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公开(公告)号:CN100513644C
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200410090721.2
申请日:2004-11-08
Applicant: 美格株式会社
CPC classification number: H05K3/26 , C23F1/28 , C23F1/30 , H05K3/181 , H05K2201/0761 , H05K2203/0789 , H05K2203/124
Abstract: 本发明提供了蚀刻液和使用该蚀刻液的蚀刻方法,该蚀刻液是含有盐酸、硝酸和二价铜离子源的水溶液。本发明的蚀刻方法是将上述金属与上述蚀刻液接触。另一种蚀刻方法是,在将金属表面与由至少含有如下A~C的水溶液组成的第一液体(A.盐酸,B.选自具有氨基、亚氨基、羧基、羰基和羟基中的至少一种基团的碳原子数在7以下的含硫化合物,噻唑和噻唑系化合物中的至少一种,C.表面活性剂。)接触后,再与含有盐酸、硝酸和二价铜离子源的水溶液为第二液体的蚀刻液接触。由此使得能够将选自镍、铬、镍铬合金和钯中的至少一种金属迅速地蚀刻掉,并且降低铜的过度溶解。
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公开(公告)号:CN101348913A
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200810133567.0
申请日:2008-07-17
Applicant: 美格株式会社
IPC: C23F11/00
CPC classification number: H05K3/282 , B23K35/262 , C23C18/31 , H05K2203/124
Abstract: 本发明涉及一种表面处理剂,用于对由铜或其合金形成的基材的表面进行处理,由咪唑化合物及糖醇的溶液组成,并且含有锌离子。该表面处理剂作为用于对由铜或其合金形成的基材的表面进行处理的表面处理剂使用。
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公开(公告)号:CN101322967A
公开(公告)日:2008-12-17
申请号:CN200810111291.6
申请日:2008-06-13
Applicant: 美格株式会社
CPC classification number: H05K3/389 , C23C26/00 , H05K2203/0766 , H05K2203/0786
Abstract: 在金属表面形成硅烷偶联剂皮膜的方法。包括以下工序:在金属表面涂布含有硅烷偶联剂的液体的工序;将涂布了所述液体的金属表面,在25~150℃的温度下且在5分钟以内进行干燥的工序;将干燥的金属表面进行水洗的工序。
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公开(公告)号:CN100363175C
公开(公告)日:2008-01-23
申请号:CN200410034168.0
申请日:2004-04-23
Applicant: 美格株式会社
CPC classification number: C23C18/48 , C23C18/31 , H01L2924/0002 , H05K3/384 , H05K2203/072 , Y10T428/31681 , H01L2924/00
Abstract: 一种铜和树脂的粘接层的制造方法,包括使树脂粘接层形成液与铜表面进行接触,该树脂粘接层形成液包括含有:(a)选自无机酸和有机酸中的至少一种的酸、(b)锡盐、(c)选自银、锌、铝、钛、铋、铬、铁、钴、镍、钯、金和铂中的至少一种金属的盐、(d)反应促进剂和(e)扩散系保持溶剂的水溶液,形成锡和所述(c)的金属的合金层,通过保留铜和锡及所述(c)的金属进行扩散的层、去除锡及所述(c)的金属的合金层,在铜表面上形成含有铜、锡及所述(c)的金属的合金的树脂粘接层。由此,提高了铜和树脂的粘接力。本发明提供了粘接层形成液、使用该液的铜和树脂的粘接层的制造方法及其层压体。
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公开(公告)号:CN1827855A
公开(公告)日:2006-09-06
申请号:CN200610001290.7
申请日:2006-01-12
Applicant: 三井金属矿业株式会社 , 美格株式会社
IPC: C23F1/00
CPC classification number: H01L21/6708 , H05K1/0393 , H05K3/0085 , H05K3/068 , H05K2203/075 , H05K2203/1147 , H05K2203/1545
Abstract: 本发明提供一种液处理装置,能够在从蚀刻液喷嘴喷出的处理液变成雾状并漂流在处理室内的状态下,该雾状蚀刻液也喷沾不到比蚀刻液喷嘴向膜等表面处理目标物的上表面喷出的液处理开始位置A更上游的表面处理目标物的部分,从而可以正确实施使用处理液的处理,避免发生不合格品。该装置包括:从上方向电子元件安装用薄膜载带T的表面喷出处理液E的蚀刻液喷嘴;和在用蚀刻液喷嘴向电子元件安装用薄膜载带T的表面喷出的处理液E开始进行蚀刻处理的液处理开始位置A更上游,设置防止在液处理开始位置A之前接触薄膜载带T的防处理液接触分隔室;且在该分隔室内设有第一防浸入构件的封液凸缘构件;第二防浸入构件的上侧凸缘组件和下侧凸缘组件。
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公开(公告)号:CN101668883A
公开(公告)日:2010-03-10
申请号:CN200880002804.8
申请日:2008-05-23
Applicant: 美格株式会社
CPC classification number: C23C22/52 , B23K1/20 , B23K2103/12 , C23F11/149 , H05K3/282 , H05K2203/124
Abstract: 本发明提供一种能够满足耐热性和焊接性两者的铜表面处理剂及表面处理方法。本发明的铜表面处理剂,含有酸、苯并咪唑化合物及水,其特征在于,作为所述苯并咪唑化合物,至少含有第1苯并咪唑化合物、和熔点比该第1苯并咪唑化合物低70℃以上的第2苯并咪唑化合物。
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公开(公告)号:CN1614093A
公开(公告)日:2005-05-11
申请号:CN200410090721.2
申请日:2004-11-08
Applicant: 美格株式会社
CPC classification number: H05K3/26 , C23F1/28 , C23F1/30 , H05K3/181 , H05K2201/0761 , H05K2203/0789 , H05K2203/124
Abstract: 本发明提供了蚀刻液和使用该蚀刻液的蚀刻方法,该蚀刻液是含有盐酸、硝酸和二价铜离子源的水溶液。本发明的蚀刻方法是将上述金属与上述蚀刻液接触。另一种蚀刻方法是,在将金属表面与由至少含有如下A~C的水溶液组成的第一液体(A.盐酸,B.选自具有氨基、亚氨基、羧基、羰基和羟基中的至少一种基团的碳原子数在7以下的含硫化合物,噻唑和噻唑系化合物中的至少一种,C.表面活性剂)接触后,再与含有盐酸、硝酸和二价铜离子源的水溶液为第二液体的蚀刻液接触。由此使得能够将选自镍、铬、镍铬合金和钯中的至少一种金属迅速地蚀刻掉,并且降低铜的过度溶解。
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公开(公告)号:CN1570212A
公开(公告)日:2005-01-26
申请号:CN200410006062.X
申请日:2004-02-27
Applicant: 美格株式会社
Inventor: 户田健次
Abstract: 提供一种能制造侧面蚀刻少、抑制铜配线的上部变细而且没有短路的电子基板的铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制造方法。是按规定的形状在电绝缘基材(1)上形成的铜层(2a)上进行蚀刻并形成铜配线(2c)的电子基板的制造方法,主蚀刻后,通过含有(a)铜的氧化剂1~50克/升和、(b)盐酸1~200克/升以及或者有机酸1~400克/升和、(c)选自聚亚烷基二醇、以及聚胺和聚亚烷基二醇的共聚物中的至少一种聚合物0.01~50克/升的水溶液除去铜配线(2b)的底部残存的应除去的铜(A)。
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