上设有与悬臂梁垂直的光波导，悬臂梁与基座固定的端部设有“拉链空穴”，“拉链空穴”的两支架与基座上的光波导平行，“拉链空穴”与光波导构成微腔-光波导耦合结构。本发明结构合理、简单，具备高灵敏度、高分辨率、测量精度高、抗电磁干扰、体积小、便于集成、质量轻、能在恶劣环境下工作、适用范围广等优良特性。
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公开(公告)号：CN101769795A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010106205.X
申请日：2010-01-30
Applicant: 中北大学
IPC: G01J5/12
Abstract: 本发明涉及热流测量领域，具体是一种圆箔片式大量程高温热流传感器。解决了现有圆箔片式热流传感器的热沉体实现恒温不易等问题，含配有底盖的外壳、热沉体，热沉体由主体、主体顶部中央设置的柱状凸台构成，外壳壳顶开有嵌放热沉体顶部柱状凸台的通孔，柱状凸台上嵌放有圆箔片，圆箔片的中央及边缘分别焊接有与圆箔片构成热电偶的引线，柱状凸台外套设有置于热沉体主体和外壳间的绝热环；外壳由筒状壳体和陶瓷顶盖构成；热沉体主体底部与外壳底盖间叠放设置有两个盘状陶瓷支撑，两个盘状陶瓷支撑间、置顶盘状陶瓷支撑与热沉体底部间、热沉体主体侧壁与外壳内壁间分别设有空气绝热层。结构合理、优化，能在高温环境中长时间工作，实现大量程测量。
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