公开(公告)号：TW200915454A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：TW097123151

申请日：2008-06-20

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 芥川泰人 AKUTAGAWA, YOSHITO ,  松井弘之 MATSUI, HIROYUKI ,  牧野豊 MAKINO, YUTAKA

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一電極之形成方法係包括下列步驟:將一電極材料設置於一傳導部份上;在一氧化大氣中以等於或高於電極材料融點的一溫度曝露電極材料;及在一還原大氣中以等於或高於電極材料融點且低於電極材料在氧化大氣中曝露溫度的一溫度來曝露經融化電極材料。

Abstract in simplified Chinese: 一电极之形成方法系包括下列步骤:将一电极材料设置于一传导部份上;在一氧化大气中以等于或高于电极材料融点的一温度曝露电极材料;及在一还原大气中以等于或高于电极材料融点且低于电极材料在氧化大气中曝露温度的一温度来曝露经融化电极材料。

公开(公告)号：TWI306696B

公开(公告)日：2009-02-21

申请号：TW091103681

申请日：2002-02-27

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 青木考樹 KOJU AOKI ,  先間宏行 SAKIMA, HIROYUKI

IPC: H03L

CPC classification number: H03L7/0898 ,  H03L7/095 ,  H03L7/107 ,  H03L7/18 ,  Y10S331/02

Abstract: 一種切換PLL電路的模式之方法,該PLL電路具有一高速模式和一正常模式、該方法允許PLL電路以一高速度來鎖定。該PLL電路包括一相位比較器、及依據來自該相位比較器的一比較輸出結果來產生電流的一電荷幫浦。該模式切換方法包括檢測該電荷幫浦之一電流輸出端子是否處在一高阻抗狀態,及在檢出高阻抗狀態時把PLL電路之模式自高速模式切換至正常模式,或從正常模式切換至高速模式,等步驟。

Abstract in simplified Chinese: 一种切换PLL电路的模式之方法,该PLL电路具有一高速模式和一正常模式、该方法允许PLL电路以一高速度来锁定。该PLL电路包括一相位比较器、及依据来自该相位比较器的一比较输出结果来产生电流的一电荷帮浦。该模式切换方法包括检测该电荷帮浦之一电流输出端子是否处在一高阻抗状态,及在检出高阻抗状态时把PLL电路之模式自高速模式切换至正常模式,或从正常模式切换至高速模式,等步骤。

公开(公告)号：TWI304685B

公开(公告)日：2008-12-21

申请号：TW094144501

申请日：2005-12-15

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 宮崎順吏 MIYAZAKI YUKISATO

IPC: H03L ,  H03K

CPC classification number: H03L7/07 ,  H03L7/0805 ,  H03L7/081 ,  H03L7/0812

Abstract: 本發明提供一種時鐘產生電路和一種時鐘產生方法,可用於展頻時鐘產生及一參考時鐘信號和一輸出時鐘信號的精確相位控制。為此,一輸入分頻器單元以50對一輸入時鐘信號分頻,以輸出一已分頻輸入時鐘信號。一DLL電路操作以獲得延遲控制信號。一調變電路根據該等延遲控制信號和從一調變控制電路輸出的一調變信號,對該已分頻輸入時鐘信號進行調變,以輸出一調變時鐘信號。一相位比較器檢測該調變時鐘信號和一已分頻內部時鐘信號之間的相位差。一時鐘產生單元產生一輸出時鐘信號,具有對應於來自該相位比較器之相位差信號的頻率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种时钟产生电路和一种时钟产生方法,可用于展频时钟产生及一参考时钟信号和一输出时钟信号的精确相位控制。为此,一输入分频器单元以50对一输入时钟信号分频,以输出一已分频输入时钟信号。一DLL电路操作以获得延迟控制信号。一调制电路根据该等延迟控制信号和从一调制控制电路输出的一调制信号,对该已分频输入时钟信号进行调制,以输出一调制时钟信号。一相位比较器检测该调制时钟信号和一已分频内部时钟信号之间的相位差。一时钟产生单元产生一输出时钟信号,具有对应于来自该相位比较器之相位差信号的频率。

公开(公告)号：TWI304673B

公开(公告)日：2008-12-21

申请号：TW094145624

申请日：2005-12-21

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 小川和樹 OGAWA, YASUSHIGE

IPC: H02M

CPC classification number: H02M3/1588 ,  H02M2001/0045 ,  H02M2001/008 ,  Y02B70/1466

