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公开(公告)号:JP6202629B2
公开(公告)日:2017-09-27
申请号:JP2014516017
申请日:2012-06-15
Applicant: エスティーシー. ユーエヌエム , STC.UNM
Inventor: セロフ,アレクシー , ハレヴィ,バー , アルチュシコヴァ,カテリーナ , アタナソフ,プラメン,ビー.
CPC classification number: H01M4/8652 , B01J23/70 , B01J23/8892 , B01J35/0033 , B01J37/084 , H01M4/8621 , H01M4/8885 , H01M4/9041 , H01M4/9083 , H01M4/9091 , H01M2004/8689
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12.直接ヒドラジン燃料電池の車両適用に向けた、高ヒドラジン濃度を定量的に測定するためのヒドラジンセンサ 审中-公开
Title translation: 用于定量测量高浓度浓缩剂的液压传感器,用于将直接液压燃料电池应用于车辆公开(公告)号:JP2016014667A
公开(公告)日:2016-01-28
申请号:JP2015133872
申请日:2015-07-02
Applicant: ダイハツ工業株式会社 , エスティーシー. ユーエヌエム , STC.UNM
Inventor: ユリセス マルチネス , プラメン アタナソフ , ソフィヤ ババノヴァ , アレクセイ セロブ , カテリーナ アーチュシュコヴァ , 田中 裕久 , 朝澤 浩一郎
IPC: G01N27/416
Abstract: 【課題】高ヒドラジン濃度(2−4M)で線形応答を発生させる、フロースルー電気化学ヒドラジンセンサを提供する。ヒドラジンセンサは、燃料電池自動車への適用を含むが、これに限られない、種々の用途に適している。 【解決手段】ヒドラジンセンサは、2−4Mのヒドラジン濃度で線形応答を有するヒドラジン触媒を含む作用電極を含む。具体的には、ヒドラジン触媒が、Ni、およびLa、Zn、Mo、またはその他の金属を含む。さらにヒドラジン触媒が、Ni0.95La0.05およびNi0.85La0.15からなる群から選択される。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种流动电化学肼传感器,其在高肼浓度(2-4M)下呈现线性响应,并且适用于燃料电池车辆,同时适用于各种应用。解决方案:肼传感器包括动作 含有在肼浓度为2-4M时显示线性响应的肼催化剂的电极。 具体地,肼催化剂包括Ni以及La,Zn,Mo或其它金属。 此外,肼催化剂包括选自由Ni0.95La0.05和Ni0.85La0.15组成的组的元素。
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公开(公告)号:JP2015128058A
公开(公告)日:2015-07-09
申请号:JP2014239615
申请日:2014-11-27
Applicant: ダイハツ工業株式会社 , エスティーシー. ユーエヌエム , STC.UNM
Inventor: 坂本 友和 , 朝澤 浩一郎 , 田中 裕久 , アレクセイ セロブ , モニカ パディラ , ユリセス マルチネス , プラメン アタナソフ
CPC classification number: Y02E60/50
Abstract: 【課題】燃料電池の燃料側電極における燃料の酸化反応を活性化させ、より一層発電性能を向上させることができるアノード触媒組成物を提供すること。 【解決手段】液体燃料が供給される燃料電池1において、燃料側電極2に含まれるアノード触媒が、ニッケル系金属と電子伝導性粒子とを含有し、アノード触媒には、ニッケル系金属および電子伝導性粒子の総量100質量部に対して、ニッケル系金属が80質量部以上含まれている。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种通过激活燃料电池的燃料侧电极中的燃料的氧化反应而能够更加提高发电性能的阳极催化剂组合物。解决方案:在供给液体燃料的燃料电池1中, 包含在燃料侧电极2中的阳极催化剂包含镍基金属和电子传导性粒子,阳极催化剂含有80重量份的镍基金属。 质量更多到总共100点。 镍基金属和电子传导性粒子的质量。
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公开(公告)号:JP5188991B2
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:JP2008558311
申请日:2007-03-01
Applicant: エスティーシー.ユーエヌエム
Inventor: ヒュー,スミス , ランドル,チャールズ,トルーマン
CPC classification number: A61M15/0065 , A61M15/0003 , A61M15/001 , A61M15/0028 , A61M15/0043 , A61M15/0045 , A61M15/0051 , A61M15/0055 , A61M15/0068 , A61M2202/064 , A61M2205/8275 , A61M2206/14 , A61M2206/16
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公开(公告)号:JP5048801B2
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:JP2010069006
申请日:2010-03-24
Applicant: エスティーシー. ユーエヌエムStc.Unm
Inventor: フローエングラス アンドリュー , ブリューク エス.アール.ジェイ. , チェン シャオラン , エイチ. ザイディ セイリーム
IPC: H01L21/027 , G03F1/76 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70125 , G03F7/2022 , G03F7/70241 , G03F7/70408 , G03F7/7045
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公开(公告)号:JP2007538382A
公开(公告)日:2007-12-27
申请号:JP2006536887
申请日:2004-10-22
Inventor: グレイ,アレン,エル. , スティンツ,アンドレアス , バランジス,ペトロス,エム. , マロイ,ケビン,ジェイ. , レスター,ルーク,エフ.
