公开(公告)号：CN1372669A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN00812462.0

申请日：2000-06-30

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会 ,  IBM公司

Inventor： A·贝尼特兹 ,  A·贾米斯 ,  张世富 ,  J·R·史密斯 ,  李中生

IPC: G06F17/30 ,  G06F17/00

CPC classification number: G06F17/30604 ,  G06F17/30017 ,  G06F17/30858

Abstract: 提供用于从多媒体信息产生标准描述记录的系统和方法。本发明使用基本的实体－关系模型于Generic AVDS,它把实体,实体属性,和关系分类成相应的类型以便描述可视数据。它也涉及将实体关系分类成语法和语义属性。语法属性可归类成不同的层:类型/技术,全局分布,局部结构,和全局组成。语义属性能归类成不同的层:普通对象,普通场景,特定对象,特定场景,抽象对象,和抽象场景。本发明还使用将实体关系分类为语法和语义类别的分类。语法关系能归类成空间的,时间的,和可视类别。语义关系能归类成词法的和表述的类别。

公开(公告)号：CN1364267A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN00806016.9

申请日：2000-02-01

Applicant: 纽约市哥伦比亚大学托管会 ,  IBM公司

Inventor： A·B·贝尼特斯 ,  A·雅伊梅斯 ,  S·帕埃克 ,  张世富 ,  李中生 ,  J·R·史密斯

IPC: G06F17/30

CPC classification number: G06F17/30017 ,  G06F17/3028

Abstract: 一种多媒体档案描述方案,它提供了区别拥有记录和记录相关描述的多媒体档案的方法。多媒体档案描述方案提供了以相似度量使记录相关的数据结构。多媒体档案描述方案中的基本数据结构是簇。簇包含一个或者多个档案中记录的属性并且可以包含一个或者多个簇关联(110)。簇属性(105)可以包含档案中记录的特征空间属性,语义属性,媒体属性和介质属性。簇关联可以联系记录到簇或者联系簇到簇。簇关联可以包含特征空间(依照句法的)关联,语义关联,媒体关联和介质关联。本多媒体档案描述方案提供了描述记录集合的有效形式。

公开(公告)号：CN1168179A

公开(公告)日：1997-12-17

申请号：CN96191526.9

申请日：1996-01-19

Applicant: 赫希斯特人造丝公司 ,  IBM公司

Inventor： S·A·菲斯尔 ,  J·迈威斯 ,  C·F·莱昂斯 ,  W·M·莫里尤 ,  M·V·普拉特

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/322

Abstract: 说明了一种用于正性光致抗蚀剂显影的方法和组合物。本发明的显影剂包括氢氧化铵类的含水碱和最优选其含量为10至约30ppm的氟化烷基烷氧基化物类的表面活性剂。特别优选的表面活性剂包括磺酰基和胺部分。

公开(公告)号：TW374278B

公开(公告)日：1999-11-11

申请号：TW085114869

申请日：1996-12-02

Applicant: 日本IBM有限公司

Inventor： 豐槷晴彥 ,  杉本健次

IPC: H04M

CPC classification number: H04L12/2874 ,  H04L12/2856 ,  H04M11/06

Abstract: 本發明之目的在於來提供一種只用一簡單操作，就可能藉以迅速執行和一進接點連接的方法。
當諸如具有通信功能之一個人電腦(PC)的一種通信終端機要進接一通信網路時，就會根據過去進接處理所獲得的進接經驗資料(access experience data)，來選擇諸多最容易進接點中之一進接點，並執行在該進接點處的連接。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于来提供一种只用一简单操作，就可能借以迅速运行和一进接点连接的方法。 当诸如具有通信功能之一个人电脑(PC)的一种通信终端机要进接一通信网络时，就会根据过去进接处理所获得的进接经验数据(access experience data)，来选择诸多最容易进接点中之一进接点，并运行在该进接点处的连接。

公开(公告)号：TW342477B

公开(公告)日：1998-10-11

申请号：TW086110163

申请日：1997-07-17

Applicant: IBM有限公司

Inventor： 沼尾雅之 ,  清水周一 ,  森本典繁

IPC: G06F

CPC classification number: G06T1/0028 ,  G06T2201/0065 ,  H04N1/32144 ,  H04N2101/00 ,  H04N2201/3233 ,  H04N2201/3236 ,  H04N2201/327 ,  H04N2201/3281

