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公开(公告)号：JP2004524396A
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：JP2002559244
申请日：2002-01-23
Applicant: ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation
Inventor： イーガル・ドゥ・ブルム , シブクマー・チルボル , スジート・クマー , デイビッド・ブレント・マックイーン , ノブユキ・カンベ , ベンジャミン・チャロナー−ジル
CPC classification number: G02B1/005 , B32B27/08 , C08G18/3897 , C08G83/001 , C08K9/08 , G02B6/10 , H01L35/24 , Y10T428/16 , Y10T428/25 , Y10T428/2913 , Y10T428/2962 , Y10T428/2991 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678 , Y10T428/31681 , Y10T428/31692 , Y10T428/31931
Abstract: 無機粒子／ポリマー複合物は、複合元素間の化学結合に関与すると説明される。 幾つかの実施形態において、複合組成物(composite composition)は、無機粒子に化学結合した側鎖基(side groups)を有するポリマーを含有する。 さらに、複合組成物は、化学結合した無機粒子と、定序性(ordered)ポリマーとを含むことができる。 種々の電気的、光学的および電気光学的デバイスが、該複合物から形成可能である。
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12.发明专利
公开(公告)号：JP2013505597A
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：JP2012530976
申请日：2010-09-21
Applicant: ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation
Inventor： グォチュン リュー , エム．モリス クリフォード , アルトマン イゴール , スリニバサン ウマ , チルボル シブクマール
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/068 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: ｐｎ接合を有する薄膜太陽電池内に、高品質のシリコンインクを用いて多結晶層を形成する。 インクと一緒に堆積された粒子を焼結して、真正膜又はドープ膜となることができる、シリコン膜を形成することができる。 このシリコンインクは、初期濃度が０．４重量パーセントよりも高い場合は、０．４重量パーセントに希釈されたインク試料上で動的光散乱させることによって測定して、約２５０ｎｍ以下であるｚ平均二次粒子サイズを有することができる。 いくつかの態様では、真正層は、非晶質シリコン部分と結晶質シリコン部分とからなる複合材となることができる。
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13.发明专利
公开(公告)号：JP2012527772A
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：JP2012511904
申请日：2010-05-13
Applicant: ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation
Inventor： スリニバサン ウマ , シン チョウ , パカラ ニーラジ , ヒースルメア ヘンリー
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L21/22 , H01L21/2255 , H01L21/228 , H01L21/268 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: レーザーを用いる加工方法を、単独又は組み合わせて、半導体のためにドープされた領域及び／又は電流収穫構造を効率よく加工する。 例えば、ドーパントをシリコン／ゲルマニウム半導体層にレーザービームを用いて裸のシリコン／ゲルマニウム表面からドライブインすることができる。 深い接点が、効率の良い太陽電池の実現に有効であることが判った。 誘電層を効率よくパターン形成して、電流コレクタと半導体表面に沿うドープされた領域との間に選択された接点を提供する。 迅速な加工アプローチは、効率の良い製造プロセスに好適である。
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公开(公告)号：JP2011510515A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：JP2010544313
申请日：2009-01-16
Applicant: ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation
Inventor： ヘンリー・ヒースルマイヤー , ロナルド・ジェイ・モッソ
IPC: H01L21/20
Abstract: ZMR apparatuses provide for controlled temperature flow through the system to reduce energy consumption while providing for desired crystal growth properties. The apparatus can include a cooling system to specifically remove a desired amount of heat from a melted film to facilitate crystallization. Furthermore, the apparatus can have heated walls to create a background temperature within the chamber that reduces energy use through the reduction or elimination of cooling for the chamber walls. The apparatuses and corresponding methods can be used with inorganic films directly or indirectly associated with a porous release layer that provides thermal insulation with respect to an underlying substrate. If the recrystallized film is removed from the substrate, the substrates can be reused. The methods can be used for large area silicon films with thicknesses from 2 microns to 100 microns, which are suitable for photovoltaic applications as well as electronics applications.