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/02546 , H01S5/2201 , H01S5/3412 , H01S5/34366 , H01S2304/02
Abstract: 対称量子ドットを量子井戸に埋め込む。 対称性は、僅かに軸を外した基板、および/または量子ドット成長中の超過圧力を用いて達成する。 量子ドット構造は、半導体レーザーを含む各種用途で用いることができる。
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公开(公告)号:JP2007318165A
公开(公告)日:2007-12-06
申请号:JP2007187696
申请日:2007-07-18
Applicant: Stc Unm , エスティーシー. ユーエヌエムStc.Unm
Inventor: STINTZ ANDREAS , VARANGIS PETROS N , MALLOY KEVIN J , LESTER LUKE F , NEWELL TIMOTHY C , LI HUA
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01S5/1228 , H01S5/143 , H01S5/3412 , H01S5/4031 , H01S5/4043 , H01S5/4087
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology for forming self-assembled quantum dots having desirable optical characteristics. SOLUTION: The quantum dots are self-assembled InAs quantum dots 406 formed in InGaAs quantum wells 404 that are grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy. A first AlGaAs or GaAs barrier layer 402 is grown. A first InGaAs well layer 404 is grown on the first barrier layer. A sufficient monolayer thickness of InAs is grown on the InGaAs, to form self-assembled islands. A second InGaAs well layer 404 is grown over the InAs islands to embed the quantum dots. A second AlGaAs or GaAs barrier layer 402 is then grown to complete the quantum well. Optical gain characteristics of the quantum well layers are influenced by the compositional uniformity of surrounding layers, the dot size distribution, the dot density, and the number of layers of the dots that can be placed in an active region without exceeding a critical thickness for forming dislocation. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于形成具有期望光学特性的自组装量子点的技术。 解决方案:量子点是通过分子束外延在GaAs衬底上生长的InGaAs量子阱404中形成的自组装InAs量子点406。 生长第一AlGaAs或GaAs阻挡层402。 在第一阻挡层上生长第一InGaAs阱层404。 在InGaAs上生长足够的单层厚度的InAs,以形成自组装岛。 在InAs岛上生长第二InGaAs阱层404以嵌入量子点。 然后生长第二AlGaAs或GaAs阻挡层402以完成量子阱。 量子阱层的光学增益特性受周围层的组成均匀性,点尺寸分布,点密度和可放置在有源区中的点的层数而不超过形成的临界厚度的影响 错位。 版权所有(C)2008,JPO&INPIT
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公开(公告)号:JP2016031875A
公开(公告)日:2016-03-07
申请号:JP2014154637
申请日:2014-07-30
Applicant: ダイハツ工業株式会社 , エスティーシー. ユーエヌエム , STC.UNM
Inventor: 坂本 友和 , 朝澤 浩一郎 , 田中 裕久 , トリスタン・アセット , アーロン・ロイ , アレクシー・セロブ , プラメン・アタナソフ
CPC classification number: Y02E60/521
Abstract: 【課題】燃料として、少なくとも水素および窒素を含む化合物を含む場合に、アンモニアの発生を抑制できる燃料電池の提供。 【解決手段】アニオン交換膜からなる電解質層4と、電解質層4を挟んで対向配置される燃料側電極2および酸素側電極3とを備える燃料電池1において、燃料側電極2に、金属触媒としてニッケルとモリブデンとを、モリブデンの含有割合が、ニッケルとモリブデンとの総モルに対して、30モル%以上となるように含ませ、燃料として、ヒドラジンなどの、少なくとも水素および窒素を含有する化合物を使用する燃料電池。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种燃料电池,其设置为在包括至少包含氢和氮的化合物作为燃料的情况下可以抑制氨的产生。解决方案:燃料电池1包括:电解质层4 包括阴离子交换膜; 以及夹在其间的电解质层4彼此相对的燃料侧电极2和氧气侧电极3。 燃料侧电极2包括镍和钼作为金属催化剂,使得钼的含量相对于镍和钼的总摩尔数为30摩尔%以上。 作为燃料,燃料电池使用至少包含氢和氮的化合物,例如肼。选择的图:图1
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公开(公告)号:JP5847996B2
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:JP2010132396
申请日:2010-06-09
Inventor: アンジェラ ミッシェル クナップ , モニーク エヌ.リチャード , クラウディア ルース , ティモシー ブラダ , ジョナサン フィリップス
CPC classification number: C23C16/513 , C23C16/26 , C23C16/4417
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公开(公告)号:JP5666785B2
公开(公告)日:2015-02-12
申请号:JP2009067355
申请日:2009-03-19
Applicant: トヨタ モーター エンジニアリング アンド マニュファクチャリング ノース アメリカ,インコーポレイティド , トヨタ モーター エンジニアリング アンド マニュファクチャリング ノース アメリカ,インコーポレイティド , エスティーシー.ユーエヌエム
Inventor: ルールス クラウディア , ルールス クラウディア , フィリップス ジョナサン , フィリップス ジョナサン , エヌ.リチャード モニク , エヌ.リチャード モニク
CPC classification number: B22F9/12 , B01J2/006 , B01J2/04 , B01J13/04 , B22F1/02 , B22F2999/00 , B22F2202/13
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