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公开(公告)号：CN107851507A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044515.9
申请日：2016-07-28
Applicant: 杰富意钢铁株式会社 , JFE精密株式会社 , 株式会社东金 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: H01F41/02 , B22F1/00 , B22F1/02 , B22F3/00 , B22F3/02 , C22C38/00 , C22C45/02 , H01F1/153 , H01F1/22 , H01F27/255
Abstract: 本发明提供一种高密度且高特性的软磁性压粉磁芯。一种软磁性压粉磁芯的制造方法，准备具有非晶质粉末和形成于上述非晶质粉末表面的被覆的被覆粉末，上述非晶质粉末由Fe-B-Si-P-C-Cu系合金、Fe-B-P-C-Cu系合金、Fe-B-Si-P-Cu系合金或Fe-B-P-Cu系合金构成，具有第1结晶化开始温度Tx1和第2结晶化开始温度Tx2，对上述被覆粉末以Tx1-100K以下的温度施加成型压力，以施加了上述成型压力的状态加热到Tx1-50K以上且小于Tx2的最高到达温度。
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公开(公告)号：CN102612745B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201080051690.3
申请日：2010-10-01
Applicant: JFE精密株式会社
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H01L23/3735 , B22F3/26 , B22F7/04 , B22F2007/045 , B32B15/01 , C22C1/0425 , C22C1/045 , C22C9/00 , C22C27/06 , C22C30/02 , C22F1/08 , C22F1/11 , C22F1/18 , H01L23/3736 , H01L23/473 , H01L2224/32225
Abstract: 将包含Cu基体和超过30质量%且80质量%以下的Cr的Cr-Cu合金板与Cu板接合之后，实施轧制，形成Cr-Cu合金层与Cu层的层叠体，由此提供一种低热膨胀性、导热性尤其是厚度方向的导热性优异而且整体的厚度也薄的电子设备用散热板。
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公开(公告)号：CN1968762A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580017978.8
申请日：2005-06-01
Applicant: JFE精密株式会社 , 并木精密宝石株式会社
Abstract: 本发明提供一种振动发生装置。根据该装置，能够获得振子和马达的转轴之间的高接合强度，且制造时的可操作性和生产效率良好，成本低。为了解决该课题，本装置具有以下结构：突出设置于振子主体(3)上的1对轴承用突出部之间形成有沟槽部，在将转轴(1)插入到该沟槽部内的状态下，使用加工面在振子宽度方向上构成凹曲面状的铆接工具，朝振子主体方向挤压所述两个轴承用突出部，通过朝沟槽部内侧方向铆接两个轴承用突出部而约束转轴，从而将振子固定在转轴(1)上，并且，由所述轴承用突出部构成的各个铆接部(6a、6b)中，至少其顶部及位于该顶部外侧的上部外表面在振子宽度方向上形成凸曲面状。
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公开(公告)号：CN111357100A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074130.6
申请日：2018-11-16
Applicant: JFE精密株式会社
IPC: H01L23/373 , B21B1/38 , B21B3/00 , B22F3/24 , B22F3/26 , B22F7/04 , B23K20/00 , B32B7/027 , B32B15/01 , C22C1/04 , C22C9/00 , C22C27/04
Abstract: 本发明提供一种具有Cu-Mo复合材料和Cu材料的包层结构的低热膨胀系数，高导热系数的散热板。该散热板通过在板厚方向Cu层和Cu-Mo复合体层交替层叠而由3层以上的Cu层和2层以上的Cu-Mo复合体层构成，并且，两面的最外层由Cu层构成，Cu-Mo复合体层具有扁平的Mo相分散在Cu基体中的板厚截面组织。与板厚和密度相同的3层包层结构的散热板相比为低热膨胀系数，且最外层的Cu层的厚度变薄，因此板厚方向的导热系数变高。
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公开(公告)号：JP2021034690A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019156961
申请日：2019-08-29
Applicant: JFE精密株式会社 , JFEスチール株式会社
Abstract: 【課題】Cu−Mo複合材とCu材のクラッド構造を有し、高出力・小型半導体が搭載される枠体付き半導体パッケージ用途の放熱板に要求される高い放熱特性を満足し、かつ枠体付き半導体パッケージに適用した場合に枠体の局所的な応力集中による割れを防止できる放熱板を提供する。 【解決手段】板厚方向においてCu層とCu−Mo複合体層が交互に積層することで、3層以上のCu層と2層以上のCu−Mo複合体層で構成されるとともに、両面の最外層がCu層からなる放熱板であって、両面の最外層の各Cu層は、厚さt 1 が40μm以上であって、厚さt 1 と板厚Tが0.06≦t 1 /T≦0.27を満足し、各Cu−Mo複合体層の厚さt 2 と板厚Tがt 2 /T≦0.36/[(全層数−1)/2](但し、全層数:Cu層の層数とCu−Mo複合体層の層数の合計)を満足する。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6732395B1
公开(公告)日：2020-07-29
申请号：JP2019156961
申请日：2019-08-29
Applicant: JFE精密株式会社 , JFEスチール株式会社
