液晶组成物以及液晶显示元件

    公开(公告)号:CN102197108B

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN200980142557.6

    申请日:2009-09-25

    Abstract: 一种液晶组成物,其在向列相的上限温度高、向列相的下限温度低、粘度小、光学各向异性大、正的介电常数各向异性大、电阻率大、对紫外线的稳定性高、对热的稳定性高等的特性中,具有至少一种特性、或者在至少两种特性中具有适当的平衡。一种AM元件,其具有短的响应时间、大的电压保持率、大的对比度、长寿命等。本发明是关于一种液晶组成物以及含有该组成物的液晶显示元件,该液晶组成物具有正的介电常数各向异性,且含有作为第一成分的具有高的向列相的上限温度、且具有大的介电常数各向异性的特定四环化合物、及作为第二成分的具有大的正介电常数各向异性的特定化合物。

    四氯化硅的精制方法
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102149635B

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN200980132652.8

    申请日:2009-08-19

    CPC classification number: C01B33/10778 C01B33/10784

    Abstract: 本发明揭示一种可解决借由蒸馏或吸附来分离去除有机氯硅烷时所存在的问题的四氯化硅的精制方法。一种四氯化硅的精制方法的特征包含:(1)使包含四氯化硅气体及含氧气体的混合气体,与将温度调整为200~450℃的含有选自由活性碳及担载金属的活性碳所组成的族群中的至少一种的触媒层相接触的步骤;及(2)冷却上述接触后的混合气体,并分离回收液体四氯化硅的步骤。

    高纯度多晶硅的制造装置及制造方法

    公开(公告)号:CN101311113B

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:CN200810084016.X

    申请日:2008-03-18

    Inventor: 并木伸明

    CPC classification number: C01B33/033

    Abstract: 一种高纯度多晶硅的制造装置,包括:氯化硅的气化装置;锌熔融蒸发装置;外周面具备加热机构的立式反应器;连接在氯化硅的气化装置和立式反应器间的氯化硅气体供给喷嘴,将氯化硅的气化装置提供的氯化硅气体供应到立式反应器;连接在锌熔融蒸发装置和立式反应器间的锌气体供给喷嘴,将锌熔融蒸发装置提供的锌气体供应到立式反应器;及与立式反应器相连的排气抽出管。锌熔融蒸发装置包括蒸发器;与蒸发器上部相连的主纵筒部;插入主纵筒部内部的固态物分离管;与固态物分离管倾斜相连的锌导入用管;围绕固态物分离管的下端开口部且构成其底面的密封罐;安装在主纵筒部外周面且可调节温度的感应加热装置;及与蒸发器的侧壁相连的气体排放用管。

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