Abstract: 本發明旨於提供一種能夠有效率地產生多重電源及降低電力消耗的多重電源供應電路,及多重電源供應方法。一個供應電壓是從一個DCDC變換器輸出。線性調整器的輸出電晶體是串聯連接至一個在一個電阻性元件與該DCDC變換器之間的電力供應路徑。即,一個偏壓電流路徑是由該等線性調整器共享且對應的路徑是被視為一個。以該供應電壓作為參考,對應於在該供應電壓與一個參考電壓之間之中間負電壓的供應電壓是由該等線性調整器產生。不管線性調整器的數目,由該多重電源供應電路所消耗的偏壓電流是被保持不變為一個偏壓電流i。

Abstract in simplified Chinese: 本发明旨于提供一种能够有效率地产生多重电源及降低电力消耗的多重电源供应电路,及多重电源供应方法。一个供应电压是从一个DCDC变换器输出。线性调整器的输出晶体管是串联连接至一个在一个电阻性组件与该DCDC变换器之间的电力供应路径。即,一个偏压电流路径是由该等线性调整器共享且对应的路径是被视为一个。以该供应电压作为参考,对应于在该供应电压与一个参考电压之间之中间负电压的供应电压是由该等线性调整器产生。不管线性调整器的数目,由该多重电源供应电路所消耗的偏压电流是被保持不变为一个偏压电流i。

公开(公告)号：TWI304259B

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：TW091105789

申请日：2002-03-25

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 佐次田直也 NAOYA SASHIDA

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/7687 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 根據本發明,接觸插塞係藉由CVD法形成而不會退化具有良好鐵電質電容器之半導體元件內之鐵電質電電容器之特性。黏著性薄膜係形成於在氧化氣氛內進行熱處理後曝光鐵電容器之較高電極之接觸孔內,且W層係藉由使用此種TiN黏著性薄膜作為氫氣阻障器之CVD法而沉積,且此接觸孔被填注。

Abstract in simplified Chinese: 根据本发明,接触插塞系借由CVD法形成而不会退化具有良好铁电质电容器之半导体组件内之铁电质电电容器之特性。黏着性薄膜系形成于在氧化气氛内进行热处理后曝光铁电容器之较高电极之接触孔内,且W层系借由使用此种TiN黏着性薄膜作为氢气阻障器之CVD法而沉积,且此接触孔被填注。

公开(公告)号：TWI303516B

公开(公告)日：2008-11-21

申请号：TW094129867

申请日：2005-08-31

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 西森英二 NISHIMORI, EIJI

IPC: H03F

CPC classification number: H03F3/45753 ,  H03F3/45183 ,  H03F3/45977 ,  H03F2203/45548

Abstract: 一種運算放大器可在容許其增益設定為任何値之情形下,消除
偏移電壓。該運算放大器包括用於短路連接一第一差動輸入單元中
之兩電晶體的閘極的一第一開關。一電容器連接至一第二差動輸入
單元中之兩電晶體的閘極,該第二差動輸入單元與該第一差動輸入
單元並聯。該電容器會保持由一運算放大器電路產生之輸出電壓衍
生的偏移電壓。該電容器於該第二差動輸入單元中之該等電晶體的
閘極間產生一電位差,來消除該偏移電壓。

Abstract in simplified Chinese: 一种运算放大器可在容许其增益设置为任何値之情形下,消除 偏移电压。该运算放大器包括用于短路连接一第一差动输入单元中 之两晶体管的闸极的一第一开关。一电容器连接至一第二差动输入 单元中之两晶体管的闸极,该第二差动输入单元与该第一差动输入 单元并联。该电容器会保持由一运算放大器电路产生之输出电压衍 生的偏移电压。该电容器于该第二差动输入单元中之该等晶体管的 闸极间产生一电位差,来消除该偏移电压。

公开(公告)号：TWI315123B

公开(公告)日：2009-09-21

申请号：TW095102822

申请日：2006-01-25

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 長谷川守仁 HASEGAWA, MORIHITO ,  小澤秀清 OZAWA, HIDEKIYO

IPC: H02M ,  G05F

CPC classification number: H02M3/156 ,  H02M2001/0022

Abstract: 一種直流對直流變換器可應用於一寬廣的輸入電壓範圍。一誤差放大器比較一分壓(V1)與一參考電壓(Vr)來產生一誤差信號(Vop),該分壓(V1)藉由以多個電阻器(R1、R2)來對輸出電壓(Vout)分壓而產生。一電壓源(e2)藉由偏置該誤差信號來產生一偏置信號(V2;SS2)。一脈寬調變比較器以一三角波信號(SS)來比較該偏置信號來產生一驅動信號(DH、DL),用於在對應該比較結果之一工作中控制一第一輸出電晶體(T1)與一第二電晶體(T2)之致動與閒置。一偏置控制器判定該輸出電壓與該輸入電壓(Vin)間之比率,並根據該判定來控制該電壓源之偏置電壓(Vf)。