Abstract: 【課題】Cu−Mo複合材とCu材のクラッド構造を有し、高出力・小型半導体が搭載される枠体付き半導体パッケージ用途の放熱板に要求される高い放熱特性を満足し、かつ枠体付き半導体パッケージに適用した場合に枠体の局所的な応力集中による割れを防止できる放熱板を提供する。 【解決手段】板厚方向においてCu層とCu−Mo複合体層が交互に積層することで、3層以上のCu層と2層以上のCu−Mo複合体層で構成されるとともに、両面の最外層がCu層からなる放熱板であって、両面の最外層の各Cu層は、厚さt 1 が40μm以上であって、厚さt 1 と板厚Tが0.06≦t 1 /T≦0.27を満足し、各Cu−Mo複合体層の厚さt 2 と板厚Tがt 2 /T≦0.36/[(全層数−1)/2](但し、全層数:Cu層の層数とCu−Mo複合体層の層数の合計)を満足する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6233677B1
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2017158064
申请日：2017-08-18
Applicant: JFE精密株式会社
CPC classification number: B22F3/10 , B22F3/24 , B22F3/26 , B22F7/06 , C22C1/04 , C22C27/04 , C22F1/18 , H01L23/373 , C22F1/00
Abstract: 【課題】Cu−Mo複合材とCu材のクラッド構造を有する低熱膨張率、高熱伝導率の放熱板を提供する。 【解決手段】板厚方向においてCu−Mo複合体層、Cu層、Cu−Mo複合体層がこの順に積層し、或いは板厚方向においてCu−Mo複合体層とCu層が交互に積層することで3層以上のCu−Mo複合体層と2層以上のCu層で構成されるとともに、両面の最外層がCu−Mo複合体層からなる放熱板であって、Cu−Mo複合体層は、Cuマトリクス中に扁平なMo相が分散した板厚断面組織を有する。このクラッド構造により、低熱膨張率でありながら高い熱伝導率が得られる。 【選択図】図1
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18.发明专利Heat radiating component for semiconductor, case for semiconductor with the same, and carrier for semiconductor 审中-公开用于半导体的半导体放热元件及其半导体用半导体器件
公开(公告)号：JP2012216844A
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：JP2012105709
申请日：2012-05-07
Applicant: Jfe Seimitsu Kk , Jfe Steel Corp , Jfeスチール株式会社 , Jfe精密株式会社
Inventor： TERAO SEIMEI , OTA HIROKI , KOHIKI HIDEAKI , SAWAI TAKASHI , ABUMITA TETSUO
IPC: H01L23/373 , B22F3/24 , B22F3/26 , C22C1/04 , C22C9/00 , C22C27/06 , H01L23/02 , H01L23/12 , H01L23/14 , H01L23/36
CPC classification number: H01L23/3736 , B22F3/24 , B22F3/26 , B22F2003/248 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C1/045 , C22C9/00 , C22C27/06 , H01L23/057 , H01L23/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01079 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F3/20 , B22F3/02 , B22F3/10 , H01L2924/00014
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-precision heat radiating component for a semiconductor in which a manufacturing process is simple, and which is economical and has high productivity by using a Cr-Cu alloy which has a small coefficient of thermal expansion and large coefficient of thermal conductivity, and to provide a semiconductor case, a semiconductor carrier and a package.SOLUTION: A heat radiating component for a semiconductor is a molded product produced by cold pressing a Cr-Cu alloy plate obtained by processing a Cr-Cu alloy which is produced by applying powder metallurgy. The molded product comprises more than 30 mass% and less than or equal to 80 mass% of Cr content with the balance consisting of Cu and unavoidable impurities. The unavoidable impurities are less than or equal to 0.15 mass% of O, less than or equal to 0.1 mass% of N, less than or equal to 0.1 mass% of C, less than or equal to 0.05 mass% of Al, and less than or equal to 0.10 mass% of Si.
