去除钼的一氟化物至五氟化物的方法和半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN117642843A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202280046166.X

    申请日:2022-06-29

    Abstract: 本发明通过使含卤素气体与沉积或覆盖有MoFx、或MoFx和MoOFx(其中,x表示大于0且小于6的数)的部件接触,从所述部件去除MoFx、或MoFx和MoOFx的去除MoFx、或MoFx和MoOFx的去除方法、以及包括该去除方法的半导体器件的制造方法,提供一种从沉积或覆盖有以杂质的形式混入MoF6中的MoFx、或MoFx和MoOFx的部件去除该沉积物或覆盖物的方法,以及一种半导体器件的制造方法,其包括从沉积或覆盖有MoFx、或MoFx和MoOFx的半导体器件制造装置去除该沉积物或覆盖物的工序,并能够避免所述制造装置的堵塞、污染。

    多功能调光膜和包括此类膜的构造体

    公开(公告)号:CN112789164B

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN201980065228.X

    申请日:2019-10-03

    Abstract: 本公开涉及一种夹层玻璃,其包括其间具有第一和第二聚合物中间膜的层叠在一起的第一玻璃基板和第二玻璃基板,和层叠在聚合物中间膜之间的层状膜,其中层状膜包括第二载体层位于第一和第三载体层之间的、位置彼此平行的至少三个载体层;位于第一和第二载体层之间的第一调光层;和位于第二和第三载体层之间的第二调光层,其中第一、第二和第三载体膜的表面涂覆有透明导电性涂层,其中第一载体层的第一表面面向第二载体层的第一表面,其中第二载体层的第二表面面向第三载体层的第一表面。

    含氟聚合物
    16.
    发明公开
    含氟聚合物 审中-实审

    公开(公告)号:CN116848162A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202180083298.5

    申请日:2021-12-02

    Abstract: 本发明提供一种用于成膜用溶液的含氟聚合物,其能够形成在浸渍于显影液时不易产生残渣的膜。本发明的含氟聚合物的特征在于包含下述式(1)所示的重复单元和下述式(2)所示的重复单元,以下述式(1)所示的重复单元为基准的质量百万分率表示,上述式(2)所示的重复单元的含量为1500ppm以下。在式(1)和式(2)中,R1、R2各自独立地为氢原子、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基,R3、R4各自独立地为氢原子、甲基或乙基,R5为氢原子或三氟甲基,R6为氢原子、氯原子、甲基或三氟甲基。#imgabs0#

    含氟聚合物的制造方法以及组合物

    公开(公告)号:CN116615410A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202180083395.4

    申请日:2021-12-02

    Abstract: 本发明提供一种每批次的重均分子量的偏差少的含氟聚合物的制造方法。本发明的含氟聚合物的制造方法的特征在于,为制造包含下述式(1)所示的重复单元和下述式(2)所示的重复单元的含氟聚合物的方法,包括:含氟单体合成工序,使下述式(3)所示的二醇与选自不饱和羧酸、上述不饱和羧酸的酯、上述不饱和羧酸的酰卤和上述不饱和羧酸的酸酐中的至少一种反应,得到包含作为主反应物的下述式(4)所示的含氟单体和作为副反应物的下述式(5)所示的含氟单体的组合物;含氟单体纯化工序,从上述组合物中除去上述式(5)所示的含氟单体,以上述式(4)所示的含氟单体为基准的质量百万分率表示,使上述式(5)所示的含氟单体的含量为1500ppm以下;聚合工序,使用上述含氟单体纯化工序后的上述组合物进行聚合反应,制成包含下述式(1)所示的重复单元和下述式(2)所示的重复单元的含氟聚合物。在式(1)、式(2)、式(3)、式(4)和式(5)中,R1、R2各自独立地为氢原子、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基,R3、R4各自独立地为氢原子、甲基或乙基,R5为氢原子或三氟甲基,R6为氢原子、氯原子、甲基或三氟甲基。

    干式蚀刻方法
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111279460B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN201880068626.2

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 本发明提供一种干式蚀刻方法,其特征在于,使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触,蚀刻所述氮化硅。所述含氟羧酸的量优选为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.01体积%以上。作为所述含氟羧酸,可列举单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸、七氟丁酸等。通过该干式蚀刻方法,能以高蚀刻速率蚀刻氮化硅,对氧化硅及多晶硅具有高选择比,可抑制对氧化硅的损伤。

    非水电解液用添加剂、非水电解液和非水电解液电池

    公开(公告)号:CN111066193B

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN201880058568.5

    申请日:2018-09-12

    Abstract: 提供能够平衡良好地发挥在50℃以上的高温下的循环特性及在‑20℃以下的低温输出特性的非水电解液电池用的非水电解液用添加剂。非水电解液用添加剂由式[1]所示。式[1]中,Z1~Z4选自氟原子、碳数1~10的烷基、碳数1~10的烷氧基、碳数2~10的烯基、碳数2~10的烯氧基、碳数2~10的炔基、碳数2~10的炔氧基、碳数3~10的环烷基、碳数3~10的环烷氧基、碳数3~10的环烯基、碳数3~10的环烯氧基、碳数6~10的芳基、碳数6~10的芳氧基。它们中的有机基团任选包含氟原子、氧原子、不饱和键,Z1~Z4中的至少一个为氟原子。Mp+为质子、金属阳离子或鎓阳离子,p为阳离子价数。

    具有玻璃天线元件的挡风玻璃

    公开(公告)号:CN112005434B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN201980025639.6

    申请日:2019-04-02

    Abstract: 本发明提供具有替代膜天线的玻璃天线元件的挡风玻璃。本发明的一实施方式的挡风玻璃(1)具有:玻璃板(2);形成于所述挡风玻璃(1)的周缘部且呈带状的可见光遮蔽区域(3);由将所述可见光遮蔽区域(3)中的靠所述玻璃板(2)的端面(21)侧的侧部区域(31)与车身凸缘(5)接合起来的粘接单元(4)形成的接合构造部;以及形成于所述可见光遮蔽区域(3)上的玻璃天线元件,所述接合构造部和所述可见光遮蔽区域(3)中的中央区域(32)由所述内饰壁(6)覆盖,该中央区域(32)位于所述可见光遮蔽区域(3)中的与所述侧部区域(31)相反的一侧的侧部区域(33)和所述侧部区域(31)之间,所述天线元件至少配置于所述中央区域(32)上。

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