Abstract in simplified Chinese: 一种直流对直流变换器可应用于一宽广的输入电压范围。一误差放大器比较一分压(V1)与一参考电压(Vr)来产生一误差信号(Vop),该分压(V1)借由以多个电阻器(R1、R2)来对输出电压(Vout)分压而产生。一电压源(e2)借由偏置该误差信号来产生一偏置信号(V2;SS2)。一脉宽调制比较器以一三角波信号(SS)来比较该偏置信号来产生一驱动信号(DH、DL),用于在对应该比较结果之一工作中控制一第一输出晶体管(T1)与一第二晶体管(T2)之致动与闲置。一偏置控制器判定该输出电压与该输入电压(Vin)间之比率,并根据该判定来控制该电压源之偏置电压(Vf)。

公开(公告)号：TW200935498A

公开(公告)日：2009-08-16

申请号：TW097151229

申请日：2008-12-29

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 荻野宏三 OGINO, KOZO ,  星野裕美 HOSHINO, HIROMI

IPC: H01L ,  H01J

CPC classification number: H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3026

Abstract: 一種方法包括:自一半導體裝置的設計資料產生用於電子束曝光之電子束曝光資料;擷取指示基於該電子束曝光資料透過電子束曝光形成於一基體上的一電子束曝光圖案與基於該半導體裝置的該設計資料透過微影曝光形成於該基體上的一微影曝光圖案之間形狀上的一差異之差分資訊;判定該電子束曝光圖案與該微影曝光圖案之間形狀上的該差異的大小是否落入一預定參考値之內;透過依據該差分資訊改變該電子束曝光資料之該圖案之形狀及更新該電子束曝光資料來獲得形狀已改變的曝光資料;及當該差異的大小落在該預定參考値之外的時候重複該差分擷取、該判定及該更新。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法包括:自一半导体设备的设计数据产生用于电子束曝光之电子束曝光数据;截取指示基于该电子束曝光数据透过电子束曝光形成于一基体上的一电子束曝光图案与基于该半导体设备的该设计数据透过微影曝光形成于该基体上的一微影曝光图案之间形状上的一差异之差分信息;判定该电子束曝光图案与该微影曝光图案之间形状上的该差异的大小是否落入一预定参考値之内;透过依据该差分信息改变该电子束曝光数据之该图案之形状及更新该电子束曝光数据来获得形状已改变的曝光数据;及当该差异的大小落在该预定参考値之外的时候重复该差分截取、该判定及该更新。

公开(公告)号：TWI313003B

公开(公告)日：2009-08-01

申请号：TW095120381

申请日：2006-06-08

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 小林廣之 KOBAYASHI, HIROYUKI

IPC: G11C

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C11/40603 ,  G11C11/40618

Abstract: 一種半導體記憶體響應於一個外部供應的存取要求來對數個記憶體方塊中之一者執行存取運作。這時,響應於該存取要求,一個記憶體控制單元對該等記憶體方塊中之一者執行存取運作及對該等記憶體方塊中之未執行存取運作之至少一者執行更新運作。因此,要在存取運作與更新運作之間無任何衝突下於存取運作的執行期間執行更新運作是有可能的。結果,存取週期時間能夠被縮短,其能夠改進資料傳輸速率。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体内存响应于一个外部供应的存取要求来对数个内存方块中之一者运行存取运作。这时,响应于该存取要求,一个内存控制单元对该等内存方块中之一者运行存取运作及对该等内存方块中之未运行存取运作之至少一者运行更新运作。因此,要在存取运作与更新运作之间无任何冲突下于存取运作的运行期间运行更新运作是有可能的。结果,存取周期时间能够被缩短,其能够改进数据传输速率。

公开(公告)号：TWI311808B

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：TW095102824

申请日：2006-01-25

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 大塚敏志 OTSUKA, SATOSHI ,  澤田豊治 SAWADA, TOYOJI ,  須賀真人 SUGA, MASATO ,  長山準 NAGAYAMA, JUN ,  佐藤元伸 SATO, MOTONOBU ,  鈴木貴志 SUZUKI, TAKASHI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種熔絲,包含:一互連部,包括一矽層;一第一接觸部,係與該互連部之一端連接;及一第二接觸部,係與該互連部之另一端連接且含有一金屬材料。一電流由該第一接觸部流至該第二接觸部,以將該第二接觸部之金屬材料遷移至該矽層,並藉此改變在該互連部與該第二接觸部之間的接觸電阻。

Abstract in simplified Chinese: 一种熔丝,包含:一互连部,包括一硅层;一第一接触部,系与该互连部之一端连接;及一第二接触部,系与该互连部之另一端连接且含有一金属材料。一电流由该第一接触部流至该第二接触部,以将该第二接触部之金属材料迁移至该硅层,并借此改变在该互连部与该第二接触部之间的接触电阻。