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种用于制造工艺简单的半导体的高精度散热部件，并且通过使用具有小的热系数的Cr-Cu合金是经济的并且具有高生产率 膨胀和大的导热系数，并提供半导体外壳，半导体载体和封装。 解决方案：半导体用散热构件是通过对通过施加粉末冶金制造的Cr-Cu合金进行加工而得到的Cr-Cu合金板进行冷压而制造的成型体。 成型体含有大于30质量％且小于等于80质量％的Cr含量，余量由Cu和不可避免的杂质构成。 不可避免的杂质小于或等于0.15质量％，小于或等于0.1质量％的N，小于或等于0.1质量％的C，小于或等于0.05质量％的Al和更少的 大于等于0.10质量％的Si。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2009149966A
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：JP2008066675
申请日：2008-03-14
Applicant: Jfe Seimitsu Kk , Jfe Steel Corp , Jfeスチール株式会社 , Jfe精密株式会社
Inventor： KOHIKI HIDEAKI , TERAO SEIMEI , OTA HIROKI , HIRUTA TOSHIKI
IPC: C22F1/11 , B21B1/22 , B21B3/00 , B22D19/00 , B22F3/18 , B22F3/24 , B22F3/26 , C22C1/04 , C22C9/00 , C22C27/06 , C22F1/00 , C22F1/08
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method which can prevent edge cracks of a Cr-Cu alloy sheet having characteristics such that the coefficient of thermal expansion is low and also thermal conductivity is high. SOLUTION: In the method for producing a Cr-Cu alloy sheet, a Cr-Cu alloy stock comprising, by mass, >30 to ≤80% Cr, and the balance Cu with inevitable impurities is subjected to warm rolling in the temperature range of 40 to 300°C. Alternatively, in the production method, Cu is infiltrated into a porous body obtained by sintering Cr powder and Cu powder to make a Cr-Cu alloy stock, and it is subjected to warm rolling to obtain a Cr-Cu alloy sheet. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
Abstract translation: 解决的问题：提供一种能够防止具有使热膨胀系数低，导热性高的特性的Cr-Cu合金板的边缘裂纹的制造方法。 解决方案：在Cr-Cu合金板的制造方法中，将Cr含量为> 30〜≤80％的Cr和余量为不可避免的杂质的Cr-Cu合金原料在 温度范围为40〜300℃。 或者，在制造方法中，将Cu浸渍到通过烧结Cr粉末和Cu粉末而获得的多孔体中，制成Cr-Cu合金原料，并进行温轧以获得Cr-Cu合金板。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT
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20.发明专利
公开(公告)号：JP2007242891A
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：JP2006063187
申请日：2006-03-08
Applicant: Jfe Seimitsu Kk , Jfe Steel Kk , Jfeスチール株式会社 , Jfe精密株式会社
Inventor： TERAO SEIMEI , OTA HIROKI , KOHIKI HIDEAKI
IPC: H01L23/40
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of joining a DBA substrate and a heat radiating member by brazing or by soldering, and also a heat radiator plate manufactured by the joining method. SOLUTION: A Cu plate or a Cu-contained alloy is joined to a foil or a particle-like Sn-based alloy by inserting the foil or the particle-like Sn-based alloy between the Cu or the Cu-contained alloy, and heating the alloys at a temperature not lower than the melting point of the Sn-based alloy. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：提供通过钎焊或焊接将DBA基板和散热构件接合的方法，以及通过接合方法制造的散热板。 解决方案：通过将箔或粒状Sn基合金插入Cu或含Cu的合金中，将Cu板或含Cu合金结合到箔或粒状的Sn基合金上 在不低于Sn系合金的熔点的温度下加热合金。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT
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