Abstract: 提供一種數位相機，其具有插入用以偵測照相影像本體之驗證資訊於該影像中之功能，藉由提供結合影像資料之驗證資訊，驗證器即能在不儲存驗證資訊之下驗證影像資料。
藉由將輸入光學系統21之光轉成電的信號，CCD 22可輸出影像之類比信號。數位處理裝置23產生影像之數位信號以回應該類比信號。一數位相機具有：一區域分割單元24，用以將影像分成第一影像區域與第二影像區域，以回應數位信號；驗證資訊產生裝置29，從第一影像區域中之資料產生驗證資訊；加密裝置30，以加密驗證資訊；隱藏裝置25，藉由運算第二影像區域中之資料以插入加密之驗證資訊於第二影像區域中；及區域合併裝置26，用以合併影像中之第一影像區域與第二影像區域，其中插有驗證資訊。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种数码相机，其具有插入用以侦测照相影像本体之验证信息于该影像中之功能，借由提供结合影像数据之验证信息，验证器即能在不存储验证信息之下验证影像数据。 借由将输入光学系统21之光转成电的信号，CCD 22可输出影像之模拟信号。数码处理设备23产生影像之数码信号以回应该模拟信号。一数码相机具有：一区域分割单元24，用以将影像分成第一影像区域与第二影像区域，以回应数码信号；验证信息产生设备29，从第一影像区域中之数据产生验证信息；加密设备30，以加密验证信息；隐藏设备25，借由运算第二影像区域中之数据以插入加密之验证信息于第二影像区域中；及区域合并设备26，用以合并影像中之第一影像区域与第二影像区域，其中插有验证信息。

公开(公告)号：TWI261905B

公开(公告)日：2006-09-11

申请号：TW092124682

申请日：2003-09-05

Applicant: 英飛凌科技股份有限公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  國際商務機器公司 IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： 大衛‧安德森 DAVID ANDERSON ,  漢斯-約阿希姆‧巴爾特 HANS-JOACHIM BARTH ,  洛埃‧波利爾 LLOYD G. BURRELL ,  約瑟‧陳 JOSEPH CHAN ,  以馬內利‧克雷比 EMMANUEL F. CRABBE ,  道格拉斯‧克梅爾 DOUGLAS W. KEMERER ,  亨利‧尼三世 HENRY A. NYE III

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種半導體裝置200具位於在接觸墊片204的銲接連結區域214下方的支撐結構218、226、236及形成該半導體裝置的方法。低模數介電體層216、222、232係置於該工件212上。支撐結構218、226、236係形成於該低模數介電體層216、222、232，及支撐通孔224、234係形成於該支撐結構218、226、236之間。高模數介電體膜220、230係置於每一個低模數介電體層216、222、232之間，且高模數介電體層256係置於該最頂部低模數介電體層232上方。接觸墊片204係形成於該高模數介電體層，在該低模數介電體層232內的每一個支撐通孔234直接位於在下方低模數介電體層222的支撐通孔224上，以形成在該低模數介電體層216、222、232內的複數個通孔支撐堆疊。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备200具位于在接触垫片204的焊接链接区域214下方的支撑结构218、226、236及形成该半导体设备的方法。低模数介电体层216、222、232系置于该工件212上。支撑结构218、226、236系形成于该低模数介电体层216、222、232，及支撑通孔224、234系形成于该支撑结构218、226、236之间。高模数介电体膜220、230系置于每一个低模数介电体层216、222、232之间，且高模数介电体层256系置于该最顶部低模数介电体层232上方。接触垫片204系形成于该高模数介电体层，在该低模数介电体层232内的每一个支撑通孔234直接位于在下方低模数介电体层222的支撑通孔224上，以形成在该低模数介电体层216、222、232内的复数个通孔支撑堆栈。

公开(公告)号：TW373150B

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：TW87107342

申请日：1998-05-12

Applicant: IBM

Inventor： MIYAMOTO KOHTAROH ,  OKUYAMA KENICHI

IPC: G06F9/38 ,  G06F12/00 ,  G06F9/46 ,  G06F15/163 ,  G06T1/20

CPC classification number: G06F9/52 ,  Y10S707/99938

公开(公告)号：TW367455B

公开(公告)日：1999-08-21

申请号：TW086118463

申请日：1997-12-08

Applicant: 日本IBM有限公司

Inventor： 清水周一

IPC: G06F

Abstract: 許可沒有提供原始媒體資料當做資訊來擷取內嵌資訊，及以相當低計算成本擷取該資訊。
將指示一特殊意義的資訊嵌進表示媒體資料的媒體陣列的一種方法，該媒體陣列包括多個陣列元素，該方法包括下列步驟：（a）準備有多個陣列元素的一圖樣陣列，該圖樣陣列至少
有一正的單元值及一負的單元值，及該等正的及負的
單元值之總合是零；（b）指定在該媒體陣列中(N)個隱藏區域，該隱藏區域有
相當於該圖樣陣列大小的大小；（c）藉由參考提供資訊意義及該圖樣陣列之應用於該隱藏
區域之間一致的一隱藏規則，根據與該等隱藏區域的
某一個有關之位置上對應的正的或負的單元值，決定
用於該等陣列元素的每一個之運算數量；（d）將決定好的運算數量加至與該隱藏區域有關之該等陣
列元素的每一個；及（e）執行與(N)個隱藏區域有關的該等步驟(C)至(d)，以
便資訊被嵌進(N)個隱藏區域。[挑選的附圖]圖7

