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公开(公告)号：KR102044974B1
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：KR1020180052304
申请日：2018-05-08
Applicant: 박기찬
Inventor： 박기찬
IPC: A63B21/078
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公开(公告)号：KR101787699B1
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020170048243
申请日：2017-04-14
Applicant: 박기찬
Inventor： 박기찬
IPC: A63B21/078 , A63B21/00 , A63B21/072
Abstract: 본발명은야외용벤치프레스에관한것으로서, 수직프레임과; 지면에일정높이수평하게구비되며, 사용자가눕는벤치와; 상기수직프레임에대해상하로회동가능하게결합되는한 쌍의승강바와; 상기한 쌍의승강바에결합되어상기승강바와함께상하로회동되며, 복수개의무개추가선택적으로결합되는무게인가부와; 상기무게인가부의일측에독립적으로구비되며, 상기무게인가부에결합되지않은미결합무게추가보관되는무게추보관부를포함하되, 상기무게인가부는상기승강바에수평하게결합되며, 상기복수개의무게추가삽입되는무게추결합축을포함하며, 상기무게추보관부는, 상기무게추결합축과동축으로구비되어상기무게추결합축의무게추가이동될수 있는무게추보관축과; 상기무게추보관축의외부를덮어상기미결합무게추와상기무게추의외부분실을방지하는분실방지커버를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种室外卧式压机，包括：竖直框架; 水平放置在地面上的预定高度并且使用者躺在其上的长凳; 一对升降杆上下可转动地连接在垂直框架上; 施重器，其与所述一对升降杆连接并且与所述升降杆一起竖直地枢转; 以及重量累积单元，该重量累积单元独立地设置在重量施加单元的一侧并且存储未联接到重量施加单元的额外的未加重重量，其中重量施加单元水平地联接到升降杆， 一个重量累积轴，与重量累积轴同轴设置并能够移动重量累积轴的重量; 还有一个防损盖，用于覆盖重量积累杆的外部，防止未组装的重量和重量的外部损失。
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公开(公告)号：KR2019990006091U
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR2019970019519
申请日：1997-07-24
IPC: A41B11/00
Abstract: 본 고안은 발에 착용하는 양말에 관한 것으로 발에 착용한 양말과 구두, 운동화와 같은 신발로 인해 장시간 신발을 신어야 하는 경우에 발의 체온 상승으로 인하여 땀이 나게되며, 이 땀이 즉시 건조되지 않음으로 인하여 발은 물론 양말, 신발 등에도 냄새가 나게되고, 냄새가 남으로서 본인 및 타인에게 불쾌감을 주며, 피부질환을 야기시키고 있다.
본 고안은 이를 해결하기 위하여 양말 여러곳에 구멍을 뚫음으로써 발의 통기성을 최대한 높여주어 발의 건강에 도움을 주며 미적효과를 증대시키고자 하는 것임.
본 고안은 발에 착용하는 양발에 구멍을 뚫어 사용한다.-
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101844351B1
公开(公告)日：2018-04-02
申请号：KR1020170048244
申请日：2017-04-14
Applicant: 박기찬
Inventor： 박기찬
IPC: A63B21/00 , A63B21/078 , A63B21/072 , A63B1/00
CPC classification number: A63B21/4027 , A63B1/00 , A63B21/0724 , A63B21/078 , A63B21/4033 , A63B21/4034
Abstract: 본발명은운동기구설치용프레임조립체에관한것으로서, 다각형형상으로형성된상부프레임과; 상기상부프레임에수직하게구비되며, 하부가지면에일정깊이매립되는복수개의수직프레임과; 이웃하는수직프레임사이에수직하게구비되고, 일정면적을갖는판상재질로형성되며높이방향을따라일정간격으로복수개의운동기구결합공이형성된운동기구결합판을포함하되, 운동기구는지면의높이에따라상기복수개의운동기구결합공중 어느하나에결합되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 用于健身装置的框架组件技术领域本发明涉及一种用于健身装置的框架组件， 垂直于上框架设置的多个垂直框架，垂直框架嵌入预定深度; 并且，垂直设置在相邻的纵框架之间，由具有规定的面积的板材构成，具有沿高度方向等间隔地形成的多个运动机构结合孔的运动机构结合板， 并且联接到多个锻炼装置中的任何一个组合空气。
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公开(公告)号：KR2020080006649U
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR2020070010458
申请日：2007-06-26