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公开(公告)号：JP2010534120A
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：JP2010516991
申请日：2008-07-11
Applicant: ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation
Inventor： ホルンガ，ディーン，エム． , マクゴバーン，ウィリアム，イー． , リンチ，ロバート，ビー．
CPC classification number: B01J19/121 , B01J2219/0869 , B01J2219/0871 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G1/02 , C01G23/07 , C01P2002/72 , C01P2004/51 , C01P2004/64 , C01P2006/12
Abstract: 【課題】
【解決手段】
レーザ熱分解装置が、不活性ガスや表面改質組成物などの組成物を高速で導入するジェット入口を使用することにより空中で生成物無機粒子を設計することができる。 強い混合の条件下で、粒子凝集を低減させながら無機粒子の流れを操作することができる。 これらの強い混合装置は、所望の高い結晶化度を実現するまで結晶成長を維持するように急冷プロセスを減速させることにより比較的ゆっくり本質的に成長する構造を有する高品質結晶を形成する際に有効であることがわかっている。 また、所望の無機粒子表面化学的性質を設計するために、粒子の表面化学的性質を流れの中で操作することもできる。
【選択図】図１-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015157745A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：JP2015001985
申请日：2015-01-08
Applicant: ナノグラム・コーポレイション , NanoGram Corporation
Inventor： ヒースメイル,ヘンリー , ディオマエヴ,ヴァラディミール,ケー. , チルボル,シボクマー , ドゥ,フィ,ケー.
IPC: C09C1/28 , C09C1/00 , C09C3/12 , C09D11/30 , C01B33/12 , C01G17/00 , H01L21/225 , H01L21/22 , B41J2/01 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/18 , C01B33/14
CPC classification number: H05K1/097 , B82Y30/00 , C09C1/3081 , C09D11/30 , C09D11/38 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/1804 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/54 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/933 , Y10S977/773 , Y10S977/774 , Y10S977/786 , Y10T428/12674 , Y10T428/24909
Abstract: 【課題】光起電力電池の形成のため、又は印刷された電子回路の形成のためなどの、選択的にドーピングされた半導体材料の堆積物を形成するために用いることができるシリカ/ゲルマニア分散物の提供。 【解決手段】液体と、ドーピングされたシリカ/ゲルマニアナノ粒子とを含む分散物であって、ドーピングされたシリカ/ゲルマニアナノ粒子は、1〜100nmの平均一次粒子サイズと、500nmを超えない体積平均粒子サイズとを有し、分散物は、0.1〜20重量%のシリカ/ゲルマニアナノ粒子の濃度を有し、シリカ/ゲルマニアナノ粒子のシリコン/ゲルマニウム原子に対して1.0×10-7〜15原子%のドーパント元素を含む分散物。前記シリカ/ゲルマニア粒子は前記液体と適合する様に選ばれた表面改質組成物を有する分散物。 【選択図】図3
Abstract translation: 要解决的问题：提供可用于形成选择性掺杂半导体材料的沉积的二氧化硅/锗纳米分散体，例如用于形成光伏电池或形成印刷电子电路。解决方案：提供一种分散体，包括 液体和掺杂的二氧化硅/锗纳米颗粒，其中掺杂的二氧化硅/锗纳米颗粒具有1至100nm的平均一次粒径和不大于500nm的体积平均粒度。 该分散体具有0.1至20重量％的二氧化硅/锗纳米颗粒的浓度，并且相对于二氧化硅/锗纳米颗粒中的硅/锗原子含有1.0×10至15原子％的掺杂剂元素。 二氧化硅/氧化锗颗粒含有选择用于匹配液体的表面改性组合物。
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公开(公告)号：JP2015144291A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：JP2015035283
申请日：2015-02-25
Applicant: ナノグラム・コーポレイション , NanoGram Corporation
Inventor： ウマ スリニバサン , チョウ シン , ヘンリー ヒースルメア , ニーラジ パカラ
IPC: H01L31/068 , H01L21/265 , H01L21/22 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/22 , H01L21/2255 , H01L21/228 , H01L21/268 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 【課題】シリコン/ゲルマニウム半導体層をドープする迅速かつ効率の良いプロセス方法を提供する。 【解決手段】シリコン/ゲルマニウムの裸の半導体層108に沿って複数のドーパント源をパターン形成し、その後で半導体層全体を光ビーム走査することにより、ドーパント源から半導体層内にドーパントをドライブインして、複数のn−ドープされた領域112及び複数のp−ドープされた領域110を形成する。深い接点が、効率の良い太陽電池の実現に有効である。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供用于掺杂硅/锗半导体层的快速和有效的处理方法。解决方案：一种方法包括：沿着硅/锗的裸半导体层108图案化多个掺杂剂源; 然后用光束扫描整个半导体层以将掺杂剂从掺杂剂源驱动到半导体层中以形成多个n掺杂域112和多个p掺杂域110.深触点对于实现有效的太阳能是有效的 细胞。
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公开(公告)号：JP2015129284A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2015001983
申请日：2015-01-08
Applicant: ナノグラム・コーポレイション , NanoGram Corporation
Inventor： ヒースメイル,ヘンリー , ディオマエヴ,ヴァラディミール,ケー. , チルボル,シボクマー , ドゥ,フィ,ケー.