Abstract in simplified Chinese: 许可没有提供原始媒体数据当做信息来截取内嵌信息，及以相当低计算成本截取该信息。 将指示一特殊意义的信息嵌进表示媒体数据的媒体数组的一种方法，该媒体数组包括多个数组元素，该方法包括下列步骤：（a）准备有多个数组元素的一图样数组，该图样数组至少 有一正的单元值及一负的单元值，及该等正的及负的 单元值之总合是零；（b）指定在该媒体数组中(N)个隐藏区域，该隐藏区域有 相当于该图样数组大小的大小；（c）借由参考提供信息意义及该图样数组之应用于该隐藏 区域之间一致的一隐藏守则，根据与该等隐藏区域的 某一个有关之位置上对应的正的或负的单元值，决定 用于该等数组元素的每一个之运算数量；（d）将决定好的运算数量加至与该隐藏区域有关之该等阵 列元素的每一个；及（e）运行与(N)个隐藏区域有关的该等步骤(C)至(d)，以 便信息被嵌进(N)个隐藏区域。[挑选的附图]图7

公开(公告)号：TW200415768A

公开(公告)日：2004-08-16

申请号：TW092124682

申请日：2003-09-05

Applicant: 億恆科技股份公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  國際商務機器公司 IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： 大衛‧安德森 DAVID ANDERSON ,  漢斯-約阿希姆‧巴爾特 HANS-JOACHIM BARTH ,  洛埃‧波利爾 LLOYD G. BURRELL ,  約瑟‧陳 JOSEPH CHAN ,  以馬內利‧克雷比 EMMANUEL F. CRABBE ,  道格拉斯‧克梅爾 DOUGLAS W. KEMERER ,  亨利‧尼三世 HENRY A. NYE III

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種半導體裝置200具位於在接觸墊片204的銲接連結區域214下方的支撐結構218、226、236及形成該半導體裝置的方法。低模數介電體層216、222、232係置於該工件212上。支撐結構218、226、236係形成於該低模數介電體層216、222、232，及支撐通孔224、234係形成於該支撐結構218、226、236之間。高模數介電體膜220、230係置於每一個低模數介電體層216、222、232之間，且高模數介電體層256係置於該最頂部低模數介電體層232上方。接觸墊片204係形成於該高模數介電體層，在該低模數介電體層232內的每一個支撐通孔234直接位於在下方低模數介電體層222的支撐通孔224上，以形成在該低模數介電體層216、222、232內的複數個通孔支撐堆疊。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备200具位于在接触垫片204的焊接链接区域214下方的支撑结构218、226、236及形成该半导体设备的方法。低模数介电体层216、222、232系置于该工件212上。支撑结构218、226、236系形成于该低模数介电体层216、222、232，及支撑通孔224、234系形成于该支撑结构218、226、236之间。高模数介电体膜220、230系置于每一个低模数介电体层216、222、232之间，且高模数介电体层256系置于该最顶部低模数介电体层232上方。接触垫片204系形成于该高模数介电体层，在该低模数介电体层232内的每一个支撑通孔234直接位于在下方低模数介电体层222的支撑通孔224上，以形成在该低模数介电体层216、222、232内的复数个通孔支撑堆栈。

公开(公告)号：TW200406776A

公开(公告)日：2004-05-01

申请号：TW092123838

申请日：2003-08-28

Applicant: 億恆科技股份公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  國際商務機器公司 IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： 桑達 李爾 S. SUNDAR K. LYER ,  坎德拉斯克哈倫 寇山德拉曼 CHANDRASEKHARAN KOTHANDARAMAN

IPC: H01L ,  G11C

CPC classification number: G11C17/18

Abstract: 一種電晶體〈如MOSFET〉以經偏壓的井操作，與接地相反，以規畫電熔絲。對相同尺寸電晶體，相較於經接地的井所能提供的能量，使用以主動井偏壓操作的規畫電晶體提供更多能量用於規畫該熔絲。如此，較小的電晶體可被使用於規畫該熔絲。在多重熔絲具體實施例，在選擇熔絲的規畫期間，規畫電晶體可被放置於相同的“井”且伴隨著經由本體控制電路而施用於整個井之共用的獨立V偏壓。

Abstract in simplified Chinese: 一种晶体管〈如MOSFET〉以经偏压的井操作，与接地相反，以规画电熔丝。对相同尺寸晶体管，相较于经接地的井所能提供的能量，使用以主动井偏压操作的规画晶体管提供更多能量用于规画该熔丝。如此，较小的晶体管可被使用于规画该熔丝。在多重熔丝具体实施例，在选择熔丝的规画期间，规画晶体管可被放置于相同的“井”且伴随着经由本体控制电路而施用于整个井之共享的独立V偏压。