Applicant: 박기찬
Inventor： 박기찬
CPC classification number: A23P10/40 , A23V2002/00 , A23V2300/10
Abstract: 본 고안은 식품의 진공분말 제조장치에 관한 것으로, 본 고안에 따른 식품의 진공분말 제조장치는 수분을 함유하는 식품을 수용하기 위한 건조조와, 상기 건조조를 수용하여 상기 건조조를 간접 가열하기 위한 중탕조와, 상기 중탕조를 가열하기 위한 히터와, 상기 히터에 연결되어 상기 히터의 작동을 제어하는 온도 콘트롤러와, 상기 건조조와 연결되는 배출관과, 상기 배출관과 연결되어 상기 배출관을 통하여 상기 건조조로부터 배출된 수증기가 유입되는 라디에이터와, 상기 라디에이터 내부의 수증기의 냉각을 위해 상기 라디에이터를 향하여 송풍이 이루어지도록 하는 냉각 팬과, 상기 라디에이터와 연결되어 상기 라디에이터를 지나는 수증기가 냉각되어 발생한 물을 저장하기 위한 저수조와, 상기 저수조와 통하도록 연결되어 상기 건조조 및 � �기 저수조의 내부를 진공 상태로 조성하기 위한 진공펌프와, 상기 진공 펌프에 연결되어 상기 건조조의 진공도를 유지하도록 상기 진공 펌프를 제어하는 진공 콘트롤러와, 상기 건조조와 통하도록 연결되어 상기 건조조 내부에 질소를 주입하기 위한 질소 주입 장치 및 상기 질소 주입 장치에 연결되어 상기 질소 주입 장치의 작동을 제어하는 질소 콘트롤러를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
진공, 분말, 한약, 건조조, 질소-
公开(公告)号：KR1020020035909A
公开(公告)日：2002-05-16
申请号：KR1020000065700
申请日：2000-11-07
IPC: G02F1/136
Abstract: PURPOSE: A method of fabricating a polysilicon thin film transistor is provided to increase the grain size of polysilicon forming a channel of a polysilicon thin film transistor to reduce grain boundary density. CONSTITUTION: An amorphous silicon thin film is formed on a wafer on which an oxide layer is formed or a glass substrate, and patterned to form an amorphous silicon thin film active region. A photoresist pattern is formed on the amorphous silicon thin film, and a nickel thin film is formed on the silicon thin film and photoresist pattern. The photoresist pattern and the nickel thin film are removed by lift-off to form a nickel pattern. The amorphous silicon thin film is annealed to form a polysilicon thin film. Excimer laser is irradiated on the polysilicon thin film. The nickel thin film is removed, and then a silicon oxide layer is deposited. A gate electrode pattern is formed on the polysilicon thin film and silicon oxide layer, and the silicon oxide layer formed between the polysilicon thin film and gate electrode pattern is patterned and the photoresist pattern is removed. The polysilicon thin film is doped with ions to form gate, source and drain electrodes and the doped ions are activated.
Abstract translation: 目的：提供一种制造多晶硅薄膜晶体管的方法，以增加形成多晶硅薄膜晶体管的沟道的多晶硅的晶粒尺寸以减小晶界密度。 构成：在其上形成有氧化物层的晶片或玻璃基板上形成非晶硅薄膜，并图案化以形成非晶硅薄膜有源区。 在非晶硅薄膜上形成光致抗蚀剂图案，在硅薄膜和光致抗蚀剂图案上形成镍薄膜。 通过剥离去除光致抗蚀剂图案和镍薄膜以形成镍图案。 将非晶硅薄膜退火以形成多晶硅薄膜。 准分子激光照射在多晶硅薄膜上。 除去镍薄膜，然后沉积氧化硅层。 在多晶硅薄膜和氧化硅层上形成栅极电极图案，并且在多晶硅薄膜和栅极电极图案之间形成的氧化硅层被图案化并去除光刻胶图案。 多晶硅薄膜掺杂离子以形成栅极，源极和漏极，并且掺杂的离子被激活。
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