气体浓度测定系统及方法、气体浓度运算部

    公开(公告)号:CN116893155A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310321862.3

    申请日:2023-03-29

    Abstract: 提供一种气体浓度测定系统及方法、气体浓度运算部,能够进行高精度的气体浓度测定。气体浓度测定系统具备:气体浓度测定部(10a),其具有发光元件(11)和第一传感器元件;发光元件驱动部,其驱动发光元件;信号获取部(21),其至少获取第一传感器元件的输出信号、第一驱动信号以及第二驱动信号,第一驱动信号是发光元件的第一电压值或第一电流值,第二驱动信号是发光元件的第二电压值或第二电流值;以及运算部(22),其基于信号获取部获取到的信号来运算气体浓度,其中,运算部基于第一驱动信号和第二驱动信号对第一传感器元件的输出信号进行校正,并运算气体浓度。

    风险信息提供装置、提供系统、提供方法以及提供程序

    公开(公告)号:CN116892767A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310329487.7

    申请日:2023-03-30

    Abstract: 本发明提供一种风险信息提供装置、提供系统、提供方法以及提供程序。风险信息提供装置具备:信息获取部,其获取与同判定对象中的制冷剂的泄漏状况相应的风险有关的风险信息以及用于应对风险的风险应对信息,该制冷剂的泄漏状况是基于判定对象中的制冷剂的浓度来判定的;提供部,其提供风险信息和风险应对信息中的至少一方;以及,日期信息获取部,其对获取到风险信息和风险应对信息中的至少一方的日期的日期信息进行获取。风险应对信息包含与被提供风险信息的一个或多个提供目的地有关的提供目的地信息。提供部向一个或多个提供目的地提供风险信息和日期信息中的至少一方。

    气体传感器
    13.
    发明公开
    气体传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN116773476A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310255081.9

    申请日:2023-03-16

    Abstract: 本发明提供能够抑制半导体基板的变形所引起的特性变动的气体传感器。气体传感器(1)包括:基板(重布线层30);发光元件(11),其设于基板的一侧的面即表面(30a)或埋入基板而设置;光接收元件(12),其设于基板的表面或埋入基板而设置,接收从发光元件射出的光;以及多个外部连接端子(40),其位于基板的与表面相反的面即背面(30b),该多个外部连接端子的至少一部分外部连接端子与发光元件及光接收元件电连接,多个外部连接端子配置为,在俯视时连结任意两个外部连接端子的线上不存在发光元件和光接收元件。

    气体传感器系统、气体传感器校准方法及程序

    公开(公告)号:CN116068126A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202211337120.1

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明提供气体传感器系统、气体传感器校准方法及程序。气体传感器系统具备:第一气体传感器装置,其具有发送用于校准基于第一气体传感器的输出计算的测定对象的气体浓度的第一校准信息的发送部,发送部发送第一校准信息和表示第一气体传感器装置的校准可靠度的可靠度信息;第二气体传感器装置,其具有接收由发送部发送的第一校准信息和可靠度信息的接收部、以及基于由接收部接收到的第一校准信息来校准基于第二气体传感器的输出计算的测定对象的气体浓度的校准部,在由接收部接收到的第一气体传感器装置的校准可靠度高于基准校准可靠度的情况下,校准部基于接收到的第一校准信息来校准基于第二气体传感器的输出计算的测定对象的气体浓度。

    磁传感器
    15.
    发明公开
    磁传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115877282A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211190531.2

    申请日:2022-09-28

    Abstract: 磁传感器具备:芯片焊盘;信号处理IC,其与芯片焊盘的第1面相对地配置;粘合层,其配置于芯片焊盘的第1面和信号处理IC的与芯片焊盘相对的第1面之间;以及至少一个磁电转换元件,其与信号处理IC的第1端面相对地配置,检测特定方向的磁场。芯片焊盘、信号处理IC、粘合层以及至少一个磁电转换元件被模制树脂密封。在俯视时,信号处理IC的第1端面的至少一部分位于比芯片焊盘的至少一个磁电转换元件侧的第1端面靠至少一个磁电转换元件侧的位置。在芯片焊盘的第1端面侧的第1面与信号处理IC的第1端面侧的第1面之间,设有供模制树脂进入的隔离部,隔离部的厚度小于芯片焊盘的厚度。

