可調整頻率穩定之晶片內部電容器系統
    181.
    发明专利
    可調整頻率穩定之晶片內部電容器系統 失效
    可调整频率稳定之芯片内部电容器系统

    公开(公告)号:TW448632B

    公开(公告)日:2001-08-01

    申请号:TW088104616

    申请日:1999-04-23

    Inventor: 布弗德 施為安

    IPC: H04B

    Abstract: 一種發射機系統,具有頻率穩定且內部有可調整電容器電路的可調整固態電路。發射機系統具有一發射機,用以產生及發射發射機振盪器頻率信號。資料產生晶片耦合到發射機。資料產生晶片用來調整與控制發射機振盪器頻率信號。可變電容器電路位於資料產生晶片內部,並耦合到資料產生晶片上的接地接腳與許多功能接腳其中之一。可變電容器電路用來調整與設定發射機振盪器頻率信號的中心點。

    Abstract in simplified Chinese: 一种发射机系统,具有频率稳定且内部有可调整电容器电路的可调整固态电路。发射机系统具有一发射机,用以产生及发射发射机振荡器频率信号。数据产生芯片耦合到发射机。数据产生芯片用来调整与控制发射机振荡器频率信号。可变电容器电路位于数据产生芯片内部,并耦合到数据产生芯片上的接地接脚与许多功能接脚其中之一。可变电容器电路用来调整与设置发射机振荡器频率信号的中心点。

    Tunable resonant circuit in the integrated circuit

    公开(公告)号:JP2013546237A

    公开(公告)日:2013-12-26

    申请号:JP2013533856

    申请日:2011-08-31

    Abstract: 同調可能な共振回路(102)は、第1のキャパシタの第1および第2の電極と、第2のキャパシタの第1および第2の電極との間に整合の取れた容量を与える第1のキャパシタ(104,108,216,228,232)および第2のキャパシタ(106,110,218,230,234)を含む。 深井戸配列は、基板(324)内の第2の井戸(322,328)内に配置された第1の井戸(320,326)を含む。 第1および第2のキャパシタは各々、第1の井戸に配置される。 第1のトランジスタ(120,130)の2つのチャネル電極は、第1のキャパシタの第2の電極(114,304)および第2のキャパシタの第2の電極(118,308)にそれぞれ結合される。 第2のトランジスタ(122,132)の2つのチャネル電極は、第1のキャパシタの第2の電極および接地にそれぞれ結合される。 第3のトランジスタ(124,134)の2つのチャネル電極は、第2のキャパシタの第2の電極および接地にそれぞれ結合される。 第1、第2および第3のトランジスタのゲート電極(226,314)は、同調信号(126,136)に応答し、インダクタ(144,202)は、第1のキャパシタの第1の電極(112,302)と第2のキャパシタの第1の電極(116,306)との間に結合される。

    Rc oscillation circuit
    184.
    发明专利

    公开(公告)号:JP5158293B2

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:JP2012538123

    申请日:2012-03-02

    Abstract: A resistance-capacitance oscillation circuit comprises an amplifier and a phase shifting circuit. The phase shifting circuit comprises at least three resistance-capacitance circuit elements, each of which comprises a resistance and a capacitor. At least one of the resistance-capacitance circuit elements comprises a variable resistance and a variable capacitor. The variable resistance is formed of a first electrode, a second electrode, a part of a semiconductor film, a part of a ferroelectric film, and a fourth electrode. The variable capacitor is formed of the second electrode, a third electrode, a fifth electrode, another part of the ferroelectric film, another part of the semiconductor film, and a paraelectric film.

    Current-controlled operational transconductance amplifier based sinusoidal oscillator circuit
    190.
    发明授权
    Current-controlled operational transconductance amplifier based sinusoidal oscillator circuit 有权
    电流控制运算跨导放大器的正弦振荡电路

    公开(公告)号:US08917146B1

    公开(公告)日:2014-12-23

    申请号:US14182597

    申请日:2014-02-18

    CPC classification number: H03B5/24 H03B2201/02

    Abstract: A current controlled operational transconductance amplifier based sinusoidal oscillator circuit that provides oscillation based on the transconductance and parasitic capacitance of the operational transconductance amplifier without externally connected capacitances. The oscillation frequency is adjusted through a variable current source or a variable resistor with a DC voltage source.

    Abstract translation: 基于电流控制的运算跨导放大器的正弦振荡器电路,其基于运算跨导放大器的跨导和寄生电容提供振荡,而没有外部连接的电容。 通过可变电流源或具有直流电压源的可变电阻来调节振荡频率。

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