IPC: C09C1/28 , C09C1/62 , C09D11/322 , H01L31/18 , B41M5/00 , C01B33/029 , C01B33/18 , C09D17/00
CPC classification number: H05K1/097 , B82Y30/00 , C09C1/3081 , C09D11/30 , C09D11/38 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/1804 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/54 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/933 , Y10S977/773 , Y10S977/774 , Y10S977/786 , Y10T428/12674 , Y10T428/24909
Abstract: 【課題】光起電力電池の形成 【解決手段】光起電力電池として、高度に均一で、小さな二次粒子サイズを有するシリコン/ゲルマニウムナノ粒子の安定な分散物が望ましい。。シリコン/ゲルマニウム粒子は、分散物を形成するために表面改質されることができ、更に粒子特性を変化させるためにドーピングされることができる。該分散物は、光起電力電池の形成のため又は電子回路の形成のために、インクジェット印刷することができる。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：形成光伏电池。解决方案：作为光伏电池，具有小二次粒径的高度均匀的硅/锗纳米颗粒是理想的。 硅/锗颗粒可以被表面改性以形成分散体，并且还可以掺杂以改变颗粒性质。 分散体可以喷墨印刷以形成光伏电池或用于形成电子电路。
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19.发明专利
公开(公告)号：JP2013532225A
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：JP2013518566
申请日：2011-06-28
Applicant: ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation
Inventor： チルボル シブクマー , アルトマン イゴール , エム．フレイ バーナード , ウェイドン リ , クォチュン リュー , ビー．リンチ ロバート , エリザベス ペングラ−レウン ジーナ , スリニバサン ウマ
CPC classification number: C09D11/38 , B01D21/262 , B01J19/121 , B01J2219/0869 , B01J2219/0871 , B01J2219/0875 , B82Y30/00 , C01B33/02 , C08K3/08 , C08K3/36 , C08K9/02 , C09D5/24 , C09D7/67 , C09D7/68 , C09D7/80 , C09D11/037 , C09D11/101 , C09D11/322 , C09D11/36 , C09D11/52 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L23/4828 , H01L23/53276 , H01L31/00 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 元素シリコン粒子の合成に特に適した所望の粒子クエンチングを可能にするためのレーザー熱分解反応器設計、及び相応の反応物質入口ノズルが記載されている。 具体的には、ノズルは、反応物質前駆体流を取り囲む実質的な不活性ガス流に基づく不活性ガスを用いて、そして反応物質前駆体流及びクエンチ・ガス流を事実上取り囲む大型不活性エントレインメント流を用いて、核形成及びクエンチングを促進するための設計を有することができる。 有機化合物による表面改質を施されていないシリコン・ナノ粒子を有する改善されたシリコン・ナノ粒子インクが記載されている。 シリコン・インク特性は、特定の印刷用途、例えばインクジェット印刷、グラビア印刷、又はスクリーン印刷に合わせて設計することができる。 シリコン・ナノ粒子を表面改質することなしに、インク設計のためのフレキシビリティを提供する好適な処理方法が記載されている。
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公开(公告)号：JP2010530032A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：JP2010512185
申请日：2008-06-12
Applicant: ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation
Inventor： ソラヤパーン，ナラヤン , チルボル，シルボクマー , ヒルスマイアー，ヘンリー , モッソ，ロナルド，Ｊ． , モリス，ジュリオ，Ｅ．
IPC: C23C16/01 , H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/01 , C23C16/24 , C23C16/545 , C30B13/00 , C30B25/18 , C30B29/06 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/26 , Y10T428/263 , Y10T428/264 , Y10T428/265
Abstract: Sub-atmospheric pressure chemical vapor deposition is described with a directed reactant flow and a substrate that moves relative to the flow. Thus, using this CVD configuration a relatively high deposition rate can be achieved while obtaining desired levels of coating uniformity. Deposition approaches are described to place one or more inorganic layers onto a release layer, such as a porous, particulate release layer. In some embodiments, the release layer is formed from a dispersion of submicron particles that are coated onto a substrate. The processes described can be effective for the formation of silicon films that can be separated with the use of a release layer into a silicon foil. The silicon foils can be used for the formation of a range of semiconductor based devices, such as display circuits or solar cells.
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