    信息处理装置和感测方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115480236A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202210683776.2

    申请日:2022-06-16

    Abstract: 提供一种信息处理装置和感测方法,用于感测对象物。信息处理装置使用FMCW雷达来感测对象物,具备:数据处理部,其对基于FMCW雷达的接收波的接收信号进行处理,来生成预先决定的bin数量的功率谱信号;获取部,其基于功率谱信号来获取与对象物相应的多个峰值bin;提取部,其提取与功率谱信号相应的输出信号;以及校正部,其根据多个峰值bin的bin编号来校正输出信号的相位。数据处理部可以对接收信号应用比矩形窗更高阶的窗函数。校正部可以对输出信号的相位进行校正,以使在奇数的bin编号上加上或减去的相位与在偶数的bin编号上加上或减去的相位之差成为(2×i+1)π[rad]。i可以是任意的整数。

    气体检测装置
    17.
    发明公开
    气体检测装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115144356A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210324596.5

    申请日:2022-03-29

    Abstract: 本发明提供一种气体检测装置,该气体检测装置能够输出稳定性较高的检测信号。气体检测装置(1)具备:发光部(10),其发出包括由被检测气体吸收的波长的波长频带的光;受光部(20),其对波长频带具有灵敏度;封装体(40),其将发光部(10)和受光部(20)内置;导光部(50),其将光向受光部(20)引导;接合部(60),其将封装体(40)与导光部(50)接合起来;以及热绝缘部(70),其设于封装体(40)与导光部(50)之间的间隙,封装体(40)的与导光部(50)相对的面的局部具有封装体(40)与导光部(50)之间的距离为500μm以下的接近区域(D),热绝缘部(70)的至少一部分和接合部(60)的至少一部分相邻地设置于接近区域(D)的局部。

    位置检测装置、系统、方法以及程序

    公开(公告)号:CN114910102A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202210122336.X

    申请日:2022-02-09

    Abstract: 提供一种位置检测装置、系统、方法以及程序。位置检测装置具备:获取部,从检测对象装置获取通过多个磁传感器部测定出的磁场图案,检测对象装置具备检测单元和移动单元,检测单元具有配置于预先决定的方向上的相互不同的位置的多个磁传感器部,移动单元能够相对于检测单元在预先决定的方向上相对地移动,向多个磁传感器部提供与移动单元相对于检测单元的位置相应的磁场图案;参照图案输出部,输出与移动单元相对于检测单元的多个候选位置的每个候选位置对应的参照图案;以及检测部,基于将获取到的磁场图案同与多个候选位置的每个候选位置对应的参照图案进行比较得到的结果,来检测多个候选位置中的哪一个是移动单元相对于检测单元的位置。

    光检测装置
    19.
    发明公开
    光检测装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114674424A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202111595928.5

    申请日:2021-12-24

    Abstract: 本发明提供一种光检测装置,其具有:安装基板;以及光传感器装置,该光传感器装置具有安装基板侧的第1面和与安装基板相反的一侧的第2面并搭载于安装基板,光传感器装置具有:光传感器,该光传感器在第2面侧具有光接收面;信号处理电路,该信号处理电路与光传感器电连接;以及引线框,该引线框相对于信号处理电路而言设于第2面侧,对信号处理电路的第2面侧的面进行屏蔽,安装基板具有与信号处理电路相对并对信号处理电路的第1面侧的面进行屏蔽的导电图案。

    电流传感器
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109564248B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN201780045538.6

    申请日:2017-07-19

    Inventor: 野平隆二

    Abstract: 提供一种具备第一霍尔元件和第二霍尔元件的电流传感器。提供一种电流传感器,具备:第一霍尔元件;第二霍尔元件,其与第一霍尔元件并联连接;初级导体,其被配置为流过被测定电流,并将由被测定电流产生的被测定磁场以不同极性施加于第一霍尔元件和第二霍尔元件;以及次级导体,其被配置为流过基准电流,并将由基准电流产生的基准磁场以相同极性施加于第一霍尔元件和第二霍尔元件。

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